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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1837页 > MJE16004
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·高电压,高转速
应用
开关稳压器
·高分辨率偏转电路
·逆变器
·马达驱动器
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
MJE16004
绝对最大额定值(T
C
=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
850
450
6
5
10
4
8
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.56
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
收藏家outoput电容
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.15A
I
C
= 3A ,我
B
=0.3A
T
C
=100
I
C
= 3A ,我
B
=0.3A
T
C
=100
V
CEV
=850V; V
BE
=1.5V
T
C
=100
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1.0kHz
7
450
MJE16004
符号
V
CEO ( SUS )
V
CE
(SAT)
-1
V
CE
(SAT)
-2
V
BE
(SAT)
I
CEV
I
EBO
h
FE
C
OB
典型值。
最大
单位
V
1.0
2.5
2.5
1.5
1.5
0.25
1.5
1.0
V
V
V
mA
mA
200
pF
开关时间阻性负载,占空比@ 2.0 % ,脉宽为30μs =
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
0.1
0.3
2.7
0.35
s
s
s
s
V
CC
= 250V ,我
C
=3A
I
B1
= 0.3A ;我
B2
=0.6A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
MJE16004
图2外形尺寸( unindicated公差: 0.10mm)的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
电压,高速
应用
切换
稳压器
分辨率偏转电路
·逆变器
Motor
驱动器
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
MJE16004
绝对最大额定值( TC = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
850
450
6
5
10
4
8
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
I
CEV
I
EBO
h
FE
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
收藏家outoput电容
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.15A
I
C
= 3A ,我
B
=0.3A
T
C
=100℃
I
C
= 3A ,我
B
=0.3A
T
C
=100℃
V
CEV
=850V; V
BE
=1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1.0kHz
7
450
MJE16004
典型值。
最大
单位
V
1.0
2.5
2.5
1.5
1.5
0.25
1.5
1.0
V
V
V
mA
mA
200
pF
开关时间阻性负载,职务Cycle≤2.0 % ,脉宽为30μs =
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
V
CC
= 250V ,我
C
=3A
I
B1
= 0.3A ;我
B2
=0.6A
贮存时间
下降时间
2.7
0.35
0.1
0.3
μs
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
MJE16004
图2外形尺寸( unindicated公差: 0.10mm)的
3
A
A
A
A
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJE16002 / D
设计师
SWITCHMODE系列
NPN硅功率晶体管
这些晶体管是专为高电压,高转速感应式的开关
电路中下降时间和RBSOA是至关重要的。它们特别适用于
行操作的开关模式应用。
该MJE16004是MJE16002和MJH16002为高增益版本
应用中的驱动电流受到限制。
典型应用:
开关稳压器
高分辨率偏转电路
逆变器
电机驱动
快速开关速度
50 ns的电感下降时间@ 75
_
C(典型值)
70 ns的交叉时间@ 75
_
C(典型值)
100
_
性能指定为:
反向偏置SOA
电感式开关时间
饱和电压
漏电流
数据表
MJE16002 *
MJE16004 *
*摩托罗拉的首选设备
5.0安培
NPN硅
功率晶体管
450伏
80瓦
CASE 221A -06
TO–220AB
最大额定值
等级
符号
价值
450
850
6.0
5.0
10
4.0
8.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
VCEO ( SUS)
VCEV
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
连续集电极电流 -
- 峰值( 1 )
基极电流 - 连续
- 峰值( 1 )
总功率耗散@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
减免上述TC = 25
_
C
80
32
0.64
W/
_
C
工作和存储结温范围
TJ , TSTG
- 65至+ 150
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
TL
最大
单位
热阻,结到外壳
1.56
275
_
C / W
_
C
无铅焊接温度的目的: 1/8“案件从5秒
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
v
10%.
