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PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
SLTS223A - 2004年3月 - 修订2005年10月
15非隔离DDR / QDR
存储器总线终端模块
特点
V
TT
总线终端输出
（输出跟踪系统V
REF
)
15 A输出电流（ 12一12 - V输入）
3.3 V ， 5 V或12 V输入电压
DDR和QDR兼容
开/关锁（用于V
TT
待机）
欠压锁定
工作温度： -40 ° C至85°C
效率高达91％以上
输出过流保护
（非闩锁，自动复位）
62 W /中
3
功率密度
安全机构认证
UL / cUL60950 ， EN60950 ， VDE
点的负载联盟（ POLA ）兼容
公称尺寸
1.37英寸x 0.62
（ 34.8毫米× 15,75毫米）
描述
该PTHxx010Y是一系列德州仪器准备使用的开关稳压器模块设计
专为总线终端的DDR和QDR存储器应用。无论是从3.3 V ， 5 V或12 V工作
输入，所述模块产生为V
TT
输出将源出或吸入高达电流15 A（ 12一12 -V输入）
准确地跟踪其V
REF
输入。 V
TT
是所需的总线终端的电源电压，而V
REF
是基准
电压，内存和芯片组总线接收器比较。 V
REF
通常被设置为一半的V
DDQ
电源
电压。
无论是PTHxx010Y系列采用了主动切换同步整流输出，提供先进设备，最先进的
降压开关转换。该产品的体积小（1.37中
×
在0.62 ） ，并且是一个理想的选择在哪里
空间，性能，和高效率的需要，以及一个准备使用的模块的便利性。
操作功能包括开/关机禁止和输出过电流保护（源模式） 。开/关
抑制功能使得V
TT
总线被关闭，以节省电源在操作的待机模式。为了确保紧
负载调节，输出遥感也被提供。封装选项包括通孔和表面
安装配置。
标准应用
V在
V DDQ
1k
1%
1
10
9
8
7
V REF
V TT
CON
HF-陶瓷
1k
1%
2
3
PTHxx010Y
（ TOP VIEW ）
6
4
5
V TTTermination岛
CIN
（必选）
SSTL2
公共汽车
待机
GND
Q1
BSS138
（可选）
Co1
低ESR
（必选）
Co2
陶瓷的
（可选）
C
IN
=所需的电容; 470
F
(3.3
±
5 V输入） ， 560
F
（12V输入） 。
Co
1
=所需的低ESR的电容Electrolyitic ; 470
F
(3.3
±
5 V输入） ， 940
F
（12V输入） 。
Co
2
=陶瓷电容的最佳响应3 A（ ± 1.5 ）负载瞬态; 200
F
(3.3
±
5 V输入） ， 400
F
（12V输入） 。
Co
n
=分布式高频陶瓷去耦电容V
TT
公交车;作为推荐DDR存储器应用。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
POLA是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004-2005 ，德州仪器
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
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订购信息
PTHXX010Y （基本型号）
输入电压
产品型号
(1)
描述
卧式T / H
标准SMD
可选SMD
卧式T / H
标准SMD
可选SMD
卧式T / H
标准SMD
可选SMD
铅 - 免费
RoHS指令
是的
No
是的
是的
No
是的
是的
No
是的
(3)
(4)
(3)
(3)
(4)
(3)
(3)
(4)
(3)
包装机械
(2)
PTH03010YAH
3.3 V
PTH03010YAS
PTH03010YAZ
PTH05010YAH
5V
PTH05010YAS
PTH05010YAZ
PTH12010YAH
12 V
PTH12010YAS
PTH12010YAZ
(1)
(2)
(3)
(4)
EUH
EUJ
EUJ
EUH
EUJ
EUJ
EUH
EUJ
EUJ
添加
T
结束零件号的磁带和卷轴只SMD封装。
参考尺寸和PCB布局的应用程序包的参考图。
铅（Pb ） - 免费
选项指定锡/银引脚焊接材料。
标准
选项指定63/37 ，锡/铅端子焊接材料。
环境和绝对最大额定值
电压是相对于GND
单位
V
REF
T
A
T
WAVE
T
回流
T
s
控制输入电压
工作温度
范围
波峰焊温度
焊锡溢流温度
储存温度
机械冲击
机械振动
重量
FL可燃性
(1)
(2)
符合UL 94V -O
每MIL - STD- 883D ，方法2002.3 1毫秒，半正弦波，安装
MIL-STD- 883D ，方法2007.2 20-2000赫兹
在V
IN
范围
模块体或销钉的表面温度
（5秒）
模块体或销钉的表面温度
PTHXX010YAH
PTHXX010YAS
PTHXX010YAZ
0.3 V到V
in
+03 V
-40 ° C至85°C
(1)
260°C
235°C
260°C
-40_C到125_C
