VS- MBR150 ， VS- MBR150 -M3 ， VS- MBR160 ， VS- MBR160 -M3
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威世半导体
电气规格
参数
符号
1A
2A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
3A
1A
2A
3A
T
J
= 25 °C
最大反向漏电流
SEE图。 2
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 100 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
测试条件
值
0.75
0.9
1.0
0.65
0.75
0.82
0.5
5
10
55
8.0
10 000
pF
nH
V / μs的
mA
V
单位
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
交界处领导
大约重量
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJL （2）
直流操作
见图。 4
测试条件
值
- 40150
80
0.33
0.012
机箱样式DO- 204AL （ DO- 41 ）
MBR150
MBR160
单位
°C
° C / W
g
盎司
打标设备
笔记
(1)
(2)
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB ，热探头连接到铅包2毫米
修订： 20 09月11
文档编号： 93439
2
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