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
设计师和开关模式是Motorola,Inc.的商标。
REV 2
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
MJE16002 MJE16004
( 1 )脉冲测试: PW = 300
s,
占空比
开关特性
动态特性
基本特征( 1 )
第二击穿
开关特性( 1 )
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
I
* βF = C
IB1
下降时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载(表1)
下降时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载(表1)
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 1.0千赫)
直流电流增益
( IC = 5.0 ADC , VCE = 5.0 V直流)
基射极饱和电压
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.4 ADC )
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.3 ADC )
( IC = 3.0 ADC , IS = 0.4 ADC , TC = 100
_
C)
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.3 ADC , TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 1.5 ADC , IB = 0.2 ADC )
( IC = 1.5 ADC , IB = 0.15 ADC )
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.4 ADC )
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.3 ADC )
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.4 ADC , TC = 100
_
C)
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.3 ADC , TC = 100
_
C)
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
( VEB = 6.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 850伏, RBE = 50
,
TC = 100
_
C)
收藏家Cuto FF电流
( VCEV = 850伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCEV = 850伏, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压(表2)
( IC = 100 mA时, IB = 0 )
2
( IC = 3.0 ADC ,
VCC = 250 VDC ,
IB1 = 0.3 ADC ,
PW = 30
s,
占空比
2.0%)
( IC = 3.0 ADC ,
VCC = 250 VDC ,
IB1 = 0.4 ADC ,
PW = 30
s,
占空比
2.0%)
v
v
特征
MJE16004/MJH16004
MJE16002/MJH10002
v
2%.
( VBE (关闭) = 5.0伏)
( IB2 = 0.6 ADC ,
RB2 = 8.0
)
( VBE (关闭) = 5.0伏)
( IB2 = 0.8 ADC ,
RB2 = 8.0
)
MJE16002
MJE16004
MJE16002
MJE16004
MJE16002
MJE16004
MJE16002
MJE16004
MJE16002
MJE16004
MJE16002
MJE16004
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
符号
RBSOA
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
IEBO
ICER
ICEV
COB
的hFE
是/ B
td
td
ts
ts
ts
ts
tr
tr
tf
tf
tf
tf
450
5.0
7.0
参见图17或18
1000
典型值
250
800
130
130
400
100
80
30
60
30
见图19
60
2700
3000
0.25
1.5
最大
350
300
100
300
300
100
200
1.5
1.5
1.5
1.5
1.0
1.0
2.5
2.5
2.5
2.5
1.0
2.5
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
( 1 )脉冲测试: PW = 300
s,
占空比
开关特性
(续)
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
I
* βF = C
IB1
交叉时间
下降时间
贮存时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
感性负载(如表2 )
交叉时间
下降时间
贮存时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
感性负载(如表2 )
0.05
0.1
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
的hFE , DC电流增益
60
50
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
7.0
5.0
5.0
VBE ,基极发射极电压(伏)
0.1
0.2
0.5
2.0
3.0
3.0
0.1
1.0
30
20
10
图3.集电极 - 发射极饱和区
0.2
0.2
VCE = 5.0 V
β
f = 10
TJ = 25°C
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流( AMPS )
图1.直流电流增益
IC ,集电极电流( AMPS )
0.5
( IC = 3.0 ADC ,
IB1 = 0.3 ADC ,
VBE (关闭) = 5.0伏,
VCE ( PK) = 400 VDC )
( IC = 3.0 ADC ,
IB1 = 0.4 ADC ,
VBE (关闭) = 5.0伏,
VCE ( PK) = 400 VDC )
β
f = 10
TJ = 100℃
特征
MJE16002
MJE16004
TJ = 100℃
1.0
– 55°C
25°C
v
2%.
2.0
β
f = 5
TJ = 25°C
5.0 7.0
5.0
( TJ = 150
_
C)
( TJ = 100
_
C)
( TJ = 150
_
C)
( TJ = 100
_
C)
10
10
0.2
0.5
0.7
0.7
1.5
0.3
0.1
0.5
1.0
0.3
2.0
1.0
2.0
3.0
0.1
0.03 0.05 0.07 0.1
符号
TJ = 25°C
TSV
TSV
TSV
TSV
tc
TFI
tc
TFI
tc
TFI
tc
TFI
图2.集电极饱和区
0.2
IC = 1
β
f = 5
TJ = 25°C
图4.基射极电压
IC ,集电极电流( AMPS )
0.5 0.7 1.0
0.2 0.3
IB ,基极电流( AMPS )
0.5
2A
MJE16002 MJE16004
