Power架构
4.2.4
充电座信号说明
BATTP （ BATT + ）
连接到手机主电池正极端子。
B + （ BP引脚）
B +是主要的手机电源轨。大多数内部电压轨都来源于此供应。 B +推导
从充电器输入（ VBUS ）与主电池电源（ BATT +）。
CHRGCTRL
充电控制输出电压。
ICHRG
的复用功能的输出电压成比例的充电电流或电压的ID 。
ISENSE
电流检测输入到充电控制电路。
PWR_ON
接通信号至手机。
CHRGMODE
选择手机是否被配置为单路径，串行路径或双路径充电。为了选择
单一路径模式下， CHRGMODE引脚应悬空。对于串行路径， CHRGMODE引脚
连接到调节器的V输出
C
。对于双通道， CHRGMODE应接地。
VBUS
充电器输入到手机中。
BATT_FET
栅极驱动电池FET （ M3 ） 。此FET的连接/断开从B + （BP）的节点的电池。
BP_FET
栅极驱动BP FET （ M4 ） 。此FET的调节电压在血压或可被控制为一个开关。
在单路径充电模式BP_FET不使用，可以悬空在单路径充电模式。
BATTPON （内部信号）
该BATTPON阈值是阈值，超过该手机将开启收费在任时
单路径模式，或用USB充电器serial-或双通道模式。
CHRG_CURR （内部信号）
该CHRG_CURR阈为20mA ，并且用作充电器检测的一部分。
MC13883技术数据，第3版
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飞思卡尔半导体公司
