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静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA45H4045MR
外形绘图
(mm)
66.0 ±0.5
3.0 ±0.3
7.25 ±0.8
60.0 ±0.5
51.5 ±0.5
2-R2 ±0.5
21.0 ±0.5
9.5 ±0.5
5
4
3
2
1
14.0 ±1
2.0 ±0.5
0.45 ±0.15
10.5 ±1
22.5 ±1
49.5 ±1
54.0 ±1
3.1 +0.6/-0.4
0.09 ±0.02
7.5 ±0.5
(50.4)
2.3 ±0.3
4.0 ±0.3
(9.88)
RA45H4045MR
17.0 ±0.5
1 RF输入（P
in
)
2栅极电压（V
GG
)
3漏极电压（V
DD
)
4 RF输出（P
OUT
)
5射频接地（CASE ）
2010年6月25日
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