【BUZ 32SIPMOS功率晶体管 N沟道增强型雪崩额定值销1G销2D3脚STYPEBUZ 32VD】,IC型号c67078-s1310-a2,c67078-s1310-a2 PDF资料,c67078-s1310-a2经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BUZ 32

SIPMOS

功率晶体管

N沟道

增强型

雪崩额定值

销1

G

销2

D

3脚

S

TYPE

BUZ 32

V

DS

200 V

I

D

9.5 A

R

DS （ ON）

0.4

包

的TO-220 AB

订购代码

C67078-S1310-A2

最大额定值

参数

连续漏电流

符号

值

9.5

单位

A

I

D

I

Dpuls

38

T

C

= 29 °C

漏电流脉冲

T

C

= 25 °C

雪崩电流，通过限制

T

JMAX

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

AR

E

AR

E

AS

9.5

6.5

mJ

I

D

= 9.5 A,

V

DD

= 50 V,

R

GS

= 25

L

= 2 mH的，

T

j

= 25 °C

门源电压

功耗

120

V

GS

P

合计

±

20

75

V

W

T

C

= 25 °C

工作温度

储存温度

热电阻，片式案例

热电阻，芯片到环境

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

半导体集团

T

j

T

英镑

R

thJC

R

thJA

-55 ... + 150

-55 ... + 150

≤

1.67

75

E

55 / 150 / 56

°C

K / W

1

07/96

BUZ 32

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

200

-

3

0.1

10

10

0.3

-

4

V

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安，

T

j

= 25 °C

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

2.1

V

GS =

V

DS ，

I

D

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

-

1

100

A

V

DS

= 200 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= 200 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

-

100

nA

-

0.4

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

V

GS

= 10 V,

I

D

= 6 A

半导体集团

2

07/96

BUZ 32

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

值

典型值。

马克斯。

单位

g

fs

3

4.6

400

85

45

-

S

pF

-

530

130

70

ns

-

10

15

V

DS

≥

2

*

I

D *

R

DS （ ON）最大值，

I

D

= 6 A

输入电容

C

国际空间站

C

OSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

C

RSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

t

D（上）

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A

R

GS

= 50

上升时间

t

r

-

40

60

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A

R

GS

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

55

75

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A

R

GS

= 50

下降时间

t

f

-

30

40

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 3 A

R

GS

= 50

半导体集团

3

07/96

BUZ 32

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

T

C

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

A

-

-

-

-

1.4

200

0.6

9.5

38

V

-

1.7

ns

-

-

C

-

-

值

典型值。

马克斯。

单位

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

GS

= 0 V,

I

F

= 19 A

反向恢复时间

V

R

= 100 V,

I

F=

l

S,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= 100 V,

I

F=

l

S,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

半导体集团

4

07/96

BUZ 32

功耗

P

合计

=

(T

C

)

漏电流

I

D

=

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

10

A

80

W

P

合计

I

D

60

8

7

50

6

5

4

40

30

3

20

2

10

0

0

1

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

C

T

C

安全工作区

I

D

=

(V

DS

)

参数：

D

= 0.01,

T

C

= 25°C

10

2

t

= 7.6s

p

10 s

瞬态热阻抗

Z

日JC

=

(t

p

)

参数：

D =吨

p

/

T

10

1

K / W

A

/I

D

I

D

10

1

=V

Z

thJC

100 s

10

0

R

DS

(o

n)

DS

1毫秒

10

-1

D = 0.50

0.20

10

0

10毫秒

0.10

10

-2

0.05

0.02

DC

单脉冲

0.01

10

-1

0

10

10

1

10

2

V

10

-3

-7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

s 10

0

V

DS

t

p

半导体集团

5

07/96

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-

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

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2443+

23000

NA

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北京上用科技有限公司

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

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