MCP4725
5.6
非易失性EEPROM存储器
MCP4725器件有一个14位宽的EEPROM
存储器来存储配置位（2位）和DAC
输入数据（12位） 。这些位是可重
写，我
2
C接口命令。该装置具有
一个片上电荷泵电路写入EEPROM中
无需使用外部程序存储器位
电压。
在启动EEPROM写操作时，
器件接收到EEPROM写命令（ C2 = 0 ，
C 1 = 1， C 0 = 1）。配置和写入数据位
被转移到EEPROM存储器块。一
状态位， RDY / BSY ，保持较低的EEPROM中
写作和变高的写操作
完成。而RDY / BSY位为低电平（在
EEPROM写入） ，任何新的写命令被忽略
（用于EEPROM或DAC寄存器） 。
表5-3
显示
EEPROM位和出厂默认设置。
表5-4
显示了MCP4725的DAC输入寄存器位。
表5-3：
位
名字
位
功能
工厂
默认
价值
注1 ：
2:
PD1
EEPROM存储器和出厂默认设置
（总位数： 14位）
PD0
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
掉电
SELECT
（2比特）
0
0
(1)
1
(2)
0
0
0
DAC输入数据（ 12位）
0
0
0
0
0
0
0
0
SEE
表5-2
了解详细信息。
位D11 = '1'（而所有其它位为“0”）使得设备能够输出0.5 * V
DD
（ =中等量程输出） 。
表5-4：
位
名字
位
功能
注1 ：
DAC寄存器
C2 C1 C0
命令
TYPE
RDY /
POR PD1 PD0 D11 D10 D9
BSY
(1)
电源 -
下
SELECT
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
数据（12位）
写EEPROM状态指示位（ 0 ： EEPROM写未完成1 ： EEPROM写操作完成。 ）
2009年Microchip的科技公司
DS22039D第21页
