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M50LPW080
A10） ，数据信号（ DQ0 - DQ7 ）和三个控制
信号（ RC ，G ， W） 。一个附加的信号，反相，可以
用于复位的存储器。
地址/地址复用（A / A复用）接口
脸包含了由Flash编程使用
设备更快的工厂编程。只有
可用的特征子集以低引脚
数（LPC ）接口可供选择;这些包括：
所有的命令，但不包括安全为特色的
及其良好的其它寄存器。
下面的操作可以使用进行
相应的总线周期：总线读，写总线，
输出禁用和复位。
当地址/地址复用（A / A MUX）
界面中选择所有的块都unprotect-
ED 。这是不可能通过保护任何块
此接口。
总线读。
总线读操作用于输出
放的存储器阵列，所述Elec-的内容
TRONIC签名和状态寄存器。有效
总线读操作开始通过锁存行
地址和列地址信号进
使用内存中的地址输入， A0 - A10 ，和
行/列地址选择RC 。然后写
使能（W）和接口复位（ RP）的必须
高，V
IH
和输出使能，G ，低，V
IL
，为了
执行总线读操作。数据输入/
表5. A / A复用总线操作
手术
总线读
总线写
输出禁用
RESET
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
或V
IH
W
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
或V
IH
RP
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
PP
不在乎
V
CC
或V
PPH
不在乎
不在乎
DQ7-DQ0
数据输出
数据输入
高阻
高阻
输出将输出值，见
图13 。
和
表25 。
为当输出变得细节
有效的。
总线写。
总线写操作写入到
命令接口。一个有效的总线写操作
首先锁定的行地址和列
地址信号到使用AD-内存
礼服输入， A0 - A10 ，以及行/列AD-
着装选择RC 。数据应被设置在
数据输入/输出;输出使能，G ，和跨
面对复位， RP ，一定要高，V
IH
和写入恩
能，W ，一定要低，V
IL
。数据输入/
输出锁存写的上升沿恩
能，见W.
图14 。
和
表26 。
详细信息
的时序要求。
输出禁用。
数据输出为高im-
pedance当输出使能，G ，是在V
IH
.
复位。
在复位模式下，所有内部电路都
关闭时，内存被取消选中，在
输出被置于高阻抗。内存
在复位模式时， RP是低，V
IL
。 RP必须
保持为低电平，V
IL
对于T
PLPH
。如果RP被变为低电平，V
IL
，能很好地协同
荷兰国际集团编程或擦除操作，操作
中止和存储单元的影响不再
包含有效的数据;存储器可能需要长达吨
PL-
RH
中止一个编程或擦除操作。
表6.制造商和设备代码
手术
制造商代码
器件代码
G
V
IL
V
IL
W
V
IH
V
IH
RP
V
IH
V
IH
A19-A1
V
IL
V
IL
A0
V
IL
V
IH
DQ7-DQ0
20h
2Fh
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