1.0
典型值
100
450
400
160
120
600
120
100
500
110
90
80
3A
β
f = 10
TJ = 100℃
4A
2.0
1300
1600
最大
200
150
250
200
5A
5.0
2.0
单位
ns
ns
3
3.0
10
MJE16002 MJE16004
典型静态特性(续)
104
IC ,集电极电流(
A)
103
TJ = 150℃
102
101
100
10–1
– 0.4
125°C
100°C
75°C
反向
25°C
前锋
VCE = 250 VDC
+ 0.6
10
0.1
1.0
10
100
VR ,反向电压(伏)
850
C,电容(pF )
兴业银行
1000
10000
TJ = 25°C
100
COB
0
– 0.2
+ 0.2
+ 0.4
VBE ,基极发射极电压(伏)
图5.集电极截止区
图6.电容
典型的动态特性
10000
5000
吨SV ,存储时间(纳秒)
VBE (关闭) = 0 V
2000
VBE (关闭) = 2.0 V
1000
500
β
f = 5
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
1.0
3.0
2.0
IC ,集电极电流( AMPS )
5.0
VBE (关闭) = 5.0 V
吨SV ,存储时间(纳秒)
10000
5000
2000
VBE (关闭) = 0 V
1000
VBE (关闭) = 2.0 V
500
β
f = 10
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
VBE (关闭) = 5.0 V
200
100
0.5
200
100
0.5
3.0
1.0
2.0
IC ,集电极电流( AMPS )
5.0
图7.储存时间
图8.储存时间
1000
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
– 2.0 V
500
0V
200
100
50
β
f = 5
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
1.0
VBE (关闭) = 2.0 V
VBE (关闭) = - 5.0 V
– 5.0 V
VBE (关闭) = 0 V
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
1000
– 2.0 V
500
200
100
50
β
f = 10
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
1.0
VBE (关闭) = 2.0 V
VBE (关闭) = 5.0 V
2.0
3.0
5.0
VBE (关闭) = 0 V
0V
– 5.0 V
20
10
0.5
20
10
0.5
2.0
3.0
5.0
IC ,集电极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
图9.集电极电流下降时间
4
图10.集电极电流下降时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE16002 MJE16004
典型的动态特性(续)
1000
500
TC ,交叉时间(纳秒)
– 2.0 V
500
TC ,交叉时间(纳秒)
VBE (关闭) = 0 V
0V
100
50
β
f = 5
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
– 5.0 V
1000
– 2.0 V
VBE (关闭) = 0 V
200
0V
100
50
β
f = 10
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
1.0
VBE (关闭) = 2.0 V
VBE (关闭) = 5.0 V
2.0
3.0
5.0
– 5.0 V
200
20
10
0.5
VBE (关闭) = 2.0 V
VBE (关闭) = 5.0 V
20
10
0.5
1.0
2.0
3.0
IC ,集电极电流( AMPS )
5.0
IC ,集电极电流( AMPS )
图11.交叉时间
图12.交叉时间
典型电气特性
5.0
VCE ( PK)
90%的集成电路( pk)的
TFI
tc
10%的VCE( pk)的
90 % IB1
10%
IC PK
2 % IC
TTI
IB2 ,反向基极电流(安培)
IC PK
90%的VCE( pk)的
IC
TSV
TRV
4.0
IB1 = 0.3 A
3.0
IB1 = 0.6 A
VCE
IB
2.0
IC = 3.0阿
TJ = 25°C
1.0
0
时间
0
1.0
4.0
5.0
7.0
3.0
6.0
VBE (关闭) ,反向基极电压(伏)
2.0
8.0
图13.感应开关测量
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
图14.峰值反向基极电流
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
R
θJC
(吨)= R(T )R
θJC
R
θJC
= 156 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ ( PK) - TC = P ( PK )R
θJC
(t)
0.2
0.5
1
2
5
吨,时间( ms)的
10
20
50
P( PK)
t1
t2
单脉冲
0.02
0.05
0.1
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1k
图15.热响应( MJE16002和MJE16004 )
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MJE16002 / D
设计师
SWITCHMODE系列
NPN硅功率晶体管
这些晶体管是专为高电压,高转速感应式的开关
电路中下降时间和RBSOA是至关重要的。它们特别适用于
行操作的开关模式应用。
该MJE16004是MJE16002和MJH16002为高增益版本
应用中的驱动电流受到限制。
典型应用:
开关稳压器
高分辨率偏转电路
逆变器
电机驱动
快速开关速度
50 ns的电感下降时间@ 75
_
C(典型值)
70 ns的交叉时间@ 75
_
C(典型值)
100
_
性能指定为:
反向偏置SOA
电感式开关时间
饱和电压
漏电流
数据表
MJE16002 *
MJE16004 *
*摩托罗拉的首选设备
5.0安培
NPN硅
功率晶体管
450伏
80瓦
CASE 221A -06
TO–220AB
最大额定值
等级
符号
价值
450
850
6.0
5.0
10
4.0
8.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
VCEO ( SUS)
VCEV
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
连续集电极电流 -
- 峰值( 1 )
基极电流 - 连续
- 峰值( 1 )
总功率耗散@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
减免上述TC = 25
_
C
80
32
0.64
W/
_
C
工作和存储结温范围
TJ , TSTG
- 65至+ 150
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
TL
最大
单位
热阻,结到外壳
1.56
275
_
C / W
_
C
无铅焊接温度的目的: 1/8“案件从5秒
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
v
10%.
