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MB90350E系列
快闪记忆体装置
·关系
间
外部阻抗
和
最低
采样
时间
(MB90F351E(S),MB90F351TE(S),MB90F352E(S),MB90F352TE(S),
MB90F356E(S),MB90F356TE(S),MB90F357E(S),MB90F357TE(S))
[外部阻抗= 0 kΩ到100 kΩ的]
100
90
[外部阻抗= 0 kΩ至20 kΩ的]
20
18
4.5 V
≤
AV
CC
≤
5.5 V
外部阻抗[ kΩ的]
4.5 V
≤
AV
CC
≤
5.5 V
外部阻抗[ kΩ的]
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
4.0 V
≤
AV
CC
≤
4.5 V
4.0 V
≤
AV
CC
≤
4.5 V
最低
采样
时间[μs ]
MASK ROM设备
最低
采样
时间[μs ]
·关系
间
外部阻抗
和
最低
采样
时间
（ MB90351E （S） - ， MB90351TE （S） - ， MB90352E （S） - ， MB90352TE （S） - ， MB90356E （S）的
MB90356TE(S),MB90357E(S),MB90357TE(S),MB90V340E-101/102/103/104)
[外部阻抗= 0 kΩ到100 kΩ的]
100
[外部阻抗= 0 kΩ至20kΩ的]
20
4.5 V
≤
AV
CC
≤
5.5 V
外部阻抗[ kΩ的]
4.5 V
≤
AV
CC
≤
5.5 V
外部阻抗[ kΩ的]
90
80
70
60
50
40
30
20
10
00
5
10
15
20
25
30
35
18
16
14
12
10
8
6
4
2
00
1
2
3
4
5
6
7
8
4.0 V
≤
AV
CC
≤
4.5 V
4.0 V
≤
AV
CC
≤
4.5 V
最低
采样
时间[μs ]
最低
采样
时间[μs ]
有关错误
相对误差值越来越大，因为| AVRH
AV
SS
|变小。
80
DS07-13744-4E
