MM3Z2V0~MM3Z75
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
50
Tj=25
o
C
2V7
3V3
3V9
4V7
6V8
Iz
40
8V2
5V6
30
20
10
测试电流IZ
5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
Vz
7
8
9
10 V
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
30
10
12
Tj=25
o
C
Iz
15
20
18
22
27
33
10
测试电流IZ
5mA
0
0
10
20
Vz
30
40 V
300
功耗： P合计（MW ）
200
100
0
0
25
100
环境温度： TA（ C）
O
150
降额曲线
３
金隅
半导体
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Ｄ½½½：２０１１／０５
