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外围工作要求和行为
表19.闪存命令时序规范（续）
符号
t
pgmchk
t
rdrsrc
t
pgm4
描述
检查程序的执行时间
阅读资源的执行时间
节目长字的执行时间
擦除闪存块的执行时间
t
ersblk32k
t
ersblk256k
t
ersscr
32 KB数据闪存
256 KB闪存程序存储器
擦除闪存部门的执行时间
程序段的执行时间
t
pgmsec512p
t
pgmsec512d
t
pgmsec1kp
t
pgmsec1kd
t
rd1all
t
rdonce
t
pgmonce
t
ersall
t
vfykey
512 B程序闪存
512 B的数据闪存
1 KB的闪存程序存储器
1 KB数据闪存
阅读1全块的执行时间
读取一次执行时间
程序一旦执行时间
擦除整个块的执行时间
验证后门访问键执行时间
交换控制的执行时间
t
swapx01
t
swapx02
t
swapx04
t
swapx08
控制代码为0x01
控制码为0x02
控制代码0×04
控制代码0×08
程序分区用于EEPROM执行时间
t
pgmpart32k
32 KB的FlexNVM
设置包括FlexRAM函数的执行时间：
t
setramff
t
setram8k
t
setram32k
控制代码为0xFF
8 KB的EEPROM备份
32 KB的EEPROM备份
—
—
—
50
0.3
0.7
—
0.5
1.0
μs
ms
ms
—
70
—
ms
—
—
—
—
200
70
70
—
—
150
150
30
μs
μs
μs
μs
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.4
4.7
4.7
9.3
—
—
65
175
—
—
—
—
—
1.8
25
—
1500
30
ms
ms
ms
ms
ms
μs
μs
ms
μs
2
1
1
—
—
—
55
122
14
465
985
114
ms
ms
ms
2
分钟。
—
—
—
典型值。
—
—
65
马克斯。
45
30
145
单位
μs
μs
μs
2
笔记
1
1
字节写操作包括FlexRAM用于EEPROM的操作
t
eewr8bers
字节写入擦除包括FlexRAM位置执行
时间
—
175
260
μs
3
表继续下页...
K20次系列数据手册，第2版， 4/2012 。
32
飞思卡尔半导体公司