500 G
20 G
3.7克
(2)
(2)
(2)
对于低于0°C的操作的外部电容器必须bave稳定的特点，使用低ESR的钽电容， OS-CON ，或陶瓷
电容。
在包版本的焊接，不提高内部组件峰值温度模块，销或上述规定的
最大。
2
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PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
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电气规格
T
A
= 25°C ;标称V
IN
; V
REF
= 1.25 V ;
IN
, C
O
1 ，和C
O
2 =典型值;我
O
= I
O
最大（除非另有说明）
参数
I
O
输出电流
过度
V
REF
范围
测试条件
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y
V
IN
V
REF
|V
TT
– V
REF
|
η
V
r
I
o
旅
t
tr
V
tr
输入电压范围
跟踪范围为V
REF
跟踪耐受V
REF
效率
V
o
纹波（峰峰值）
过流阈值
负载瞬态响应
过电压，负载和温度
PTH03010Y
I
o
= 10 A
20 MHz带宽
复位，然后自动恢复
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
15 A / μs的负载阶跃， -1.5 A到
1.5 A
恢复时间
V
O
过冲/下冲
PTH03010Y
V
IN
增加
UVLO
欠压锁定
V
IN
Dncreasing
禁止控制（引脚4 ）
输入高电压
禁止控制（引脚4 ）
输入低电压
禁止控制（引脚4 ）
输入低CURENT
输入待机电流
开关频率
外部输入电容
电容值： Nonceramic
C
O
1, C
O
2
外部输出电容
电容值：陶瓷
PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
V
IH
V
IL
I
IL
抑制
I
IN
INH
f
s
C
IN
2.0
3.4
8.8
V
IN
–0.5
参考GND
–0.2
130
10
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
4
(6)
6
250
200
470
(3)
560
(3)
470
(4)
940
(4)
200
(4)
400
(4)
8200
(5)
6600
(5)
300
600
300
250
350
300
PTH05010Y
PTH12010Y
在我
O
范围
PTH05010Y
PTH12010Y
2.95
4.5
10.8
0.55
–10
88%
88%
85%
20
27.5
20
30
30
2.45
4.3
9.5
2.40
3.7
9
开放
(2)
0.6
V
V
A
mA
千赫
F
F
F
m
10
6
HRS
V
40
2.8
4.45
10.4
V
mVpp的
A
微秒
mV
民
0
典型值
最大
±15
(1)
±12
(1)
3.65
5.5
13.2
1.8
10
V
mV
V
单位
A
连接到GND
抑制（引脚3 ）到GND
在V
IN
我
O
范围
当量。串联电阻（非陶瓷）
MTBF
可靠性
根据Bellcore TR- 332 50 ％的压力，T
A
= 40℃，地面良性
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
评级是有条件的模块被直接焊接到4层PCB与1盎司铜。看到SOA曲线或联系
工厂适当的降额。
这种控制引脚具有内部上拉至输入电压V
IN
。如果它被保持开路模块将操作时的输入功率是
应用。一个小的低漏电（ <100 NA）的MOSFET ，建议控制。欲了解更多信息，请参阅相关的应用
注。
输入电容是必需的正常运行。该电容的额定值必须最少最少500毫安有效值（ 750毫安的有效值
纹波电流的12V输入） 。
外部输出电容值的最小值确保V
TT
符合规定的瞬态性能要求
内存总线终端。较小的电容值可以是可能的，当
测
在输出电流峰值的变化是
一直小于4 A.
这是计算的最大值。最小的ESR限制往往会造成一个较低的值。咨询进一步的应用说明
指导意见。
这是了典型的ESR为所有电解质（非陶瓷）的输出电容。使用MAX- ESR值时，使用7毫欧的最低
来计算。
3
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
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终端功能
终奌站
名字
V
IN
GND
号
2
1, 7
描述
正输入电压电源节点到模块，它被引用到公共GND 。
这是对于V的公共接地连接
IN
和V
TT
电源连接。它也是0伏参考
为控制输入。
本模块检测到的电压，该输入端，以调节输出电压V
TT
。在V的电压
REF
还
基准电压对系统总线接收器比较器。它通常被设置为正好一半的总线
驱动器电源电压（V
DDQ
÷
2 ），使用一个电阻分压器。网络的戴维南阻抗驱动
V
REF
引脚应不超过500
.
