MMBTA42
晶体管（ NPN ）
特点
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
补充MMBTA92 （ PNP ）
标记： 1D
最大额定值（T
A
=25
℃
除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
热阻，结到环境
结温
储存温度
SOT-23
1.基地
2.辐射源
3.收集
价值
300
300
5
0.3
0.35
357
150
-55to 150
单位
V
V
V
A
W
℃ / MW
℃
℃
电气特性（环境温度Tamb = 25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
TEST
条件
I
E
=0
民
300
300
5
0.25
0.1
60
100
60
0.2
0.9
50
V
V
兆赫
200
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= 100μA,
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=30mA
I
C
= 20mA时，我
B
= 2毫安
I
C
= 20mA时，我
B
=2mA
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安，
f
T
f=
30MHz
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
