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外围工作要求和行为
表21. NVM可靠性指标（续）
符号
描述
分钟。
数据闪存
t
nvmretd10k
t
nvmretd1k
n
nvmcycd
数据保留经过长达10千次
数据保留后1 k个圈
自行车耐力
5
20
10 K
包括FlexRAM的EEPROM
t
nvmretee100
数据保留最多的写入寿命为100 ％
t
nvmretee10
数据保持长达擦写次数的10％
读写次数
n
nvmwree16
n
nvmwree128
n
nvmwree512
n
nvmwree4k
n
nvmwree8k
EEPROM备份包括FlexRAM比= 16
EEPROM备份包括FlexRAM比率= 128
EEPROM备份包括FlexRAM比率= 512
EEPROM备份包括FlexRAM比= 4096
EEPROM备份包括FlexRAM比= 8192
35 K
315 K
1.27 M
10 M
20 M
175 K
1.6 M
6.4 M
50 M
100 M
—
—
—
—
—
写到
写到
写到
写到
写到
5
20
50
100
—
—
岁月
岁月
3
50
100
50 K
—
—
—
岁月
岁月
周期
2
典型值。
1
马克斯。
单位
笔记
1.典型的数据保留值是根据测量的响应在高温加速和减额至一恒定
25°C时使用的配置文件。工程公告EB618并不适用于这种技术。在工程中定义的典型耐力
公告EB619 。
2.骑自行车耐力表示节目数量/擦除周期在-40 ° C≤牛逼
j
≤ 125°C.
3.写耐力表示写入到每个包括FlexRAM位置的在-40℃下≤Tj ≤ 125 ℃，数由循环的影响
耐力的FlexNVM （值相同的数据闪存）和每个子系统分配的EEPROM备份。最小和
典型值假设所有字节写入包括FlexRAM 。
6.4.1.5
写耐力包括FlexRAM的EEPROM
当FlexNVM给分区的代码没有被设置为完整的数据闪存， EEPROM中的数据集的大小
可以被设置为任何数的非零值。
不经由FlexNVM给分区的代码分配给数据闪存中的字节被用于由
FTFL获得有效增加耐力的EEPROM数据。内置
EEPROM备案管理系统提出了程序的数量/擦除周期，可以
先于设备耗损实现通过一个较大的循环EEPROM数据
EEPROM的非易失性存储器的存储空间。
而可用的FlexNVM给不同分区，其意图是，单个
为FlexNVM给分区代码和EEPROM数据集大小的选择使用整个
一个给定的应用程序的整个生命周期。 EEPROM的耐力方程和曲线图
下面示出假定是以往只使用一个配置。
Writes_subsystem =
EEPROM - 2 × EEESPLIT × EEESIZE
EEESPLIT × EEESIZE
× Write_efficiency ×n的
nvmcycd
哪里
K20次系列数据手册，第2版， 4/2012 。
34
飞思卡尔半导体公司
