M28F410 ， M28F420
表8. AC测量条件
SRAM接口电平
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
10ns
0至3V
1.5V
EPROM接口电平
≤
10ns
0.45V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
SRAM接口
3V
1.5V
0V
设备
下
TEST
2.0V
0.8V
AI01275
1N914
3.3kΩ
EPROM接口
2.4V
OUT
CL = 30pF的或100pF的
0.45V
CL = 30pF的用于SRAM接口
CL = 100pF的对EPROM接口
CL INCLUDES夹具电容
AI01276
表9.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz）的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
6
12
单位
pF
pF
注意：
1.采样只，而不是100 ％测试。
设备操作
信号说明
A0 - A17地址输入。
地址信号，
输入用于存储器阵列，在一个被锁存
写操作。
A9的地址输入也可用于电子
签名操作。当A9提高到12V的
电子签名可被读出。在A0信号
用于读取2字或字节，当A0为低
该Manufacturercode被读出并当A0为高
设备的代码。当一个字节是低DQ0 - DQ7
输出码和DQ8 - DQ15都不在乎，
当一个字节是高DQ0 - DQ7输出的代码
和DQ8 - DQ15输出00H 。
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DQ0 - DQ7数据输入/输出。
输入的数据，一个
字节或字的低字节进行编程
或命令到C.I. ，被锁存时既
芯片使能E和写使能W为主动。该
从存储器阵列，所述电子输出数据
签名或状态寄存器是有效的，当芯片
启用E和输出使能G为主动。该
输出为高阻抗时，该芯片是dese-
lected或输出被禁止。
DQ8 - DQ14和DQ15A - 1数据输入/输出。
这些输入/输出中所使用的字宽
组织。当一个字节是高为最
输入或输出的显著字节，运作
如上述那样为DQ0 - DQ7的。当字节是
低， DQ8 - DQ14是高阻抗， DQ15A -1
地址A-1输入。