看到典型的DDR应用电路的应用信息中
部分，以供参考。
这是从模块输出的稳压电源相对于所述接地节点，且跟踪
终端电源为应用程序的数据和地址总线。正是调节施加的电压
到模块的V
REF
后一个有效的输入源被施加到输入端，并且是活性的活性约20毫秒
模块。一旦被激活，将跟踪应用在V的电压
REF
.
感测输入允许调节电路，以补偿模块和之间的电压降
负载。为了获得最佳的电压精度V
o
感应连接到V
TT
.
的抑制销是相对GND的开路集电极/漏极负逻辑输入。应用低级别
地面信号，该输入关断输出电压，V
TT
。虽然该模块被禁止时，一个电压V
DDQ
将出现在输出端子，通过在DDR存储器供给。当禁止被激活时，输入
电流由稳压绘制的显著降低。如果禁止引脚保持开路时，模块将
每当产生一个有效的输入源施加的输出。看到典型的DDR应用电路中
参考应用信息部分。
无连接
10
9
8
V
REF
8
V
TT
6
V
o
SENSE
5
抑制
3
N / C
4, 9, 10
1
7
PTHXX010
（ TOP VIEW ）
2
3
4
5
6
4
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PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
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典型特征（V
REF
= 1.25 V )
(1) (2)
效率
vs
负载电流
10 0
V
IN
= 3.3 V
PD
功耗
W
90
输出纹波
mV
效率
%
50
40
30
20
10
0
V
IN
= 12 V
V
IN
= 3.3 V
V
IN
= 5 V
4
V
IN
= 12 V
60
输出纹波
vs
负载电流
5
功耗
vs
负载电流
80
V
IN
= 5 V
70
V
IN
= 12 V
3
2
V
IN
= 5 V
1
V
IN
= 3.3 V
60
50
0
3
6
9
12
I
L
负载电流
A
15
0
3
6
9
12
15
0
0
3
I
L
负载电流
A
6
9
2
I
L
负载电流
A
15
图1 。
PTH03010Y / PTH05010Y AT
标称V
IN
温度降额
与负载电流
90
80
70
60
50
40
30
20
纳特CINV
图2中。
PTH12010Y而已; V
IN
= 12 V
温度降额
与负载电流
90
80
TA
环境温度
5
C
70
60
50
40
30
20
0
纳特CONV
100 LFM
400 LFM
200 LFM
网络连接gure 3 。
TA
环境温度
5
C
100 LFM
200 LFM
400 LFM
V
IN
= 12 V
2
3
4
6
I
L
负载电流
A
8
10
0
3
6
9
12
15
I
L
负载电流
A
图4中。
(1)
(2)
图5中。
电气特性数据已经制定了从在25℃下测试的实际产品。该数据被认为是典型的
转换器。适用于
图1，图2 ，
和
网络连接gure 3 。
温度衰减曲线代表在其中的内部部件是在等于或低于制造商的最大条件
操作温度。降额限制适用于用1盎司直接焊接在一个4英寸×4英寸的双面印刷电路板的模块。铜。为
表面贴装封装（AS和AZ后缀） ，多个过孔（镀通孔）需要添加围绕功率热通路
销。请参阅机械规范的更多信息。适用于
图4中，
和
图5中。
5
嵌入式功率为
关键业务连续性
PTHxx010Y
3.3 / 5/12输入电压
单路输出
总功率：
＃输出端：
27W
单身
Rev.2.16.09_147
PTHxx010Y
1 5
特殊功能
VTT总线终端输出
（输出系统VREF ）
15 A的输出电流
3.3 ， 5或12伏直流输入
电压
DDR和QDR兼容
开/关锁（为VTT
待机）
欠压闭锁
工作温度
范围： -40°C至+85°C
效率高达91 ％
输出过流
保护（非自锁，
自动复位）
点的负载-联盟（ POLA ）
兼容
可用符合RoHS标准
2年保修
特定网络阳离子
输入
输入电压范围：
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
NO- LOAD
2.95 - 3.65 Vdc
4.5 - 5.5 Vdc
10.8 - 13.2 Vdc
10 mA
正逻辑
VIN增加
VIN下降
VIN增加
VIN下降
VIN增加
VIN下降
PTH03010Y & PTH05010Y
PTH12010Y
2.45 V typ., 2.80 V max.
2.20 V min., 2.40 V typ.
4.30 V typ., 4.45 V max.
3.40 V min., 3.70 V typ.
9.5 V typ., 10.4 V max.
8.80 V min., 9.0 V typ.
470 F
560 F
输入电流：
遥控开/关：
欠压闭锁：
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
输入电容：
(See Note 3)
所有规格都是典型的标称输入，V
REF
= 1.25 V, full load at 25C unless otherwise stated.
