【Ennn初步字节宽SMART 3 FlashFile Memory系列4，8，和16 MBIT28】,IC型号g28f008s3-150,g28f008s3-150 PDF资料,g28f008s3-150经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

字节宽

SMART 3 FlashFile Memory系列

4，8，和16 MBIT

28F004S3 ， 28F008S3 ， 28F016S3

包括商业和扩展温度规格

SmartVoltage技术

3智能闪光： 2.7 V或3.3 V V

与2.7 V ， 3.3 V或12 V V

高性能

120纳秒读取时间

增强的数据保护功能

绝对保护与V

= GND

灵活的块锁定

块写入锁定在电

TRANSITIONS

增强的自动暂停选项

计划暂停阅读

块擦除挂起到计划

块擦除挂起阅读

行业标准包装

40引脚TSOP ， 44引脚PSOP

40凹凸

μBGA *

CSP

高密度64 - Kbyte的对称

擦除块架构

4兆位：八块

8兆位：16块

16兆位：32块

扩展循环能力

100000块擦除周期

低功耗管理

深度掉电模式

自动节能模式

降低我

在静态模式

自动编程和块擦除

命令的用户界面

状态寄存器

SRAM兼容写接口

ETOX V非易失性闪存

技术

英特尔的字节宽智能3 FlashFile 存储系列呈现在同各种密度的产品

封装。在4,8 ，和16兆位字节宽FlashFile存储器提供高密度，低成本，非易失性，

读/写的存储解决方案的应用范围广泛。其对称封闭架构，灵活的

电压，并延长循环提供适合居住闪存阵列，的SIMM高度灵活的组件，

和存储卡。增强的暂停功能提供了用于代码或数据存储的理想解决方案

应用程序。为安全的代码存储应用，如网络，其中的代码是直接

执行出闪光或下载到DRAM中，在4,8和16兆位FlashFile存储器提供三个级别

保护：采用V绝对保障

在GND ，选择硬件模块的锁定，或者灵活的软件

块锁定。这些替代方案为设计人员提供其代码的安全性需求的最终控制权。

该系列产品在英特尔的0.4制造

ETOX V工艺技术。他们进来

工业标准封装： 40引脚TSOP ，非常适合电路板限制的应用，以及坚固耐用

44引脚PSOP 。基于该28F008SA架构，字节宽的智能3 FlashFile存储器家族

能够为那些需要国家的最先进的技术设计，快捷方便的升级。

1997年12月

订单号： 290598-004

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F004S3 ， 28F008S3 ， 28F016S3可能包含勘误表的设计缺陷或错误，这可能导致产品

