位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第0页 > RA45H4045MR_10 > RA45H4045MR_10 PDF资料 > RA45H4045MR_10 PDF资料1第3页
静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA45H4045MR
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率，
和输入VSWR与频率的关系
80
输出功率P
OUT
(W)
70
输入VSWR
ρ
in
(-)
60
50
40
30
20
10
ρ
in
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
P
OUT
2
nd
， 3次谐波与频率的关系
-20
谐波（ DBC）
-30
-40
-50
-60
-70
390
2
nd
V
DD
=12.5V
V
GG
=5V
P
in
=50mW
rd
80
70
总有效率
η
T
(%)
60
50
η
T
40
30
20
10
3
rd
0
0
390 400 410 420 430 440 450 460
频率f（ MHz）的
400
410 420 430 440
频率f（ MHz）的
450
460
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
Gp
P
OUT
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
漏电流I
DD
(A)
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
40
30
20
10
0
-15 -10
-5
0
5
I
DD
f=430MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
P
OUT
Gp
24
20
16
12
I
DD
f=400MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
24
20
16
12
8
4
0
20
漏电流
I
DD
(A)
漏电流I
DD
(A)
40
30
20
10
0
-15 -10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
8
4
0
10
15
输入功率P
in
（ dBm的）
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
60
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
50
Gp
P
OUT
24
20
16
12
I
DD
f=450MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V
40
30
20
10
0
-15 -10
-5
0
5
8
4
0
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
输出功率和漏电流
与漏极电压
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
f=400MHz,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
P
OUT
漏电流I
DD
(A)
输出功率和漏电流
与漏极电压
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
输出功率P
OUT
(W)
f=430MHz,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
I
DD
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
P
OUT
I
DD
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
输出功率P
OUT
(W)
4
6
8
10 12 14
漏极电压V
DD
(V)
漏电流I
DD
(A)
4
6
8
10 12 14
漏极电压V
DD
(V)
RA45H4045MR
2010年6月25日
3/9