CIN
, Co1
和C
o2
=典型值
安全
UL / CUL CAN / CSA- C22.2
No. 60950, File No. E174104
TV产品服务
(EN60950) Certificate No.
B 04 06 38572 044
CB报告及证书
IEC60950, Certificate No.
US/8292/UL
嵌入式功率为
关键业务连续性
Rev.2.16.09_147
PTHxx010Y
2 5
产量
输出电流：
（在V
REF
范围）
V
(See Note 1)
跟踪范围V
REF
:
跟踪tolderance
to
V
REF
(V
TT
- V
REF
)
（线路，负载温度& ）
纹波和噪声：
负载瞬态响应：
(See Note 4)
输出电容：
非陶瓷的值
(See Notes 4 & 5)
陶瓷值
(See Note 4)
(See Note 6)
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
ESR（非陶瓷）
470 μF （典型值） ， 8200 μF最大。
F typ., 8,200 F max.
470 μF （典型值） ， 8200 μF最大。
F typ., 8,200 F max.
940 μF （典型值） ， 6600 μF最大。
F typ., 6,600 F max.
200 μF （典型值） ， 300 μF最大。
F typ., 300 F max.
200 μF （典型值） ， 300 μF最大。
F typ., 300 F max.
400 μF （典型值） ， 600 μF最大。
F typ., 600 F max.
4 mΩ min.
20 MHz bandwidth
PTH03010Y and PTH05010Y
PTH12010Y
±15 A
± 12 A
0.55 - 1.8 Vdc
-10 mV to + 10 mV
20 mV pk-pk
30 μs的建立时间
s
Overshoot/undershoot 30 mV typ.
一般规格
效率：
lo = 10 A
绝缘电压：
开关频率：
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
88% typ.
88% typ.
85% typ.
非隔离
300 - 400 kHz
300 - 400 kHz
200 - 300 kHz
EN60950
UL/cUL60950
UL94V-0
（长x宽x高）
34.80 x 15.75 x 9.00 mm
1.370 x 0.620 x 0.354 in
3.7 g (0.13 oz)
Telcordia SR-332
工作环境，
温度
非工作
JEDEC J-STD-020C
PTH03010Y and PTH05010Y
PTH12010Y
6,000,000 hours
-40 ° C至+85°C
-40 ° C至+125°C
Level 3
27.5 A typ.
20.0 A typ.
认证和标准（待定） ：
材料可燃性：
尺寸：
重量：
MTBF
环境规格
热性能：
(See Note 2)
MSL （ 'Z'只有后缀） ：
保护
过流阈值（自动复位） ：
嵌入式功率为
关键业务连续性
Rev.2.16.09_147
PTHxx010Y
？ 5
订购信息
输出功率
（最大）
27 W
27 W
21.6 W
输入
电压
2.95 - 3.65 Vdc
4.5 - 5.5 Vdc
10.8 - 13.2 Vdc
VTT
范围
0.55 - 1.8 Vdc
0.55 - 1.8 Vdc
0.55 - 1.8 Vdc
输出电流
民
0 A
0 A
0 A
最大
±15 A
±15 A
±12 A
效率
（最大）
88%
88%
85%
型号
(8, 9)
奥德尔号
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
与选项编号系统
PTH05010YAST
产品系列
负载联盟点
兼容
输入电压
03 = 3.3 V, 05 = 5 V
and 12 = 12 V
输出电流
01 = 15 A
包装机械
Always 0
封装选项
没有后缀=盘
T =卷带式
(7)
安装选项
(8)
D =横向通孔（雾锡）
H =横向通孔（锡/铅）
S =表面贴装（ 63/37锡/铅
引脚焊锡材料）
Z =表面贴装（ 96.5 / 3.0 / 0.5锡/银/铜
引脚焊锡材料）
管脚选项
A = Through-Hole Std. Pin Length (0.140”)
A =表面贴装锡/铅焊料球
输出电压编码
Y = DDR模块
笔记
1评级是有条件的，该模块被焊接到4层PCB板
with 1 oz. copper. See the SOA curves or contact the factory for
适当的降额。
2这种控制引脚具有内部上拉至输入电压Vin 。如果
它被保持开路模块将操作时的输入功率是
applied. A small low-leakage (<100 nA) MOSFET is recommended for
control. For further information, consult Application Note 177.
3输入电容是必需的正常运行。电容器
must be rated for a minimum of 800 mA rms of ripple current.
