MCP4725
（一）写DAC寄存器： （ C2 ， C1 ， C0 ） = （ 0,1,0）或
（ B）写DAC寄存器和EEPROM ： （ C2 ， C1 ， C0 ） = （ 0,1,1 ）
确认
(MCP4725)
第一个字节（器件寻址）
1
1
0
0 A2 A1 A0
0
C2 C1 C0
停止位
确认
(MCP4725)
第3个字节
第4个字节
D3 D2 D1 D0 X X X X
第2个字节
X
X
PD1 PD0
X
D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4
器件代码地址位R / W
开始位
未使用
未使用
DAC寄存器数据（ 12位）
未使用
关断选择
写命令类型：
写DAC寄存器： （ C2 = 0 ， C1 = 1 ， C0 = 0 ）
写DAC寄存器和EEPROM （ C2 = 0 ， C1 = 1 ， C0 = 1） 。看
注1
设备更新V
OUT
后发出此ACK脉冲。
对于EEPROM写：
- 电荷泵在此ACK脉冲的下降沿启动EEPROM写序列。
- 在RDY / BSY位（销）变为“低”在此ACK脉冲的下降沿回后， “高” ，立即
EEPROM写完成。
重复第2字节数 - 第4个字节
确认
(MCP4725)
第2个字节
C2 C1 C0
X
X
PD1 PD0 X
确认
(MCP4725)
第3个字节
D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4
停止
位
第4个字节
D3 D2 D1 D0 X X X X
注1 ：
RDY / BSY位保持“低”的EEPROM写操作期间。任何新的写命令，包括在重复字节
EEPROM写入模式将被忽略。
在RDY / BSY位设置EEPROM写操作完成“高”之后。
图6-2：
写命令的DAC输入寄存器和EEPROM 。
2009年Microchip的科技公司
DS22039D第25页
