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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第540页 > CY7C1041BNV33L-12VXC
1CY7C1041BNV33
CY7C1041BNV33
256K ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
低有功功率
- 612毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（商业L型）
- 1.8毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 660
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
功能说明
该CY7C1041BNV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1041BNV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06434修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
选购指南
-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
Comm'l
Ind'l
Com'l / Ind'l
Com'l
L
12
190
-
8
0.5
-15
15
170
190
8
0.5
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 0.3V
电气特性
在整个工作范围
-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Comm'l
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
190
-
40
8
0.5
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
170
190
40
8
0.5
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
目前-TTL输入
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
- 0.3V ， Com'l / Ind'l
目前-CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，或
Com'l L
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
R1 317
戴维南等效
167
产量
1.73V
所有的输入脉冲
3.3V
90%
GND
上升时间： 1 V / ns的
10%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
(b)
(a)
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06434修订版**
第2页8
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
开关特性
[4]
在整个工作范围
-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
-15
马克斯。
分钟。
15
12
15
3
12
6
15
7
0
6
7
3
6
7
0
12
6
15
7
0
6
7
15
12
12
0
0
12
8
0
3
6
7
12
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
12
3
0
3
0
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
字节使能，以结束写的
10
12
10
10
0
0
10
7
0
3
0
写周期
[7, 8]
数据保持特性
在整个工作范围
（当L版本）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[10]
分钟。
2.0
330
0
t
RC
马克斯。
单位
V
A
ns
ns
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，和过渡
这两种信号可以终止写。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
9. t
r
< 3纳秒为-12和-15速度。
10.没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
文件编号： 001-06434修订版**
第3页8
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
3.0V
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
I
CC
I
SB
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
11.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 001-06434修订版**
第4页8
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[14, 15]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
BW
BHE ， BLE
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
写周期2号（ BLE或BHE控制）
t
WC
地址
BHE ， BLE
t
SA
t
BW
t
AW
t
PWE
WE
t
SCE
CE
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
注意事项：
14.数据的I / O为高阻抗，如果OE或BHE和/或BLE = V
IH
.
15.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 001-06434修订版**
第5页8
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
256千× 16静态RAM
256千× 16静态RAM
特点
■
功能说明
该CY7C1041BNV33是一个高性能的CMOS静态随机存取存储器
16位组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能完成（ CE ）
和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过I / O
15
）写入到该地址中指定的位置
销（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从由地址引脚指定的存储单元将
出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则
从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见真值表
在此数据表的背面为读一个完整的描述
写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
当设备被取消（ CE HIGH ）高阻抗状态，
输出被禁止（ OE HIGH ）时， BHE和BLE的
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE LOW时，
和WE LOW ） 。
该CY7C1041BNV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
中心的电源和地（革命）的引脚。
高速
t
AA
= 12 ns的
低有功功率
612毫瓦（最大）
CMOS的低待机功耗
1.8毫瓦（最大）
2.0 V数据保留（ 660
W
在2.0 V保留）
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
检测放大器
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
COLUMN
解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
BHE
WE
CE
OE
BLE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06434修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二○一一年三月三十〇日
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
目录
引脚配置................................................ ............. 3
选型指南................................................ ................ 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 4
交流测试负载和波形....................................... 4
开关特性................................................五
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关波形................................................ ...... 7
读周期1号............................................. ........... 7
读周期2号（ OE控制） .............................. 7
写周期第1号（ CE控制） ............................... 8
写周期2号（ BLE或BHE控制） ................ 8
真值表................................................ ........................ 9
写周期第3号（我们控制， OE低） ............. 9
订购信息................................................ ...... 10
订购代码定义......................................... 10
包图................................................ .......... 11
与缩略语................................................. ....................... 12
文档约定................................................ 12
计量单位............................................... ........ 12
文档历史记录页............................................... .. 13
销售，解决方案和法律信息...................... 14
全球销售和设计支持....................... 14
产品................................................. ................... 14
的PSoC解决方案................................................ ......... 14
文件编号： 001-06434修订版* C
第14页2
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
选购指南
-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
广告
广告
12
190
0.5
文件编号： 001-06434修订版* C
第14页3
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
...- 0.5 V至4.6 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.................................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
直流输入电压
[1]
.............................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3 V ± 0.3 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= 1/t
RC
广告
测试条件
V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
-12
民
2.4
–
2.2
–0.5
–1
–1
–
–
–
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
190
40
0.5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
自动CE掉电电流最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
-TTL输入
自动CE掉电电流最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
广告
-CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3 V
最大
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3 V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
R1 317
戴维南等效
产量
167
1.73 V
GND
上升时间： 1 V / ns的
3.3 V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
(b)
(a)
笔记
1. V
IL
（分钟）= -2.0 V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06434修订版* C
第14页4
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
开关特性
[4]
在整个工作范围
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[7, 8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
字节使能，以结束写的
12
10
10
0
0
10
7
0
3
–
10
–
–
–
–
–
–
–
–
–
6
–
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
12
–
3
–
–
0
–
3
–
0
–
–
0
–
–
12
–
12
6
–
6
–
6
–
12
6
–
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-12
民
最大
单位
笔记
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时为1.5伏，输入脉冲的0电平的参考电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容中的（b）部分被指定为
交流测试负载和波形第4页。
过渡测量± 500 mV的
从稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，和过渡要么
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06434修订版* C
第14页5
[+ ]反馈
1CY7C1041BNV33
CY7C1041BNV33
256K ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
低有功功率
- 612毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（商业L型）
- 1.8毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 660
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
功能说明
该CY7C1041BNV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1041BNV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06434修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
CY7C1041BNV33
选购指南
-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
Comm'l
Ind'l
Com'l / Ind'l
Com'l
L
12
190
-
8
0.5
-15
15
170
190
8
0.5
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 0.3V
电气特性
在整个工作范围
-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Comm'l
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
190
-
40
8
0.5
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
170
190
40
8
0.5
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
目前-TTL输入
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
- 0.3V ， Com'l / Ind'l
目前-CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，或
Com'l L
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
R1 317
戴维南等效
167
产量
1.73V
所有的输入脉冲
3.3V
90%
GND
上升时间： 1 V / ns的
10%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
(b)
(a)
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06434修订版**
第2页8
CY7C1041BNV33
开关特性
[4]
在整个工作范围
-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
-15
马克斯。
分钟。
15
12
15
3
12
6
15
7
0
6
7
3
6
7
0
12
6
15
7
0
6
7
15
12
12
0
0
12
8
0
3
6
7
12
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
12
3
0
3
0
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
字节使能，以结束写的
10
12
10
10
0
0
10
7
0
3
0
写周期
[7, 8]
数据保持特性
在整个工作范围
（当L版本）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[10]
分钟。
2.0
330
0
t
RC
马克斯。
单位
V
A
ns
ns
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，和过渡
这两种信号可以终止写。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
9. t
r
< 3纳秒为-12和-15速度。
10.没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
文件编号： 001-06434修订版**
第3页8
CY7C1041BNV33
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
3.0V
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
I
CC
I
SB
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
11.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 001-06434修订版**
第4页8
CY7C1041BNV33
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[14, 15]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
BW
BHE ， BLE
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
写周期2号（ BLE或BHE控制）
t
WC
地址
BHE ， BLE
t
SA
t
BW
t
AW
t
PWE
WE
t
SCE
CE
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
注意事项：
14.数据的I / O为高阻抗，如果OE或BHE和/或BLE = V
IH
.
15.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 001-06434修订版**
第5页8
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