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首字符R的型号第335页
> R6004CND
数据表
10V驱动N沟道MOSFET
R6004CND
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
CPT3
(SC-63)
<SOT-428>
6.5
5.1
2.3
0.5
1.5
5.5
■特点
1)低导通电阻。
2 )高速开关。
3 )范围内的SOA 。
4 )驱动电路可以很简单。
5 )并行使用非常简单。
( 1 )门
( 2 )排水
( 3 )资料来源
0.9 2.3
(1)
(2)
(3)
2.3
0.8Min.
0.65
0.5
1.0
应用
开关
包装规格
TYPE
R6004CND
包
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
TL
2500
内部电路
1
2
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
雪崩电流
雪崩能量
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ,职务cycle1 %
*2 L
500H ,V
DD
= 50V ,R
G
=25, T
ch
=25C
( 1 )门
( 2 )排水
( 3 )资料来源
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*3
I
DP
*1
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
T
ch
T
英镑
*1
*2
*2
*4
范围
600
25
4
16
4
16
2
1.1
40
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
连续
脉冲
连续
脉冲
* 3仅受最高温度允许的。
*4 T
C
=25C
热阻
参数
渠道情况
符号
R
TH( CH-C )
范围
3.13
单位
C
/ W
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1/5
2011.10 - Rev.A的
2.5
0.75
0.9
1.5
9.5
R6004CND
电气特性
( TA = 25°C )
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
*
R
DS ( ON)
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
*
t
r
*
t
D(关闭)
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
分钟。
-
600
-
2.5
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
1.4
-
280
222
15
23
28
44
39
11
3
5
马克斯。
10
-
100
4.5
1.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=25V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
=1mA
I
D
= 2A ,V
GS
=10V
V
DS
= 10V ,我
D
=2A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
300V ,我
D
=2A
V
GS
=10V
R
L
=150
R
G
=10
V
DD
300V
I
D
=4A
V
GS
=10V
数据表
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
Body
二极管的特性
(源极 - 漏极)
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.5
单位
V
条件
I
S
= 4A ,V
GS
=0V
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2011.10 - Rev.A的
R6004CND
ⅵELECTRICAL
特性曲线
数据表
图1典型的输出特性( Ⅰ )
0.5
V
GS
=10.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=7.0V
V
GS
=6.5V
V
GS
=6.0V
T
a
=25℃
脉冲
0.2
V
GS
=4.5V
0.1
4
图2典型的输出特性( Ⅱ )
100
V
GS
=10.0V
V
GS
=8.0V
V
GS
=7.0V
V
GS
=6.5V
T
a
=25℃
脉冲
V
GS
=6.0V
漏电流:我
D
(A)
10
图3典型的传输特性
V
DS
= 10V
脉冲
0.4
漏电流:我
D
[A]
V
GS
=5.0V
漏电流:我
D
[A]
3
0.3
1
2
0.1
1
V
GS
=5.0V
V
GS
=4.5V
0.01
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏源电压: V
DS
[V]
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
漏源电压: V
DS
[V]
0.001
0
2
4
6
8
10
栅源电压: V
GS
(V)
图4栅极阈值电压
与通道温度
栅极阈值电压: V
GS ( TH)
(V)
6
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
(Ω)
5
4
3
2
1
0
-50
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
100
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
4
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
(Ω)
V
GS
= 10V
脉冲
10
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
图6静态漏源导通状态
电阻与栅源
T
a
=25℃
脉冲
1
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
I
D
= 4.0A
0.1
I
D
= 2.0A
0.01
0.1
1
漏电流:我
D
(A)
10
0
50
100
150
5
10
15
通道温度:T已
ch
(℃)
栅源电压: V
GS
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与通道温度
5
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
(Ω)
正向转移导纳:
| YFS | ( S)
V
GS
= 10V
脉冲
4
100
图8正向转移导纳
与漏电流
10
V
DS
= 10V
脉冲
10
V
GS
= 0V
脉冲
源电流:我
S
(A)
图9源电流和
水稻源极 - 漏极电压
1
3
I
D
= 4.0A
1
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
2
I
D
= 2.0A
0.1
0.1
T
a
=125℃
T
a
= 75℃
T
a
= 25℃
T
a
=
-25℃
1
0.01
0
-50
0
50
100
150
0.001
0.01
0.01
0.1
1
10
0.0
0.5
1.0
1.5
漏电流:我
D
(A)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
通道温度:T已
ch
(℃)
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2011.10 - Rev.A的
R6004CND
数据表
图10典型的电容与
漏源电压
10000
栅源电压: V
GS
(V)
15
图11动态输入特性
10000
T
a
= 25℃
V
DD
= 300V
I
D
= 4A
R
G
= 10Ω
脉冲
反向恢复时间:吨
rr
(纳秒)
图12反向恢复时间
vs.Source电流
电容:C (PF )
1000
C
国际空间站
100
C
OSS
10
T
a
= 25℃
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
漏源电压: V
DS
(V)
C
RSS
10
1000
5
100
T
a
= 25℃
的di / dt = 100A / μs的
V
GS
= 0V
脉冲
10
0
1
源电流:我
S
(A)
10
0
0
5
10
15
总栅极电荷:Q
g
( NC )
图13开关特性
10000
t
f
1000
T
a
= 25℃
V
DD
= 300V
V
GS
= 10V
R
G
= 10Ω
脉冲
切换时间: T( NS )
100
t
D(关闭)
10
t
r
1
0.01
0.1
1
10
漏电流:我
D
(A)
t
D(上)
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2011.10 - Rev.A的
R6004CND
测量电路
数据表
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
V
DS
50%
10%
10%
90%
t
D(上)
t
on
t
r
90%
50%
10%
90%
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
图1-1开关时间测量电路
图1-2的开关波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
I
G(常量)。
R
G
D.U.T.
V
DD
V
DS
Q
g
V
GS
Q
gs
Q
gd
收费
图2-1栅极电荷测量电路
图2-2栅极电荷波形
V
GS
I
AS
L
V
DS
V
( BR ) DSS
D.U.T.
R
G
I
AS
V
DD
E
AS
=
1
2
L I
AS
2
V
DD
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
- V
DD
图3-1雪崩测量电路
3-2雪崩波形
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RD48F3P0ZT00
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RS1509P-12
RN5RZ57LA-TL
RTL8139DL
R2319
RTC-63421B
RSS8-1.83.3
RS3-0505DH3
REF02AJ883C
R65C102J4M
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-
-
-
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联系人:何小姐
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