初步的技术数据

ADuC846

笔记

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温度范围ADuC844BS （ MQFP包）为-40 ° C至+ 125°C 。

温度范围ADuC844BCP （ CSP封装）为-40 ° C至+ 85°C 。

这些数字是不是生产测试，但对产能释放的设计和/或特性数据保证。

系统零电平校准可以消除这种误差。

4主ADC经过工厂校准，在25 ℃， AVDD = DVDD = 5 V ，得到了10这个满刻度误差

V.如果用户电源或温度

条件是显著不同于这些，内部满量程校准将恢复此错误10

五，系统零刻度和满量程

校准将完全删除此错误。

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增益误差漂移是一个跨度漂移。为了计算满刻度误差漂移，失调误差漂移添加到增益误差漂移倍的满量程输入。

辅助ADC是工厂在25℃校准AVDD = DVDD = 5 V屈服-2.5 LSB这个满量程误差。系统零刻度和满量程

校准将完全删除此错误。

DAC的线性度和AC规格采用以下公式计算：降低代码的48至4095 ， 0至VREF ，减少了100码范围为3950 ， 0 VDD 。

增益误差是DAC量程误差的指标。

一般来说，双极性输入电压范围，以主ADC由RangeADC = ± （VREF 2给出

RN

） / 125 ，其中：

VREF = REFIN （ + ）与REFIN （ - ）电压， VREF = 1.25 V时，内部的ADC VREF选择。

RN = RN2 ， RN1 ， RN0的十进制等效值

例如， VREF = 2.5 V和RN2 ， RN1 ， RN0 = 1 ， 1 ， 0 RangeADC = ± 1.28 V，在单极模式下，有效范围为0 V至1.28 V在我们的例子。

当内部VREF经XREF0和XREF1位选择中ADC0CON和ADC1CON ，分别为10 1.25 V被用作参考电压到ADC。

11在双极模式下，辅助ADC只能被驱动到最小AGND的 - 30 mV的由辅助ADC绝对AIN电压限制所指示的。该

双极性范围仍然是-VREF至+ VREF ;然而，负电压被限制在-30毫伏。

12 ADuC846BCP （ CSP封装）已获得认证，并与该CSP封装的浮动基地进行测试。

13引脚配置为SPI模式，配置引脚作为本次测试期间，数字输入。

配置I 14针

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只有C模式。

15 Flash / EE存储器可靠性特性同时适用于闪速/电擦除程序存储器和Flash / EE数据存储器。

16耐力有资格100 Kcycles按照JEDEC标准。 22方法A117和在-40℃下测得的， + 25 ℃， + 85 ℃， + 125 ℃。典型的耐力，在25℃

700 Kcycles 。

17保留期限相当于在结温（ TJ ） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于活化能保持期限

0.6EV将减免与结温。

18电源电流消耗是衡量正常，怠速，并在下述条件下掉电模式：

普通模式：复位= 0.4 V，数字I / O引脚=开路，核心的Clk通过CD位PLLCON改变，核心内部执行软件循环。

空闲模式：复位= 0.4 V，数字I / O引脚=开路，核心的Clk通过CD位PLLCON改变， PCON.0 = 1 ，核心执行悬浮在空闲模式。

掉电模式：复位= 0.4 V，所有的P0引脚和P1.2 - P1.7引脚= 0.4 V，其他所有的数字I / O引脚开路，核心的Clk通过CD位改变

PLLCON ， PCON.1 = 1 ，核心执行悬浮在掉电模式下， OSC通过OSC_PD位（ PLLCON.7 ）在PLLCON SFR打开或关闭。

在一个Flash / EE存储器中的程序19 DVDD电源电流通常会增加3毫安（ 3 V操作）和10均线（ 5 V工作电压）或擦除周期。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。 A蛋白

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