3.4.1.1
DDR_TYPE = 00标准设定DDR I / O DC参数
由于从美国国际贸易委员会的命令， BGA封装生产线和部分数字表示这里目前没有
之前， 2010年9月从飞思卡尔在美国进口或销售： MCIMX253DVM4 ， MCIMX257DVM4 ， MCIMX253CVM4 ，
MCIMX257CVM4和MCIMX258CVM4 。
表13
显示了I / O参数为移动DDR 。这些设置是适合的mDDR和DDR2
1.8V （ ±5％）的应用程序。
表13.移动DDR I / O直流电气特性
DC电气特性
高电平输出电压
符号
VOH
测试条件
I
OH
= -1mA
I
OH
=指定
DRIVE
I
OL
= 1毫安
I
OL
=指定
DRIVE
VOH = 0.8
×
OVDDV
标准的驱动器
高驱动
马克斯。驱动器
卷= 0.2
×
OVDDV
标准的驱动器
高驱动
马克斯。驱动器
—
—
—
–100
VI = 0
VI = OVDD
VI = OVDD或0
VI = VDD或0
—
—
—
分钟。
OVDD - 0.08
0.8
×
OVDD
—
典型值。
—
马克斯。
—
单位
V
笔记
1
低电平输出电压
VOL
—
0.08
0.2
×
OVDD
—
V
高电平输出电流
I
IOH
—
–3.6
–7.2
–10.8
—
3.6
7.2
10.8
0.7
×
OVDD
–0.3
OVDD
0
—
—
—
—
—
—
mA
低电平输出电流
I
IOL
—
mA
OVDD+0.3
0.3
×
OVDD
100
—
110
60
990
1220
V
V
mV
mV
nA
nA
nA
—
高电平直流CMOS输入电压
低级别的DC CMOS输入电压
差分接收器VTH +
差分接收器VTH-
输入电流（无上拉/下）
高阻抗I / O电源电流
高阻抗核心供电电流
VIH
VIL
VTH +
VTH-
IIN
ICC- OVDD
ICC- VDDI
—
2, 3
2, 3
注意：
对于参数VOH和VOL电1.模拟电路的I / O单元的下方
2.最起码的条件： BCS模型， 1.95 V和-40°C 。典型的条件：典型示范， 1.8 V和25 ℃。最大条件：
WCS模式， 1.65 V和105 ℃。
3.典型条件：典型示范， 1.8 V和25 ℃。最大条件： BCS模型， 1.95 V和105 ℃。
i.MX25应用处理器为消费者和工业产品，第1版
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