MM3Z2V4 ... MM3Z100
表面贴装齐纳二极管
齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2004-06-22
齐纳二极管
功耗 - Verlustleistung
1.7
200毫瓦
2.4 ... 100 V
SOD-323
0.005 g
额定齐纳电压
Nominale齐纳Spannung
TYPE
CODE
0.3
1
1.25
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
2.5
±0.2
尺寸/集体单位为毫米
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
T
A
= 25°C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
T
j
T
S
R
THA
200毫瓦
1
)
– 50...+175°C
– 50...+175°C
＆ LT ; 300 K / W
1
)
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
1
齐纳二极管
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
1
)
齐纳Spanng 。
1
)
I
Z
=I
ZTEST
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
MM3Z2V4 ... MM3Z100
Grenzwerte
动态电阻温度。 Coeffiz 。
反向泄漏。
TEST
Inhr 。差异。
电流
当前
Z-电压
widerstand
Mestrom
... DER Z- spanng 。 Sperrstrom贝
I
ZTEST
[毫安] R
zj
[ Ω ] / 1kHz的我
Z
[马]
α
VZ
[10
-4
/ ° C]我
R
[ μA ] V
R
[V]
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
<100
<110
<120
<130
<130
<130
<130
<130
<130
<80
<50
<30
<30
<30
<30
<30
<30
<35
<35
<40
<40
<45
<50
<55
<60
<70
<80
<80
<90
<100
<130
<150
<180
<180
<200
<250
<300
<300
<700
<700
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
-9...-6
-9...-6
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-8…-5
-6…-3
-5…+2
-2…+2
-5…+5
+3…+6
+3…+7
+3…+7
+3…+8
+3…+9
+3…+10
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+5…+12
+5…+12
+5…+12
<120
<120
<50
<20
<10
<10
<10
<10
<5
<5
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<1
<1
<0.2
<0.2
<0.2
<0.2
<0.2
<0.2
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
57
63
69
76
MM3Z2V4
MM3Z2V7
MM3Z3V0
MM3Z3V3
MM3Z3V6
MM3Z3V9
MM3Z4V3
MM3Z4V7
MM3Z5V1
MM3Z5V6
MM3Z6V2
MM3Z6V8
MM3Z7V5
MM3Z8V2
MM3Z9V1
MM3Z10
MM3Z11
MM3Z12
MM3Z13
MM3Z15
MM3Z16
MM3Z18
MM3Z20
MM3Z22
MM3Z24
MM3Z27
MM3Z30
MM3Z33
MM3Z36
MM3Z39
MM3Z43
MM3Z47
MM3Z51
MM3Z56
MM3Z62
MM3Z68
MM3Z75
MM3Z82
MM3Z91
MM3Z100
1
)
测试了脉冲吨
p
= 20毫秒 - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 20毫秒
2
MM3Z2V0~MM3Z75
硅平面齐纳二极管
特点
总功耗：最大。 300毫瓦
适用于小塑料包
表面贴装设计
公差约为±5 ％
钉扎
针
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 323和符号
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
300
150
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
R
THA
V
F
马克斯。
0.3
0.9
单位
K / W
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
MM3Z2V0~MM3Z75
特点在T
a
= 25
O
C
TYPE
MM3Z2V0
MM3Z2V2
MM3Z2V4
MM3Z2V7
MM3Z3V0
MM3Z3V3
MM3Z3V6
MM3Z3V9
MM3Z4V3
MM3Z4V7
MM3Z5V1
MM3Z5V6
MM3Z6V2
MM3Z6V8
MM3Z7V5
MM3Z8V2
MM3Z9V1
MM3Z10
MM3Z11
MM3Z12
MM3Z13
MM3Z15
MM3Z16
MM3Z18
MM3Z20
MM3Z22
MM3Z24
MM3Z27
MM3Z30
MM3Z33
MM3Z36
MM3Z39
MM3Z43
MM3Z47
MM3Z51
MM3Z56
MM3Z62
MM3Z68
MM3Z75
1)
2)
记号
CODE
B0
C0
1C
1D
1E
1F
1H
1J
1K
1M
1N
1P
1R
1X
1Y
1Z
2A
2B
2C
2D
2E
2F
2H
2J
2K
2M
2N
2P
2R
2X
2Y
2Z
3A
3B
3C
3D
3E
3F
3H
齐纳电压范围
1)
V
ZNOM
V
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
l
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
为
V
ZT
V
1.8...2.15
2.08...2.33
2.28...2.56
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4...4.6
4.4...5
4.8...5.4
5.2...6
5.8...6.6
6.4...7.2
7...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
70...79
动态阻抗
2)
Z
ZT
（ MAX 。 ）
100
100
100
110
120
130
130
130
130
130
130
80
50
30
30
30
30
30
30
35
35
40
40
45
50
55
60
70
80
80
90
100
130
150
180
180
200
250
300
at
I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
反向漏电流
I
R
（ MAX 。 ）
μA
120
120
120
120
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2
2
2
1
1
0.2
0.2
0.2
at
V
R
V
0.5
0.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2.5
3
3.5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
57
V
Z
用脉冲（ 20毫秒）进行测试。
Z
ZT
的测量是在我
Z
由给定的一个非常小的交流电流信号。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
MM3Z2V0~MM3Z75
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
50
Tj=25
o
C
2V7
3V3
3V9
4V7
6V8
Iz
40
8V2
5V6
30
20
10
测试电流IZ
5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
Vz
7
8
9
10 V
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
30
10
12
Tj=25
o
C
Iz
15
20
18
22
27
33
10
测试电流IZ
5mA
0
0
10
20
Vz
30
40 V
300
功耗： P合计（MW ）
200
100
0
0
25
100
环境温度： TA（ C）
O
150
降额曲线
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
MM3Z2V0~MM3Z75
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-323
A
c
H
E
D
A
E
b
p
单位
mm
A
1.10
0.80
b
p
0.40
0.25
C
0.15
0.00
D
1.80
1.60
E
1.35
1.15
H
E
2.80
2.30
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
QQ：2881677436 复制
