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M50LPW080
命令接口
所有的总线写操作的存储器接口
通过命令接口preted 。命令
由一个或多个连续的总线写能操作
ations 。
上电后或复位操作内存
进入阅读模式。
该命令汇总
表10 ..
该
以下的文字描述应读在CON-
交界处
表10 ..
读存储器阵列命令。
该
读
内存阵列命令返回的内存其
阅读模式，它的行为就像一个ROM或
EPROM 。一个总线写周期须发出
读存储器阵列命令并返回
内存读取模式。一旦该命令是是 -
状告内存保持在读取模式，直到AN-
其他命令发出。读取模式总线
读操作将访问存储阵列。
而编程/擦除控制器执行
编程或擦除操作的内存不会
接受读存储器阵列命令，直到
操作完成。
读状态寄存器命令。
该
读
状态寄存器命令用于读取桩号
土族注册。一个总线写周期要求是 -
起诉读状态寄存器命令。一旦
命令发出以后总线读操作
系统蒸发散读状态寄存器，直到其他的COM
命令发出。请参阅地位的部分
注册有关状态的定义细节
寄存器位。
阅读电子签名指令。
读
电子签名命令被用来读取
制造商代码和设备代码。一
总线写周期即可发出读Elec-
TRONIC签名的命令。一旦该命令是
随后发行的总线读操作读
制造商代码或设备代码，直到AN-
其他命令发出。
读电子签名之后司令部
发行的制造商代码和设备代码
可以使用使用总线读操作来读取
在地址
表9 ..
表9.读电子签名
CODE
制造商代码
器件代码
地址
00000h
00001h
数据
20h
2Fh
程序命令。
该计划的命令
可用于编程的一个值，以1地址
在一个时间的存储器阵列。两个总线写操作
系统蒸发散需要发出命令;该节
OND总线写周期锁存地址和数据
在内部状态机，并启动副校
克/擦除控制器。一旦该命令是是 -
随后起诉总线读操作读
状态寄存器。请参阅地位的部分
注册有关状态的定义细节
寄存器位。
如果该地址落在一个受保护的块则
编程操作将中止，该数据在MEM-
储器阵列将不被改变，稳压状态
存器将输出错误。
在程序运行内存会
只接受读状态寄存器命令
和编程/擦除挂起命令。所有
其他命令将被忽略。典型项目
时间在给定的
表15 ..
需要注意的是该程序的命令不能改变
位设置为'0'回到'1' ，并试图这样做会
不会导致其值的任何修改。中的一个
擦除命令必须用于设置所有的
位块中的'1' 。
SEE
图17 。
关于使用建议的流程图
该计划的命令。
四字节编程命令。
该Qua-
druple字节程序命令只能用于
在A / A复用模式进行编程四个相邻字节
在一次存储器阵列。这四个字节必须
只为A0和A10的地址不同。亲
编程不应该尝试当V
PP
is
不是V
PPH
。该操作也可以被执行
V
PP
低于V
PPH
，但结果可能是不确定的。
需要五总线写操作发出
命令。在第二，第三和第四
总线写周期分别锁存地址
和所述第一，第二和第三字节的数据
在内部状态机。第五总线写
周期锁存第四的地址和数据
在内部状态机和字节开始的
编程/擦除控制器。一旦该命令是
随后发行的总线读操作读
状态寄存器。请参阅地位的部分
注册有关状态的定义细节
寄存器位。
在四字节编程操作
内存只接受读状态寄存器
命令和编程/擦除挂起的COM
命令。所有其他的命令将被忽略。典型
四字节编程时间是在给定的
表
15..
需要注意的是四字节编程命令
位设置为“0”不能变回“1”和AT-
诱人这样做不会造成任何修改
它的值。一个擦除命令必须是
用于设置所有的比特块中的'1' 。
SEE
图18 。
关于使用建议的流程图
在四字节编程命令。
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