数据表
10V驱动N沟道MOSFET
R6004CND
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
CPT3
(SC-63)
<SOT-428>
6.5
5.1
2.3
0.5
1.5
5.5
■特点
1）低导通电阻。
2 ）高速开关。
3 ）范围内的SOA 。
4 ）驱动电路可以很简单。
5 ）并行使用非常简单。
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
0.9 2.3
(1)
(2)
(3)
2.3
0.8Min.
0.65
0.5
1.0
应用
开关
包装规格
TYPE
R6004CND
包
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TL
2500
内部电路
1
2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
雪崩电流
雪崩能量
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
*2 L
500H ，V
DD
= 50V ，R
G
=25, T
ch
=25C
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*3
I
DP
*1
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
T
ch
T
英镑
*1
*2
*2
*4
范围
600
25
4
16
4
16
2
1.1
40
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
连续
脉冲
连续
脉冲
* 3仅受最高温度允许的。
*4 T
C
=25C
热阻
参数
渠道情况
符号
R
TH（ CH-C ）
范围
3.13
单位
C
/ W
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1/5
2011.10 - Rev.A的
2.5
0.75
0.9
1.5
9.5
