M48Z129Y ， M48Z129V
描述
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描述
该M48Z129Y / V ZEROPOWER
SRAM是一种1,048,576位非易失性静态RAM
由8位， 131,072字。该器件结合了内置锂电池，
CMOS SRAM和一个控制电路，在一个塑料32针的DIP模块。该M48Z129Y / V直接
取代行业标准128千×8 SRAM 。它也提供了闪存的非易失性
不具备在写入次数特别写定时或限制任何要求
可以进行的。
图1 。
逻辑图
VCC
17
A0-A16
W
E
G
M48Z129Y
M48Z129V
8
DQ0-DQ7
RST
BL
VSS
AI02309
表1中。
信号名称
A0-A16
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位输出（开漏）
电池电量低输出（开漏）
电源电压
地
DQ0-DQ7
E
G
W
RST
BL
V
CC
V
SS
文档编号5716版本7
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