飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMA20312BV
第1版， 12/2011
异质结双极晶体管
技术（的InGaP HBT ）
高效率/线性放大器
该MMA20312BV是一个2--阶段高效率， AB类的InGaP HBT
放大器设计用作一个线性驱动放大器在无线基站
的应用，以及在毫微微蜂窝基站或中继器的应用程序的输出级。它
适合于与频率的应用中一八〇〇年至2200年兆赫如
CDMA， TD - SCDMA， PCS ，UMTS和LTE在工作电压为3至
5伏特。放大器安装在成本 - 效益，表面贴装QFN塑料
封装。
典型性能： V
CC
= 5伏，我
CQ
= 70毫安， P
OUT
= 17 dBm的
频率
1880兆赫
1920兆赫
2010兆赫
2025 MHz的
2140兆赫
G
ps
（ dB）的
29.0
29.0
27.4
26.8
27.0
ACPR
（ DBC）
--47.4
--46.7
--52.0
--50.0
--51.7
PAE
(%)
9.1
9.0
9.3
9.5
9.4
测试信号
TD - SCDMA
TD - SCDMA
TD - SCDMA
TD - SCDMA
W - CDMA
MMA20312BVT1
1800-
-2200兆赫， 27.2分贝
30.5 dBm的
的InGaP HBT
CASE 2131-
-01
QFN 3×3
塑料
特点
频率： 1800--2200兆赫
P1dB为30.5 dBm的@ 2140兆赫（ CW应用电路）
功率增益： 26.4分贝@ 2140兆赫（ CW应用电路）
OIP3 ： 44.5 dBm的@ 2140兆赫（W - CDMA应用电路）
有源偏置控制（外部可调）
单3至5伏电源
成本 - 效益QFN表面贴装封装
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000个单位，12个毫米磁带宽度， 7英寸的卷轴。
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@ 1分贝
压缩
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
1800
兆赫
28.8
--17.6
--20.3
30.5
2140
兆赫
26.4
--10.9
--14.7
30.5
2200
兆赫
25.5
--9.7
--13.7
30.5
单位
dB
dB
dB
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
550
14
--65到150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC ，T
A
= 25 ℃，50欧姆系统，连续波
应用电路
表3.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度86 ° C，V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC
符号
R
θJC
价值
(3)
52
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MMA20312BVT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
应用电路）
表4.电气特性
(V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC ， 2140兆赫，T
A
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔W - CDMA
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
(1)
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩， CW
三阶输出截取点，两个 - 音频CW
噪声系数
电源电流
(1,2)
电源电压
(2)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
OIP3
NF
I
CQ
V
CC
民
23.6
—
—
—
—
—
62.5
—
典型值
27.2
--10.7
--15.5
28.2
44.5
3.3
70
5
最大
—
—
—
—
—
—
77
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
表5. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
0 ，额定电压为150 V
A
III
表6.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
1.指定数据是基于W中焊接向下部分的性能 - CDMA的应用电路。
2.运行可靠，结温度不应超过150 ℃。
V
BA2
V
CC1
V
CC1
RF
OUT
V
BA1
RF
OUT
V
BIAS
RF
in
1
2
3
4
5
6
GND GND GND
V
BA2
V
CC1
V
CC1
12 11 10
9
8
7
RF
OUT
RF
OUT
V
CC2
V
BA1
BIAS
电路
V
BIAS
RF
in
V
CC2
GND
GND
GND
图1.功能框图
图2.引脚连接
MMA20312BVT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
Z5
R1
R2
C8
Z4
C17
C18
C19
V
CC1
12
11
10
C5
1
BIAS
电路
9
RF
产量
C4
2
RF
输入
C1
C2
L1
4
5
6
8
Z2
Z3
C3
Z1
3
7
Z6
V
CC2
C13
C16
Z1
Z2
Z3
0.250 “× 0.030 ”微带
0.035 “× 0.030 ”微带
0.283 “× 0.030 ”微带
Z4
Z5
Z6
0.080 “× 0.030 ”微带
0.155 “× 0.010 ”微带
0.045 “× 0.010 ”微带
图3. MMA20312BV测试电路原理图 - TD-
-SCDMA ， 5伏操作
表7. MMA20312BV测试电路组件标识和价值观 - TD-
-SCDMA ， 5伏操作
部分
C1, C5
C2
C3
C4
C6, C7, C9
C8, C18
C13
C16, C19
C17
L1
R1
R2
PCB
描述
22 pF的贴片电容
1.8 pF的贴片电容
2.2 pF的贴片电容
5.6 pF的电容芯片
组件未放置
1
μF
贴片电容
10 pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
0.1
μF
贴片电容
1.8 nH的片式电感
330
贴片电阻
1.5 kΩ的片式电阻器
0.014″,
ε
r
= 3.7
GRM188R61A105KA61
06035J100GBS
GRM188R60J106ME47
GRM188R71H104KA93
LL1608--FS1N8S
RR0816Q--331--D
RR0816Q--152--D
FR408
村田
AVX
村田
村田
TOKO
进
进
伊索拉
产品型号
06033J220GBS
06035J1R8BBS
06035J2R2BBS
06035J5R6BBS
生产厂家
AVX
AVX
AVX
AVX
注意：元件号C6，C7和C9均标上板，但没有放置。 C10，C11 ，C12， C14和C15被有意省略。
MMA20312BVT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
BIAS(1)
V
CC1
C8
C19
R1
R2
C7*
C6*
C9*
C17 C18
RF
OUT
RF
IN
C5
C1
C2
L1
C3
C13
C4
C16
QFN 3x3--12B
第0版
(1) V
BIAS
[董事会]供应V
BA1
, V
BA2
和V
BIAS
[设备] 。
注：组件编号C6 * ， * C7和C9 *标注在船上，但没有放置。
图4. MMA20312BV测试电路元件布局 - TD-
-SCDMA ， 5伏操作
表7. MMA20312BV测试电路组件标识和价值观 - TD-
-SCDMA ， 5伏操作
部分
C1, C5
C2
C3
C4
C6, C7, C9
C8, C18
C13
C16, C19
C17
L1
R1
R2
PCB
描述
22 pF的贴片电容
1.8 pF的贴片电容
2.2 pF的贴片电容
5.6 pF的电容芯片
组件未放置
1
μF
贴片电容
10 pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
0.1
μF
贴片电容
1.8 nH的片式电感
330
贴片电阻
1.5 kΩ的片式电阻器
0.014″,
ε
r
= 3.7
GRM188R61A105KA61
06035J100GBS
GRM188R60J106ME47
GRM188R71H104KA93
LL1608--FS1N8S
RR0816Q--331--D
RR0816Q--152--D
FR408
村田
AVX
村田
村田
TOKO
进
进
伊索拉
产品型号
06033J220GBS
06035J1R8BBS
06035J2R2BBS
06035J5R6BBS
生产厂家
AVX
AVX
AVX
AVX
V
CC2
注意：元件号C10，C11 ，C12， C14和C15被有意省略。
（测试电路元件牌号和值表中重复以供参考。 ）
MMA20312BVT1
4
RF设备数据
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QQ：2880707522 复制
