表6.推荐工作条件（续）
特征
输出负载电流（使用指定V
OLmax
和V
OHmin
)
所有标准GPIO
CMT IRO输出
RF输入功率
晶体参考振荡器频率（ ± 40 ppm，在操作
条件，满足802.15.4标准）。
1
符号
I
O
P
最大
f
REF
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
3
20
10
单位
mA
DBM
只有32兆赫
虽然在V设备的功能
DD
min，供给必须首先超越V
LVDL
。随着电源电压升高，LVD电路
将MCU保持复位状态，直到电源高于V上升
LVDL
.
11.4
DC电气特性
表7.直流电气特性
（ VBATT = 2.7 V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
符号
V
DD
V
DD_RUN
V
内存
V
LVDH
民
1.8
1
1.6
V
POR
2.18
2.20
1.67
1.68
2.25
2.30
1.79
1.74
-
-
2.23
2.26
1.70
1.77
2.32
2.36
1.81
1.84
1.0
-
2.32
2.32
1.80
1.96
2.45
2.42
1.91
1.99
-
1.0
μA
-
0
-
-
±1.0
30%
V
BATT
V
BATT
A
V
典型值
2.7
最大
3.6
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
电源电压（适用于电源输入引脚的电压; VBATT_1 ，
VBATT_2 ， VBATT_3和VBATT_4 ）
最小CPU运行电压（无线电和外围设备不能保证
运营; CPU ， RAM和Flash操作）
最小RAM保持电压（电压施加到VBATT电源输入引脚）
低电压检测阈值 - 高量程（所有条件
2
)
V
DD
落下
V
DD
升起
低电压检测阈值 - 低量程（所有条件）
V
DD
落下
V
DD
升起
低电压警告阈值 - 高量程（所有条件）
V
DD
落下
V
DD
升起
低电压警告阈值 - 低量程（所有条件）
V
DD
落下
V
DD
升起
上电复位（ POR ）电压
高阻抗（关闭状态）漏电流（每针）
(
V
In
= V
DD
或V
SS
所有的输入/输出，设备必须不能在低功率
模式）
输入电流（V
IN
= 0 V或V
DDINT
)
(
V
In
= V
DD
或V
SS
所有的输入/输出，
设备不能在低功率模式）
输入低电压（所有数字输入）
V
LVDL
VDC
V
LVWH
VDC
V
LVWL
VPOR
|I
OZ
|
VDC
VDC
I
IN
V
IL
输入高电压（所有数字输入）
V
IH
70%
V
BATT
-
V
MC1323x超前信息，牧师0.0
22
飞思卡尔半导体公司
