Power架构
CHRGDET （内部信号）
该CHRGDET门槛是在VBUS引脚上的电压表示有效充电器一直
连接。
表6. CHRGDET ， BATTPON和CHRG_CURR阈值
参数
BATTPON门槛
BATTPON滞后
CHRGDET门槛
CHRGDET门槛
CHRGDET滞后
CHRG_CURR门槛
CHRG_CURR滞后
前高后低
从低到高
前高后低
描述
从低到高
民
3.33
50
3.70
3.50
50
10
20
0.2
30
典型值
3.43
最大
3.53
200
3.90
3.75
单位
伏
mV
伏
伏
mV
mA
mA
4.2.5
充电器控制逻辑
表7，图8和图9示出了BP_FET和BATT_FET状态和充电和涓流电流的一个函数
VBUS ，身份证， BATTP电压， RESETB ， DP ， DM投入和FET_OVRD和FET_CTRL位。这
信息被分成3个表，
表7
双通道，
表8
串行路径和
表9
单身
路径。
MC13883技术数据，第3版
飞思卡尔半导体公司
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