存档的飞思卡尔半导体公司。 2005年
摩托罗拉
半导体技术资料
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由MRF183 / D
射频MOSFET线
射频功率
场效应晶体管
N - 沟道增强 - 横向模式
MOSFET的
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划，以1.0 GHz的。这些器件的高增益和宽带性能
使它们非常适用于大型 - 信号，在28个共源放大器的应用
伏基站设备。
在945 MHz时， 28伏保证性能
输出功率 - 45瓦PEP
功率增益 - 11.5分贝
效率 - 33 ％
IMD =
-
28 dBc的
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号
阻抗参数
的S - 在高偏置电平参数表征
100 ％测试负载失配应力在所有相位角
5 ： 1 VSWR @ 28伏直流电， 945兆赫， 45瓦CW
MRF183R1
MRF183LSR1
1.0千兆赫， 45 W， 28 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
D
CASE 360B - 05 ，风格1
NI - 360
MRF183R1
存档的2005年
在磁带和卷轴。每R1后缀= 500单位
32毫米， 13英寸的卷轴。
G
S
CASE 360℃ - 05 ，风格1
NI - 360S
MRF183LSR1
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1兆欧）
栅 - 源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 70°C
减免上述70℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
65
65
±
20
5
86
0.67
- 65 + 200
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
最大
1.5
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 15
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
MRF183R1 MRF183LSR1
1
存档的2005年
存档的飞思卡尔半导体公司。 2005年
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 50
MADC ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 250 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A)
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 5 ADC）
动态特性
输入电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
82
38
4.5
-
-
-
pF
pF
pF
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
3
-
-
-
0.7
2
5
-
-
VDC
VDC
S
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
65
-
-
-
-
-
-
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
存档的2005年
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦特PEP ， F1 = 945.0 ， F2 = 945.1兆赫，我
DQ
= 250 mA）的
两个 - 音共源放大器功率增益
两个 - 音漏极效率
三阶互调失真
输入回波损耗
G
ps
η
IMD
IRL
11.5
33
-
9
13.5
38
- 32
14
-
-
- 28
-
dB
%
dBc的
dB
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦特PEP ， F1 = 930.0 ， F2 = 930.1兆赫，与F1 = 960.0 ， F2 = 960.1兆赫，我
DQ
= 250 mA）的
两个 - 音共源放大器功率增益
两个 - 音漏极效率
三阶互调失真
输入回波损耗
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 250毫安，
F = 945兆赫，电压驻波比5 ： 1 ，在所有相位角）
G
ps
η
IMD
IRL
Ψ
-
-
-
-
13
35
- 32
12
-
-
-
-
dB
%
dBc的
dB
在输出功率不降低
试验前后
MRF183R1 MRF183LSR1
2
摩托罗拉RF设备数据
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V
GG
R1
+
C1
R3
R2
B1
C2
C3
C4
L1
L2
B2
C13
C14
C15
+
V
DD
C16
RF
输入
Z1
C5
Z2
C6
Z3
Z4
C8
Z5
Z6
C7
DUT
C9
Z7
C10
Z8
Z9
Z10
C11
C12
Z11
RF
产量
B1
B2
C1
C2, C14
C3
C4, C13
C5, C12
C6, C11
C7, C8
C9, C10
C15
C16
L1, L2
R1
R2
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
10
F,
50 V电解电容
0.1
F
贴片电容
1000 pF的电容芯片
47 pF的贴片电容
47 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的电容微调
10 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
100 pF的电容芯片
250
F,
50 V电解电容
5圈， 24 AWG ， ID 0.059 “
120
,
1/4 W碳
18 kΩ的1/4 W碳
R3
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
板
4.7 MΩ ， 1/4 W碳
牛逼 - 线0.200 “× 0.080 ”
牛逼 - 线0.570 “× 0.120 ”
牛逼 - 线0.610 “× 0.320 ”
牛逼 - 线0.160 “× 0.320 ”× 0.620 “
圆锥线
牛逼 - 线0.650 “× 0.620 ”
牛逼 - 线0.020 “× 0.620 ”
牛逼 - 线0.270 “× 0.320 ”
牛逼 - 线0.130 “× 0.320 ”
牛逼 - 线0.370 “× 0.080 ”
牛逼 - 线1.050 “× 0.080 ”
牛逼 - 线0.290 “× 0.080 ”
0.030 “铁氟龙玻璃，
ε
r
= 2.55
ARLON - GX - 0300- 55 - 22
存档的2005年
图1. MRF183LSR1双音测试电路原理图
摩托罗拉RF设备数据
MRF183R1 MRF183LSR1
3
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