飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMA20312BV
第1版， 12/2011
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
高效率/线性放大器
该MMA20312BV是一个2--阶段高效率， AB类的InGaP HBT
放大器设计用作一个线性驱动放大器在无线基站
的应用，以及在毫微微蜂窝基站或中继器的应用程序的输出级。它
适合于与频率的应用中一八〇〇年至2200年兆赫如
CDMA， TD - SCDMA， PCS ，UMTS和LTE在工作电压为3至
5伏特。放大器安装在成本 - 效益，表面贴装QFN塑料
封装。
典型性能： V
CC
= 5伏，我
CQ
= 70毫安， P
OUT
= 17 dBm的
频率
1880兆赫
1920兆赫
2010兆赫
2025 MHz的
2140兆赫
G
ps
（ dB）的
29.0
29.0
27.4
26.8
27.0
ACPR
（ DBC）
--47.4
--46.7
--52.0
--50.0
--51.7
PAE
(%)
9.1
9.0
9.3
9.5
9.4
测试信号
TD - SCDMA
TD - SCDMA
TD - SCDMA
TD - SCDMA
W - CDMA
MMA20312BVT1
1800-
-2200兆赫， 27.2分贝
30.5 dBm的
的InGaP HBT
CASE 2131-
-01
QFN 3×3
塑料
特点
频率： 1800--2200兆赫
P1dB为30.5 dBm的@ 2140兆赫（ CW应用电路）
功率增益： 26.4分贝@ 2140兆赫（ CW应用电路）
OIP3 ： 44.5 dBm的@ 2140兆赫（W - CDMA应用电路）
有源偏置控制（外部可调）
单3至5伏电源
成本 - 效益QFN表面贴装封装
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000个单位，12个毫米磁带宽度， 7英寸的卷轴。
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@ 1分贝
压缩
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
1800
兆赫
28.8
--17.6
--20.3
30.5
2140
兆赫
26.4
--10.9
--14.7
30.5
2200
兆赫
25.5
--9.7
--13.7
30.5
单位
dB
dB
dB
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
550
14
--65到150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC ，T
A
= 25 ℃，50欧姆系统，连续波
应用电路
表3.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度86 ° C，V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC
符号
R
θJC
价值
(3)
52
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MMA20312BVT1
1
RF设备数据
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