表12.热阻数据（续）
等级
结到外壳（顶部）
3
结到封装顶部
4
1
条件
—
自然对流
符号
R
eJCtop
Ψ
JT
价值
13
2
单位
° C / W
° C / W
结到环境每JEDC JESD51-3和JESD51-6确定热阻。热测试板符合JEDEC
规范这个包。
2
每JEDC JESD51-8结到电路板的热阻决定。热测试板符合JEDEC规范，这
封装。
3
采用MIL -STD 883方法1012.1结至外壳在封装的顶部决定的。冷板温度用于
对于这样的温度。报告的值包括接口层的热阻。
4
指示该包顶部和连接处之间的温差热特性参数
温度每JEDEC JESD51-2 。当希腊字母都无法使用，这热特性参数写入
作为PSI- JT 。
3.4
I / O DC参数
本部分包括以下I / O类型的DC参数：
DDR I / O ：移动DDR （的mDDR ） ，双倍数据速率（ DDR2 ）或同步动态随机
存取存储器（SDRAM）的
通用I / O（ GPIO ）
记
在本节中，术语“ OVDD ”指的是一个相关联的电源轨
输入或输出。该协会表示，在“信号复用”
本章的参考手册。
3.4.1
DDR I / O DC参数
在DDR垫的类型是由IOMUXC_SW_PAD_CTL_GRP_DDRTYPE寄存器配置（见
外部信号和引脚复用一章
i.MX25参考手册
有关详细信息） 。
i.MX25应用处理器为消费者和工业产品，第1版
飞思卡尔半导体公司
17
由于从美国国际贸易委员会的命令， BGA封装生产线和部分数字表示这里目前没有
之前， 2010年9月从飞思卡尔在美国进口或销售： MCIMX253DVM4 ， MCIMX257DVM4 ， MCIMX253CVM4 ，
MCIMX257CVM4和MCIMX258CVM4 。
