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MB90350E系列
7. FLASH存储器编程/擦除特性
双操作闪存
参数
扇区擦除时间
（ 4K字节扇区）
扇区擦除时间
（ 16字节扇区）
芯片擦除时间
字（16位宽）
编程时间
编程/擦除周期
闪存数据
保留时间
平均
T
A
= +85 °C
T
A
= +25 °C
V
CC
=
5.0 V
条件
价值
民
10000
20
典型值
0.2
0.5
4.6
64
最大
0.5
7.5
3600
单位
s
s
s
s
周期
YEAR
*
备注
不包括编程
对擦除之前
不包括编程
对擦除之前
不包括编程
对擦除之前
除了塔顶
系统级的时间
*：相应的值来自于技术的可靠性评价结果。
（使用Arrhenius方程来翻译高温测量的测试结果为，在归一化值
+85 °C)
DS07-13744-4E
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