4
外部输出电容值典型值保证
VTT符合规定的瞬态性能要求
内存总线终端。较小的电容值可能
是可能的，当在输出电流的测得的峰值的变化是
consistently less than 3 A. Test conditions were 15 A/s load step,
-1.5 A to +1.5 A.
5 ，这是所计算出的最大值。最小ESR的限制会
often result in a lower value. Consult Application Note 177 for
进一步的细节。
6 ，这是典型的ESR为所有电解质（非陶瓷）输出
capacitance. Use 7 mΩ as the minimum when using max-ESR
值来计算。
7磁带和卷轴包装仅适用于表面贴装
的版本。
8
如需订购无铅（符合RoHS标准）表面贴装部件更换
the mounting option ‘S’ with ‘Z’, e.g. PTHXX010YAZ. To order Pb-
免费（符合RoHS标准）通孔零件更换安装
option ‘H’ with ‘D’, e.g. PTHXX010YAD.
9注意：有些机型不支持的所有选项。请联系
您当地的艾默生网络能源的代表，或使用在线
型号搜索工具http://www.PowerConversion.com到
找到一个合适的选择。
嵌入式功率为
关键业务连续性
PTHxx010Y Characteristic Data
Rev.2.16.09_147
PTHxx010Y
4 5
16
14
输出电流（A ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
纳特CONV
100 LFM
200 LFM
输出电流（A ）
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
纳特CONV
100 LFM
200 LFM
环境温度（ ℃）
图1 - 安全工作区
VIN = 3.3 V ，V
REF
= 1.25 V ， IOUT = 15 A（见注一）
环境温度（ ℃）
图2 - 安全工作区
VIN = 12 V ，V
REF
= 1.25 V ， IOUT = 12 A（见注一）
V
in
100
90
VIN
V
DDQ
1k
1%
10 9
8
VREF
1
7
V
TT
效率（％）
80
70
60
50
0
3
6
9
12
15
3.3V
5.0V
12.0V
1k
1%
PTHxx010Y
（ TOP VIEW ）
2
3
4
5
6
Co
n
HF-陶瓷
C
in
（必选）
V
TT
终止岛
+
Co
1
+
Co
2
低ESR
（必填）陶瓷
（可选）
待机
GND
Q
1
BSS138
（可选）
SSTL-2
数据/
地址/
公共汽车
输出电流（A ）
图3 - 效率与负载电流
V
REF
= 1.25 V （见注B）
图4 - 标准应用
笔记
一个SOA曲线代表的条件，在其内部组件内
艾默生网络能源降额准则。
B
Characteristic data has been developed from actual products tested at 25 °C.
该数据被认为是典型的数据转换器。
嵌入式功率为
关键业务连续性
机械制图
1.370 (34.80)
0.125 (3.18)
0.125 (3.18)
0.375
(9.52)
1
10
9
8
0.060
(1.52)
7
0.620
0.500 (15.75)
(12.70)
0.070 (1.78)
（防区肩）
最低的组件
0.010分。 （0.25）
底侧隙
美洲
0.140
(3.55)
Rev.2.16.09_147
PTHxx010Y
5
0.060
(1.52)
0.625 (15.88)
0.040
(1.02)
5个地方
5810 Van Allen Way
Carlsbad, CA 92008
美国
电话： +1 760 930 4600
传真： +1 760 930 0698
欧洲（英国）
2
3
4
5
顶视图
6
滨水商务园
梅里山，达德利
West Midlands, DY5 1LX
英国
电话： +44 （ 0 ） 1384 842 211
传真： +44 （ 0 ） 1384 843 355
亚洲（香港）
主板
0.354 (9.00)
马克斯。
SIDE VIEW
尺寸以英寸（毫米）
公差（除非另有说明）
2地方± 0.030 （ ± 0.76 ）
3处± 0.010 （ ± 0.25 ）
14/F, Lu Plaza
2 Wing Yip Street
观塘，九龙
香港
电话号码： +852 2176 3333
传真号码： +852 2176 3888
图5 - 镀通孔
对于全球各地的联系信息，请访问：
www.PowerConversion.com
techsupport.embeddedpower
@ emerson.com
1.370 (34.80)
0.125 (3.18)
0.125 (3.18)
0.375
(9.52)
1
10
9
8
0.060
(1.52)
7
0.500 0.620
(12.70) (15.75)
0.354 (9.00)
最大*
*回流焊后
客户板
0.060
(1.52)
0.625 (15.88)
虽然一切预防措施已采取措施确保
准确性和完整性，在这个文献中，爱默生
网络能源不承担任何责任，并拒绝
对于因使用此造成的损失不承担任何责任
信息或对任何错误或遗漏承担责任。
锡球
0.040 (1.02)
