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表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
II （最少）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 23
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 MADC ，测量功能测试）
第2阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2A
= 230 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2A
= 230 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4.1
0.1
2
3
5.5
0.3
2.7
—
7.1
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
4.1
1.9
3
5.5
2.7
—
7.1
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2,3,4)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安，
V
G2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦的魅力， F = 2025 MHz的单 - 载波W - 上CCDF CDMA ，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％的概率。 ACPR
在3.84 MHz信道带宽测量@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
1.
2.
3.
4.
G
ps
PAE
PAR
ACPR
28.5
32.0
8.0
—
30.5
34.7
8.7
- 37.4
33.0
—
—
- 34.0
dB
%
dB
dBc的
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
（续）
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
