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PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
SLTS223A - 2004年3月 - 修订2005年10月
15非隔离DDR / QDR
存储器总线终端模块
特点
V
TT
总线终端输出
（输出跟踪系统V
REF
)
15 A输出电流（ 12一12 - V输入）
3.3 V ， 5 V或12 V输入电压
DDR和QDR兼容
开/关锁（用于V
TT
待机）
欠压锁定
工作温度： -40 ° C至85°C
效率高达91％以上
输出过流保护
（非闩锁，自动复位）
62 W /中
3
功率密度
安全机构认证
UL / cUL60950 ， EN60950 ， VDE
点的负载联盟（ POLA ）兼容
公称尺寸
1.37英寸x 0.62
（ 34.8毫米× 15,75毫米）
描述
该PTHxx010Y是一系列德州仪器准备使用的开关稳压器模块设计
专为总线终端的DDR和QDR存储器应用。无论是从3.3 V ， 5 V或12 V工作
输入，所述模块产生为V
TT
输出将源出或吸入高达电流15 A（ 12一12 -V输入）
准确地跟踪其V
REF
输入。 V
TT
是所需的总线终端的电源电压，而V
REF
是基准
电压，内存和芯片组总线接收器比较。 V
REF
通常被设置为一半的V
DDQ
电源
电压。
无论是PTHxx010Y系列采用了主动切换同步整流输出，提供先进设备，最先进的
降压开关转换。该产品的体积小（1.37中
×
在0.62 ） ，并且是一个理想的选择在哪里
空间，性能，和高效率的需要，以及一个准备使用的模块的便利性。
操作功能包括开/关机禁止和输出过电流保护（源模式） 。开/关
抑制功能使得V
TT
总线被关闭，以节省电源在操作的待机模式。为了确保紧
负载调节，输出遥感也被提供。封装选项包括通孔和表面
安装配置。
标准应用
V在
V DDQ
1k
1%
1
10
9
8
7
V REF
V TT
CON
HF-陶瓷
1k
1%
2
3
PTHxx010Y
（ TOP VIEW ）
6
4
5
V TTTermination岛
CIN
（必选）
SSTL2
公共汽车
待机
GND
Q1
BSS138
（可选）
Co1
低ESR
（必选）
Co2
陶瓷的
（可选）
C
IN
=所需的电容; 470
F
(3.3
±
5 V输入） ， 560
F
（12V输入） 。
Co
1
=所需的低ESR的电容Electrolyitic ; 470
F
(3.3
±
5 V输入） ， 940
F
（12V输入） 。
Co
2
=陶瓷电容的最佳响应3 A（ ± 1.5 ）负载瞬态; 200
F
(3.3
±
5 V输入） ， 400
F
（12V输入） 。
Co
n
=分布式高频陶瓷去耦电容V
TT
公交车;作为推荐DDR存储器应用。
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