10个名额
最低的组件
0.010分。 （0.25）
底侧隙
艾默生网络能源。
在实现全球领导者
关键业务的连续性。
电源
连接
直流电源
嵌入式计算
嵌入式电源
监测
外部设备
电源开关控制&
2
3
4
5
顶视图
6
SIDE VIEW
主板
尺寸以英寸（毫米）
公差（除非另有说明）
2地方± 0.030 （ ± 0.76 ）
3处± 0.010 （ ± 0.25 ）
图6 - 表面贴装
引脚连接
引脚号
Pin 1
Pin 2
Pin 3
引脚4
Pin 5
引脚连接续。
引脚号
Pin 6
Pin 7
引脚8
Pin 9
Pin 10
*表示负逻辑：
打开=正常运行
地面=功能活跃
精密空调
机架&集成机柜
服务
浪涌保护
EmersonNetworkPower.com
艾默生网络能源和艾默生
网络能源标识是商标，
艾默生电气公司的服务商标
2008 Emerson Electric Co.
功能
地
VIN
抑制*
N / C
VO感
功能
VTT
地
VREF
N / C
N / C
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PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
SLTS223A - 2004年3月 - 修订2005年10月
15非隔离DDR / QDR
存储器总线终端模块
特点
V
TT
总线终端输出
（输出跟踪系统V
REF
)
15 A输出电流（ 12一12 - V输入）
3.3 V ， 5 V或12 V输入电压
DDR和QDR兼容
开/关锁（用于V
TT
待机）
欠压锁定
工作温度： -40 ° C至85°C
效率高达91％以上
输出过流保护
（非闩锁，自动复位）
62 W /中
3
功率密度
安全机构认证
UL / cUL60950 ， EN60950 ， VDE
点的负载联盟（ POLA ）兼容
公称尺寸
1.37英寸x 0.62
（ 34.8毫米× 15,75毫米）
描述
该PTHxx010Y是一系列德州仪器准备使用的开关稳压器模块设计
专为总线终端的DDR和QDR存储器应用。无论是从3.3 V ， 5 V或12 V工作
输入，所述模块产生为V
TT
输出将源出或吸入高达电流15 A（ 12一12 -V输入）
准确地跟踪其V
REF
输入。 V
TT
是所需的总线终端的电源电压，而V
REF
是基准
电压，内存和芯片组总线接收器比较。 V
REF
通常被设置为一半的V
DDQ
电源
电压。
无论是PTHxx010Y系列采用了主动切换同步整流输出，提供先进设备，最先进的
降压开关转换。该产品的体积小（1.37中
×
在0.62 ） ，并且是一个理想的选择在哪里
空间，性能，和高效率的需要，以及一个准备使用的模块的便利性。
操作功能包括开/关机禁止和输出过电流保护（源模式） 。开/关
抑制功能使得V
TT
总线被关闭，以节省电源在操作的待机模式。为了确保紧
负载调节，输出遥感也被提供。封装选项包括通孔和表面
安装配置。
标准应用
V在
V DDQ
1k
1%
1
10
9
8
7
V REF
V TT
CON
HF-陶瓷
1k
1%
2
3
PTHxx010Y
（ TOP VIEW ）
6
4
5
V TTTermination岛
CIN
（必选）
SSTL2
公共汽车
待机
GND
Q1
BSS138
（可选）
Co1
低ESR
（必选）
Co2
陶瓷的
（可选）
C
IN
=所需的电容; 470
F
(3.3
±
5 V输入） ， 560
F
（12V输入） 。
Co
1
=所需的低ESR的电容Electrolyitic ; 470
F
(3.3
±
5 V输入） ， 940
F
（12V输入） 。
Co
2
=陶瓷电容的最佳响应3 A（ ± 1.5 ）负载瞬态; 200
F
(3.3
±
5 V输入） ， 400
F
（12V输入） 。
Co
n
=分布式高频陶瓷去耦电容V
TT
公交车;作为推荐DDR存储器应用。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
POLA是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004-2005 ，德州仪器
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
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订购信息
PTHXX010Y （基本型号）
输入电压
产品型号
(1)
描述
卧式T / H
标准SMD
可选SMD
卧式T / H
标准SMD
可选SMD
卧式T / H
标准SMD
可选SMD
铅 - 免费
RoHS指令
是的
No
是的
是的
No
是的
是的
No
是的
(3)
(4)
(3)
(3)
(4)
(3)
(3)
(4)
(3)
包装机械
(2)
PTH03010YAH
3.3 V
PTH03010YAS
PTH03010YAZ
PTH05010YAH
5V
PTH05010YAS
PTH05010YAZ
PTH12010YAH
12 V
PTH12010YAS
PTH12010YAZ
(1)
(2)
(3)
(4)
EUH
EUJ
EUJ
EUH
EUJ
EUJ
EUH
EUJ