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
设计师和开关模式是Motorola,Inc.的商标。
REV 2
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
MJE16002 MJE16004
( 1 )脉冲测试: PW = 300
s,
占空比
开关特性
动态特性
基本特征( 1 )
第二击穿
开关特性( 1 )
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
I
* βF = C
IB1
下降时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载(表1)
下降时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载(表1)
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 1.0千赫)
直流电流增益
( IC = 5.0 ADC , VCE = 5.0 V直流)
基射极饱和电压
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.4 ADC )
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.3 ADC )
( IC = 3.0 ADC , IS = 0.4 ADC , TC = 100
_
C)
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.3 ADC , TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 1.5 ADC , IB = 0.2 ADC )
( IC = 1.5 ADC , IB = 0.15 ADC )
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.4 ADC )
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.3 ADC )
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.4 ADC , TC = 100
_
C)
( IC = 3.0 ADC , IB = 0.3 ADC , TC = 100
_
C)
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
( VEB = 6.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 850伏, RBE = 50
,
TC = 100
_
C)
收藏家Cuto FF电流
( VCEV = 850伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCEV = 850伏, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压(表2)
( IC = 100 mA时, IB = 0 )
2
( IC = 3.0 ADC ,
VCC = 250 VDC ,
IB1 = 0.3 ADC ,
PW = 30
s,
占空比
2.0%)
( IC = 3.0 ADC ,
VCC = 250 VDC ,
IB1 = 0.4 ADC ,
PW = 30
s,
占空比
2.0%)
v
v
特征
MJE16004/MJH16004
MJE16002/MJH10002
v
2%.
( VBE (关闭) = 5.0伏)
( IB2 = 0.6 ADC ,
RB2 = 8.0
)
( VBE (关闭) = 5.0伏)
( IB2 = 0.8 ADC ,
RB2 = 8.0
)
MJE16002
MJE16004
MJE16002
MJE16004
MJE16002
MJE16004
MJE16002
MJE16004
MJE16002
MJE16004
MJE16002
MJE16004
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
符号
RBSOA
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
IEBO
ICER
ICEV
COB
的hFE
是/ B
td
td
ts
ts
ts
ts
tr
tr
tf
tf
tf
tf
450
5.0
7.0
参见图17或18
1000
典型值
250
800
130
130
400
100
80
30
60
30
见图19
60
2700
3000
0.25
1.5
最大
350
300
100
300
300
100
200
1.5
1.5
1.5
1.5
1.0
1.0
2.5
2.5
2.5
2.5
1.0
2.5
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
( 1 )脉冲测试: PW = 300
s,
占空比
开关特性
(续)
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
I
* βF = C
IB1
交叉时间
下降时间
贮存时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
感性负载(如表2 )
交叉时间
下降时间
贮存时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
感性负载(如表2 )
0.05
0.1
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
的hFE , DC电流增益
60
50
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
7.0
5.0
5.0
VBE ,基极发射极电压(伏)
0.1
0.2
0.5
2.0
3.0
3.0
0.1
1.0
30
20
10
图3.集电极 - 发射极饱和区
0.2
0.2
VCE = 5.0 V
β
f = 10
TJ = 25°C
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流( AMPS )
图1.直流电流增益
IC ,集电极电流( AMPS )
0.5
( IC = 3.0 ADC ,
IB1 = 0.3 ADC ,
VBE (关闭) = 5.0伏,
VCE ( PK) = 400 VDC )
( IC = 3.0 ADC ,
IB1 = 0.4 ADC ,
VBE (关闭) = 5.0伏,
VCE ( PK) = 400 VDC )
β
f = 10
TJ = 100℃
特征
MJE16002
MJE16004
TJ = 100℃
1.0
– 55°C
25°C
v
2%.
