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V
DS1A
RF
INA
支架
(2)
RF
out1
/V
DS2A
V
GS1A
V
GS2A
V
GS1B
V
GS2B
静态电流
温度补偿
(1)
静态电流
温度补偿
(1)
高峰
(2)
V
DS1A
V
GS2A
V
GS1A
RF
INA
NC
NC
NC
NC
RF
INB
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
out1
/V
DS2A
13
RF
out2
/V
DS2B
RF
INB
V
DS1B
RF
out2
/V
DS2B
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
2.峰值和载波方向由测试夹具的设计来确定。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
28
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
最终达赫迪应用
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C，P
OUT
= 50瓦CW
1A期， 28伏直流，我
DQ1A
= 30毫安
阶段1B ， 28伏直流电，我
DQ1B
= 30毫安
第二期甲， 28伏直流电，我
DQ2A
= 230毫安
第二期乙， 28伏直流电，V
G2B
= 1.4伏
外壳温度73 ° C，P
OUT
= 10瓦CW
1A期， 28伏直流，我
DQ1A
= 30毫安
阶段1B ， 28伏直流电，我
DQ1B
= 30毫安
第二期甲， 28伏直流电，我
DQ2A
= 230毫安
*第二期乙， 28伏直流电，V
G2B
= 1.4伏
R
θJC
8.2
6.1
1.8
1.4
8.3
3.6
1.9
*阶段2B被关闭
° C / W
符号
价值
(2,3)
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
