M28F410 ， M28F420
表7.状态寄存器
Mne-
首一
位
名字
逻辑
水平
’1’
P / ECS
7
P / E.C 。状态
’0’
抹去
暂停
状态
’1’
’0’
’1’
ES
5
擦除状态
’0’
’1’
’0’
’1’
VPPS
3
V
PP
状态
’0’
2
1
0
版权所有
版权所有
版权所有
V
PP
OK
擦除成功
程序错误
节目
成功
V
PP
低，中止
忙
暂停
正在进行或
已完成
擦除错误
德网络nition
准备
记
表示为P / E.C 。状态，程序中检查
或擦除，并在完成前校验位
B4或B5进行编程或擦除成功
对擦除暂停指令P / ECS和
ESS的位被设置为'1'。 ESS位保持“1” ，直到
删除恢复给出指令。
ESS
6
ES位被设置为'1'，如果P / E.C 。已应用
擦除脉冲的块的最大数目
没有实现擦除验证。
PS
4
节目
状态
的PS位设置为'1'，如果在P / E.C 。未能编程
一个字节或字。
VPPS位被置位，如果在V
PP
电压低于
V
PPH
（分钟）当编程或擦除指令
已被执行。
注意事项：
逻辑电平“1”是高，'0'为低。
首先应用，在退出掉电或者V
CC
低于V
LKO
中，命令界面被重置为
读存储器阵列。
指示和命令
8个指令定义进行阅读
内存阵列，读状态寄存器，读Elec-
TRONIC签名，擦除，编程，清除状态
注册，擦除暂停和擦除恢复。一
internalProgram / EraseController （ P / E.C 。 ）手柄
在编程和擦除所有的时间和验证
说明，并提供状态位，以指示其
运行和退出状态。指令的COM
提出的第一个命令，写操作后面
无论是通过第二个命令写入，以确认
编程或擦除或读出的命令
operationto从阵列，所述电子读取的数据
签名或状态寄存器。
为了增加数据保护，针对字节的指令
或Word程序和块擦除由两
被写入到存储器的命令和
这启动了自动的P / E.C 。操作。字节或
字编程通常需要器件为9μs ，块擦除
通常为1秒。一个存储器块的擦除可
为了读出其它数据被暂停
块，然后重新开始。状态寄存器可
随时读取，包括编程期间
或擦除周期，监测的进展
操作。
省电
该M28F410和M28F420具有许多
省电功能。一种CMOS待机模式
进入时，芯片使能E和再
集/关机（ RP）信号在V
CC
中，当
电源电流降至60μA典型。深
省电模式启用时重新
集/关机（ RP）信号为V
SS
中，当
电源电流降至0.2μA典型。时间
从深度掉电模式唤醒所需
是300ns的最大值，并指示所述C.I。
只有210ns后确认。
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