INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
I
CEV
I
EBO
h
FE
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
收藏家outoput电容
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.15A
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
T
C
=100℃
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
T
C
=100℃
V
CEV
=850V; V
BE
=1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1.0kHz
7
民
450
MJE16004
典型值。
最大
单位
V
1.0
2.5
2.5
1.5
1.5
0.25
1.5
1.0
V
V
V
mA
mA
200
pF
开关时间阻性负载，职务Cycle≤2.0 ％ ，脉宽为30μs =
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
V
CC
= 250V ，我
C
=3A
I
B1
= 0.3A ;我
B2
=0.6A
贮存时间
下降时间
2.7
0.35
0.1
0.3
μs
μs
μs
μs
2