已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱5937

丹佛，科罗拉多80217-9808

或致电1-800-548-4725

或访问英特尔网站为http ： \\\\ www.intel.com

第三方的品牌和名称均为其各自所有者的财产。

CG-041493

字节宽的SMART 3 FlashFile Memory系列

页面

6.0电气特性.................. 29

6.1绝对最大额定值........................ 29

6.2商用温度工作

情况................................................. 29

6.3电容............................................... 29

6.4 DC特征 - 商业

Temperature..............................................30

6.5交流特性只读

操作-商用温度..... 34

6.6交流特性 - 写操作 -

商业级温度.......................... 36

6.7块擦除，编程和锁定位

配置性能 - 商业

Temperature..............................................38

6.8扩展温度操作

情况................................................. 39

6.9直流特性扩展

Temperature..............................................39

6.10 AC特性只读

业务扩展温度......... 39

7.0订购信息.......................... 40

8.0其他信息....................... 40

1.0简介............................................. 5

1.1新功能...............................................五

1.2产品概述......................................... 5

1.3引脚与引脚说明........................... 6

2.0操作原理..................... 11

2.1数据保护.......................................... 12

3.0总线操作......................................... 12

3.1阅读................................................ .......... 12

3.2输出禁止........................................... 12

3.3待机................................................ ...... 12

3.4深度掉电..................................... 12

3.5读取识别码操作................ 13

3.6写................................................ .......... 13

4.0命令定义............................ 13

4.1读阵列命令................................ 16

4.2读取识别码命令............... 16

4.3读状态寄存器命令................ 16

4.4清除状态寄存器命令................ 16

4.5块擦除命令.............................. 16

4.6程序命令.................................... 17

4.7块擦除挂起命令................ 17

4.8程序挂起命令..................... 18

4.9组块和主锁定位命令18

4.10清除块锁定位命令.............. 19

5.0设计考虑........................ 27

5.1三线输出控制.......................... 27

5.2 RY / BY ＃硬件检测...................... 27

5.3电源去耦.......................... 27

5.4 V

跟踪印刷电路板........... 27

5.5 V

, V

， RP ＃转换......................... 27

5.6电/断电保护........................ 27

5.7 V

程序和子擦除电压

0.4μ S3存储器系列............................ 28

初步

字节宽的SMART 3 FlashFile Memory系列

修订历史

数

-001

-002

蓝本

表3修订，以反映变化的缩写，从“W”写为“ P”的节目。

订购信息图形（附录A ）更正：从PB =分机。温度。 44引脚

PSOP到

=分机。温度。 44引脚PSOP

更新订购信息和表

校正表， 6.2.3节。在我

测试条件，以前读V

= V

或GND ，修正到V

OUT

= V

或GND

第6.2.7 ，修改程序和块擦除挂起等待时间

更新免责声明

添加2.7 V V

特定连接的阳离子。

额外

μBGA *

CSP引脚和PSOP引出线纠正错误

增加了设计的代价V

在未来的子0.4μ编程和擦除电压

设备。

描述

-003

-004

初步

1.0

1.1

字节宽的SMART 3 FlashFile Memory系列

介绍

1.2

产品概述

该数据表包含4,8和16兆位的智能3

FlashFile内存规格。第1.0节

提供了一种闪速存储器概述。部分2.0 ，

3.0 ，4.0和5.0描述的存储器组织

和功能。 6.0节涵盖了电气

规范商业和扩展

温度产品系列。订购信息

在第7.0节中提供。最后，该字节宽

智能3 FlashFile内存系列文档

还包括应用笔记和设计工具

这是在第8.0节中引用。

该字节宽智能3 FlashFile内存系列

提供密度升级与兼容的引脚

对于4,8和16兆位密度。该28F004S3 ，

28F008S3和28F016S3是高性能

回忆排列为512字节， 1M字节，并

2兆字节的8比特。这个数据被分组在八个

16和32的64字节块，是

单独擦除，可锁定和解锁IN-

系统。图5示出的存储器

组织。

SmartVoltage技术，实现了快速厂

编程和低功耗设计。特别是

专为3 V系统，智能3 FlashFile

组件支持读取操作，在2.7 V和

3.3 V V

和块擦除和编程操作

在2.7 V ， 3.3 V和12 V V

。 12 V V

选项

渲染速度最快的方案执行这将

提高工厂产能。与2.7 V或

3.3 V V

选项，V

和V

可以连在一起

一个简单的，低功耗的2.7 V或3 V的设计。在

除电压灵活性，专用V

销给了完整的数据保护时， V

≤

PPLK

内部V

检测电路自动

配置该设备优化的块擦除和

编程操作。

A命令的用户界面（ CUI）作为

系统处理器之间的接口

该装置的内部操作。一个有效的命令

顺序写入崔启动装置

自动化。内部写状态机（ WSM ）

自动执行的算法和时序

必需的块擦除，编程，和锁定位

配置操作。

块擦除操作会擦除设备中的一个

通常在1.1秒64千字节块

(12 V V

），独立于其他块。每块

可独立擦除100,000次

（每台设备160万的块擦除）。块擦除

暂停操作允许系统软件

暂停块擦除读取或程序数据

数据的任何其他块。

数据被编程以字节为单位通常

在7.6

(12 V V

）。程序暂停

操作允许系统软件来读取数据或

从任何其他闪存阵列执行代码

位置。

新功能

该字节宽智能3 FlashFile内存系列

保持与英特尔的向后兼容性

28F008SA -L中。主要增强功能包括：

SmartVoltage技术

增强的挂起功能

在系统块锁定

它们共享一个兼容的状态寄存器，软件

命令和引脚排列。这些相似之处让

一个干净的升级从28F008SA -L ，以字节宽

智能3 FlashFile产品。在升级时，它是

重要的是要注意以下几点不同之处：

因为新的功能和密度选项，

设备具有不同的设备标识符

码。这使得软件的优化。

PPLK

已降至6.5 V至1.5 V至

支持低V

在块擦除电压，

程序，锁位的配置操作。

该开关V的设计

关在读

操作应该转换为V

到GND 。

要SmartVoltage优势技

术，让V

连接至3.3 V.

欲了解更多详细信息，请参考应用笔记

AP-625,

与28F008SA 28F008SC兼容性

（订单

编号292180 ）

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