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飞思卡尔半导体公司
当芯片上的时钟合成器的情况下，系统时钟频率是由位在上控制
SYNCR字节。位在内部和外部时钟或控制操作的低字节显示状态。
该SYNCR可读取或写入只有当CPU工作在主管权限级别。
W - 频率控制（ VCO ）
该位控制预分频器自来水中的合成器的反馈回路。设置位增加了VCO
速度的4倍。 VCO的重新锁定延迟是必需的。
X - 频率控制位（预分频）
这个位控制除2分频器，是不是在合成器的反馈环路。设置位
加倍时钟速度而不改变VCO的速度。没有VCO的重新锁定延迟。
Y [ 5 ： 0 ] - 频率控制（计数）
Y字段控制模数递减计数器中的合成器的反馈环路，导致它除以
的Y值
+
1，取值范围为063 VCO重新锁定延迟是必需的。
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EDIV -E时钟分频率
0 = ECLK频率为系统时钟除以8 。
1 = ECLK频率为系统时钟的16分。
ECLK是外部M6800总线时钟提供引脚ADDR23 。请参阅3.5芯片选择更多的IN-
形成。
SLIMP -Limp模式标志
0 =外部晶振压控振荡器的参考。
1 =晶体参考损失。
当芯片上的合成器中，基准频率损失导致SLIMP进行设置。该VCO
继续使用基本的控制电压运行。最大跛行频率最高指定的系统
时钟频率。 X位的状态影响跛行频率。
SLOCK -Synthesizer锁定标志
0 = VCO使能，但还没有被锁定。
1 =压控振荡器已被锁定在所希望的频率（或系统时钟是外部的） 。
该MCU保持复位状态，直到合成器锁，但SLOCK并不表明合成
锁定状态直到用户写入SYNCR 。
RSTEN - 复位启动
0 =损失晶体使MCU在跛行模式。
1 =晶体的损失会导致系统复位。
STSIM -Stop模式SIM卡时钟
0 =当执行LPSTOP中，SIM时钟由晶体振荡器驱动与VCO是
关闭以节省电能。
1 =当执行LPSTOP中，SIM时钟被从VCO驱动。
STEXT -Stop模式外部时钟
0 =当执行LPSTOP时， CLKOUT信号保持否定以节省电力。
1 =当执行LPSTOP时， CLKOUT信号被从SIM时钟驱动时，如由下式确定
在STSIM位的状态。
3.4外部总线接口
外部总线接口（ EBI ）的传送MCU内部总线和外接设备之间的信息
恶习。外部总线具有24根地址线和16条数据线。
在EBI提供的8位和16位的数据存取动态调整大小。它支持字节，字和
长字传输。端口是通过使用由数据控制的异步周期的访问
转移（ SIZ1和SIZ0 ）和数据大小承认引脚（ DSACK1和DSACK0 ） 。多总线周期
可能需要传送到或来自一个8位的端口。
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