表7.直流电气特性（续）
（ VBATT = 2.7 V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
输入迟滞（所有数字输入）
内部上拉电阻
3
（所有端口引脚和IRQ除CMT ）
CMT内部上拉电阻
3
内部下拉电阻
3
（ KBI引脚和IRQ ）
输出高电压
所有标准GPIO = 3毫安
CMT输出IRO能力= 20 mA
输出低电压（所有数字输出）
所有标准GPIO = 3毫安
CMT输出IRO能力= 20 mA
输入电容（所有非电源引脚）
1
2
3
符号
V
HYS
R
PU
R
PU
R
PD
V
OH
民
0.06
×
V
DD
-
-
-
80%
V
BATT
0
典型值
最大
—
单位
V
千欧
千欧
千欧
V
20
10
20
-
-
-
-
V
BATT
V
OL
-
20%
V
BATT
—
V
C
In
—
3
pF
虽然在V设备的功能
DD
min，供给必须首先再涨V
LVDL
。随着电源电压升高，LVD电路
将MCU保持复位状态，直到电源高于V上升
LVDL
.
表示满电源电压和温度范围内。
测量条件为上拉电阻： V
IN
= V
SS
对于上拉和V
IN
= V
DD
为下拉。
11.5
电源电流特性
表8.电源电流特性
（ VBATT = 2.7 V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
符号
S2I
DD
民
典型值
0.29
0.40
最大
1
1
单位
μA
STOP2
所有内部电路关闭，保留RAM ，基准振荡器关闭， KBI活跃。 I / O
值被锁存保持状态。 RTC关闭。 RF复位。
所有内部电路关闭，保留RAM ，基准振荡器关闭， KBI活跃。 I / O
值被锁存保持状态。 RTC与1 kHz的振荡器。 RF复位。
所有内部电路关闭，保留RAM ，基准振荡器关闭， KBI活跃。 I / O
值被锁存保持状态。 RTC上的32.768 kHz振荡器。 RF复位。
STOP3
所有内部电路关闭， RAM ， I / O ，内部寄存器&可选外设
寄存器保留， 32MHz的参考振荡器关闭， RTC关闭， LVD关闭。 RF复位。
所有内部电路关闭， RAM ， I / O ，内部寄存器&可选外设
寄存器保留， 32MHz的参考振荡器关闭， RTC与1 kHz的振荡器， LVD关闭。 RF
在复位。
所有内部电路关闭， RAM ， I / O ，内部寄存器&可选外设
寄存器保留， 32MHz的参考振荡器关闭， RTC与32.768kHz的振荡器， LVD
关。 RF复位。
所有内部电路关闭， RAM ， I / O ，内部寄存器&可选外设
寄存器保留， 32MHz的参考振荡器， RTC与32 MHz的振荡器， LVD关闭。
RF复位
0.40
S3I
DD
0.45
0.55
3
μA
2.65
330
MC1323x超前信息，牧师0.0
飞思卡尔半导体公司
23
