VS- MBR150 ， VS- MBR150 -M3 ， VS- MBR160 ， VS- MBR160 -M3
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威世半导体
肖特基整流器，1A
特点
薄型，轴向引线外形
极低的正向电压降
阴极
阳极
??高频工作
=高
纯度，
高
温度
环氧树脂
封装提高机械强度
和耐湿性
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
符合RoHS指令2002/95 / EC
DO-204AL
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
DO- 204AL （DO- 41）的
1A
50 V, 60 V
0.65 V
10.0毫安在125°C
150 °C
单芯片
2.0兆焦耳
设计和合格的商用水平
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -M3只）
描述
在VS -MBR ...轴向引线肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
1 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
1.0
50/60
150
0.65
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-MBR150
50
VS-MBR150-M3
50
VS-MBR160
60
VS-MBR160-M3
60
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 75℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 4 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率受限，T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
1.0
150
25
2.0
1.0
mJ
A
A
单位
修订： 20 09月11
文档编号： 93439
1
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