EUJ
添加
T
结束零件号的磁带和卷轴只SMD封装。
参考尺寸和PCB布局的应用程序包的参考图。
铅（Pb ） - 免费
选项指定锡/银引脚焊接材料。
标准
选项指定63/37 ，锡/铅端子焊接材料。
环境和绝对最大额定值
电压是相对于GND
单位
V
REF
T
A
T
WAVE
T
回流
T
s
控制输入电压
工作温度
范围
波峰焊温度
焊锡溢流温度
储存温度
机械冲击
机械振动
重量
FL可燃性
(1)
(2)
符合UL 94V -O
每MIL - STD- 883D ，方法2002.3 1毫秒，半正弦波，安装
MIL-STD- 883D ，方法2007.2 20-2000赫兹
在V
IN
范围
模块体或销钉的表面温度
（5秒）
模块体或销钉的表面温度
PTHXX010YAH
PTHXX010YAS
PTHXX010YAZ
0.3 V到V
in
+03 V
-40 ° C至85°C
(1)
260°C
235°C
260°C
-40_C到125_C
500 G
20 G
3.7克
(2)
(2)
(2)
对于低于0°C的操作的外部电容器必须bave稳定的特点，使用低ESR的钽电容， OS-CON ，或陶瓷
电容。
在包版本的焊接，不提高内部组件峰值温度模块，销或上述规定的
最大。
2
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PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
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电气规格
T
A
= 25°C ;标称V
IN
; V
REF
= 1.25 V ;
IN
, C
O
1 ，和C
O
2 =典型值;我
O
= I
O
最大（除非另有说明）
参数
I
O
输出电流
过度
V
REF
范围
测试条件
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y
V
IN
V
REF
|V
TT
– V
REF
|
η
V
r
I
o
旅
t
tr
V
tr
输入电压范围
跟踪范围为V
REF
跟踪耐受V
REF
效率
V
o
纹波（峰峰值）
过流阈值
负载瞬态响应
过电压，负载和温度
PTH03010Y
I
o
= 10 A
20 MHz带宽
复位，然后自动恢复
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
15 A / μs的负载阶跃， -1.5 A到
1.5 A
恢复时间
V
O
过冲/下冲
PTH03010Y
V
IN
增加
UVLO
欠压锁定
V
IN
Dncreasing
禁止控制（引脚4 ）
输入高电压
禁止控制（引脚4 ）
输入低电压
禁止控制（引脚4 ）
输入低CURENT
输入待机电流
开关频率
外部输入电容
电容值： Nonceramic
C
O
1, C
O
2
外部输出电容
电容值：陶瓷
PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
V
IH
V
IL
I
IL
抑制
I
IN
INH
f
s
C
IN
2.0
3.4
8.8
V
IN
–0.5
参考GND
–0.2
130
10
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
PTH03010Y/PTH05010Y
PTH12010Y
4
(6)
6
250
200
470
(3)
560
(3)
470
(4)
940
(4)
200
(4)
400
(4)
8200
(5)
6600
(5)
300
600
300
250
350
300
PTH05010Y
PTH12010Y
在我
O
范围
PTH05010Y
PTH12010Y
2.95
4.5
10.8
0.55
–10
88%
88%
85%
20
27.5
20
30
30
2.45
4.3
9.5
2.40
3.7
9
开放
(2)
0.6
V
V
A
mA
千赫
F
F
F
m
10
6
HRS
V
40
2.8
4.45
10.4
V
mVpp的
A
微秒
mV
民
0
典型值
最大
±15
(1)
±12
(1)
3.65
5.5
13.2
1.8
10
V
mV
V
单位
A
连接到GND
抑制（引脚3 ）到GND
在V
IN
我
O
范围
当量。串联电阻（非陶瓷）
MTBF
可靠性
根据Bellcore TR- 332 50 ％的压力，T
A
= 40℃，地面良性
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
评级是有条件的模块被直接焊接到4层PCB与1盎司铜。看到SOA曲线或联系
工厂适当的降额。
这种控制引脚具有内部上拉至输入电压V
IN
。如果它被保持开路模块将操作时的输入功率是
应用。一个小的低漏电（ <100 NA）的MOSFET ，建议控制。欲了解更多信息，请参阅相关的应用
注。
输入电容是必需的正常运行。该电容的额定值必须最少最少500毫安有效值（ 750毫安的有效值
纹波电流的12V输入） 。
外部输出电容值的最小值确保V
TT
符合规定的瞬态性能要求
内存总线终端。较小的电容值可以是可能的，当
测
在输出电流峰值的变化是
一直小于4 A.
