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2002.04.18
版本。 6
三菱的LSI
M5M5W816WG - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M5W816WG由16位组织为524288字。
这些开发冰在单+ 2.7 3.6V电源供电，
和直接TTL兼容于输入和输出。其
F ully静态电路，需要的不是钟也没有裁判RESH ，并
使得USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ， ＃ S1 ，S2 ，W ＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S1 ＃和高列弗EL S2。地址（ A0 A18 ）绝
成立BEF矿石写CY 乐，必须在稳定
整个循环。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的利执行报
和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和＃ S1和
S2是在一个ACTIV E状态（S1 ＃ = L ，S2 = H）。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚均处于
一个ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低通过TE
在一个可选的模式和上层由德是在非
可选择的模式。
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S1 ＃在一个较高的
利埃尔或S2处于较低利埃尔，该芯片是在非选择
在这种模式下读取和写入都被禁止。在这
模式中，输出级处于高阻抗状态，从而使
OR-领带与其他芯片和内存扩展了BC1 ＃ ，
BC2 ＃和＃ S1 ，S2 。
电源供应C光凭目前被减小低至0.1μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V电源举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S1 S2 ＃ ＃ BC1 BC2 ＃ W＃ OE ＃
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
框图
A
0
A
1
（注1） "H"和"L"本表中的意思是V
IH
和V
白细胞介素，
respectiv伊利。
（注2 ） "X"在这个表应该是"H"或"L" 。
DQ
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
S1#
S2
时钟
发电机
-
DQ
8
DQ
9
DQ
16
BC1#
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
2