2.0
β
f = 5
TJ = 25°C
5.0 7.0
5.0
( TJ = 150
_
C)
( TJ = 100
_
C)
( TJ = 150
_
C)
( TJ = 100
_
C)
10
10
0.2
0.5
0.7
0.7
1.5
0.3
0.1
0.5
1.0
0.3
2.0
1.0
2.0
3.0
0.1
0.03 0.05 0.07 0.1
符号
TJ = 25°C
TSV
TSV
TSV
TSV
tc
TFI
tc
TFI
tc
TFI
tc
TFI
图2.集电极饱和区
0.2
IC = 1
β
f = 5
TJ = 25°C
图4.基射极电压
IC ,集电极电流( AMPS )
0.5 0.7 1.0
0.2 0.3
IB ,基极电流( AMPS )
0.5
2A
MJE16002 MJE16004
1.0
典型值
100
450
400
160
120
600
120
100
500
110
90
80
3A
β
f = 10
TJ = 100℃
4A
2.0
1300
1600
最大
200
150
250
200
5A
5.0
2.0
单位
ns
ns
3
3.0
10
MJE16002 MJE16004
典型静态特性(续)
104
IC ,集电极电流(
A)
103
TJ = 150℃
102
101
100
10–1
– 0.4
125°C
100°C
75°C
反向
25°C
前锋
VCE = 250 VDC
+ 0.6
10
0.1
1.0
10
100
VR ,反向电压(伏)
850
C,电容(pF )
兴业银行
1000
10000
TJ = 25°C
100
COB
0
– 0.2
+ 0.2
+ 0.4
VBE ,基极发射极电压(伏)
图5.集电极截止区
图6.电容
典型的动态特性
10000
5000
吨SV ,存储时间(纳秒)
VBE (关闭) = 0 V
2000
VBE (关闭) = 2.0 V
1000
500
β
f = 5
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
1.0
3.0
2.0
IC ,集电极电流( AMPS )
5.0
VBE (关闭) = 5.0 V
吨SV ,存储时间(纳秒)
10000
5000
2000
VBE (关闭) = 0 V
1000
VBE (关闭) = 2.0 V
500
β
f = 10
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
VBE (关闭) = 5.0 V
200
100
0.5
200
100
0.5
3.0
1.0
2.0
IC ,集电极电流( AMPS )
5.0
图7.储存时间
图8.储存时间
1000
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
– 2.0 V
500
0V
200
100
50
β
f = 5
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
1.0
VBE (关闭) = 2.0 V
VBE (关闭) = - 5.0 V
– 5.0 V
VBE (关闭) = 0 V
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
1000
– 2.0 V
500
200
100
50
β
f = 10
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
1.0
VBE (关闭) = 2.0 V
VBE (关闭) = 5.0 V
2.0
3.0
5.0
VBE (关闭) = 0 V
0V
– 5.0 V
20
10
0.5
20
10
0.5
2.0
3.0
5.0
IC ,集电极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
图9.集电极电流下降时间
4
图10.集电极电流下降时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE16002 MJE16004
典型的动态特性(续)
1000
500
TC ,交叉时间(纳秒)
– 2.0 V
500
TC ,交叉时间(纳秒)
VBE (关闭) = 0 V
0V
100
50
β
f = 5
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
– 5.0 V
1000
– 2.0 V
VBE (关闭) = 0 V
200
0V
100
50
β
f = 10
TJ = 75℃
VCC = 20 V
0.7
1.0
VBE (关闭) = 2.0 V
VBE (关闭) = 5.0 V
2.0
3.0
5.0
– 5.0 V
200
20
10
0.5
VBE (关闭) = 2.0 V
VBE (关闭) = 5.0 V
20
10
0.5
1.0
2.0
3.0
IC ,集电极电流( AMPS )
5.0
IC ,集电极电流( AMPS )
图11.交叉时间
图12.交叉时间
典型电气特性
5.0
VCE ( PK)
90%的集成电路( pk)的
TFI
tc
10%的VCE( pk)的
90 % IB1
10%
IC PK
2 % IC
TTI
IB2 ,反向基极电流(安培)
IC PK
90%的VCE( pk)的
IC
TSV
TRV
4.0
IB1 = 0.3 A
3.0
IB1 = 0.6 A
VCE
IB
2.0
IC = 3.0阿
TJ = 25°C
1.0
0
时间
0
1.0
4.0
5.0
7.0
3.0
6.0
VBE (关闭) ,反向基极电压(伏)
2.0
8.0
图13.感应开关测量
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
图14.峰值反向基极电流
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
R
θJC
(吨)= R(T )R
θJC
R
θJC
= 156 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ ( PK) - TC = P ( PK )R
θJC
(t)
0.2
0.5
1
2
5
吨,时间( ms)的
10
20
50
P( PK)
t1
t2
单脉冲
0.02
0.05
0.1
占空比D = T1 / T2
100
200
500
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    -
    -
    -
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