这是计算的最大值。最小的ESR限制往往会造成一个较低的值。咨询进一步的应用说明
指导意见。
这是了典型的ESR为所有电解质（非陶瓷）的输出电容。使用MAX- ESR值时，使用7毫欧的最低
来计算。
3
PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
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终端功能
终奌站
名字
V
IN
GND
号
2
1, 7
描述
正输入电压电源节点到模块，它被引用到公共GND 。
这是对于V的公共接地连接
IN
和V
TT
电源连接。它也是0伏参考
为控制输入。
本模块检测到的电压，该输入端，以调节输出电压V
TT
。在V的电压
REF
还
基准电压对系统总线接收器比较器。它通常被设置为正好一半的总线
驱动器电源电压（V
DDQ
÷
2 ），使用一个电阻分压器。网络的戴维南阻抗驱动
V
REF
引脚应不超过500
.
看到典型的DDR应用电路的应用信息中
部分，以供参考。
这是从模块输出的稳压电源相对于所述接地节点，且跟踪
终端电源为应用程序的数据和地址总线。正是调节施加的电压
到模块的V
REF
后一个有效的输入源被施加到输入端，并且是活性的活性约20毫秒
模块。一旦被激活，将跟踪应用在V的电压
REF
.
感测输入允许调节电路，以补偿模块和之间的电压降
负载。为了获得最佳的电压精度V
o
感应连接到V
TT
.
的抑制销是相对GND的开路集电极/漏极负逻辑输入。应用低级别
地面信号，该输入关断输出电压，V
TT
。虽然该模块被禁止时，一个电压V
DDQ
将出现在输出端子，通过在DDR存储器供给。当禁止被激活时，输入
电流由稳压绘制的显著降低。如果禁止引脚保持开路时，模块将
每当产生一个有效的输入源施加的输出。看到典型的DDR应用电路中
参考应用信息部分。
无连接
10
9
8
V
REF
8
V
TT
6
V
o
SENSE
5
抑制
3
N / C
4, 9, 10
1
7
PTHXX010
（ TOP VIEW ）
2
3
4
5
6
4
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PTH03010Y
PTH05010Y
PTH12010Y
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典型特征（V
REF
= 1.25 V )
(1) (2)
效率
vs
负载电流
10 0
V
IN
= 3.3 V
PD
功耗
W
90
输出纹波
mV
效率
%
50
40
30
20
10
0
V
IN
= 12 V
V
IN
= 3.3 V
V
IN
= 5 V
4
V
IN
= 12 V
60
输出纹波
vs
负载电流
5
功耗
vs
负载电流
80
V
IN
= 5 V
70
V
IN
= 12 V
3
2
V
IN
= 5 V
1
V
IN
= 3.3 V
60
50
0
3
6
9
12
I
L
负载电流
A
15
0
3
6
9
12
15
0
0
3
I
L
负载电流
A
6
9
2
I
L
负载电流
A
15
图1 。
PTH03010Y / PTH05010Y AT
标称V
IN
温度降额
与负载电流
90
80
70
60
50
40
30
20
纳特CINV
图2中。
PTH12010Y而已; V
IN
= 12 V
温度降额
与负载电流
90
80
TA
环境温度
5
C
70
60
50
40
30
20
0
纳特CONV
100 LFM
400 LFM
200 LFM
网络连接gure 3 。
TA
环境温度
5
C
100 LFM
200 LFM
400 LFM
V
IN
= 12 V
2
3
4
6
I
L
负载电流
A
8
10
0
3
6
9
12
15
I
L
负载电流
A
图4中。
(1)
(2)
图5中。
电气特性数据已经制定了从在25℃下测试的实际产品。该数据被认为是典型的
转换器。适用于
图1，图2 ，
和
网络连接gure 3 。
温度衰减曲线代表在其中的内部部件是在等于或低于制造商的最大条件
操作温度。降额限制适用于用1盎司直接焊接在一个4英寸×4英寸的双面印刷电路板的模块。铜。为
表面贴装封装（AS和AZ后缀） ，多个过孔（镀通孔）需要添加围绕功率热通路
销。请参阅机械规范的更多信息。适用于
图4中，
和
图5中。
5
QQ：2880707522 复制
