APTM120DA29TG
升压斩波
MOSFET功率模块
VBUS
VBUS检测
NTC2
V
DSS
= 1200V
R
DSON
= 290mΩ (典型值) @ TJ = 25°C
I
D
= 34A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器,方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
符合RoHS
CR1
OUT
Q2
G2
S2
0 / VBU S
NTC1
G2
S2
OUT
VBUS
0/VBUS
OUT
VBUS
SENSE
S2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流(重复,不重复)
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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1–6
APTM120DA29TG-版本1
最大额定值
1200
34
25
136
±30
348
780
22
50
3000
单位
V
A
V
m
W
A
mJ
2006年7月
APTM120DA29TG
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
晶体管
二极管
2500
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.16
0.9
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
散热器来
M5
温度传感器NTC
(见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息) 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T:热敏电阻温度
1
R
T
:热敏电阻在T值
SP4封装外形
(单位:mm )
ALL DIMENSIO NS注明" * "有T OLERENCED AS :
请参阅应用笔记APT0501 - 安装说明书SP4电源模块上www.microsemi.com
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APTM120DA29TG-版本1
2006年7月
APTM120DA29TG
R
DS
(上) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
击穿电压与温度
BV
DSS
,漏源击穿
电压(归)
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
阈值电压与温度
1.2
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
I
D
,漏电流( A)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
电容VS漏极至源极电压
V
GS
,门源电压( V)
100000
C,电容(pF )
西塞
10000
科斯
1000
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏源极电压( V)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
80
160
240
320
400
480
栅极电荷( NC)
2006年7月
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
=17A
1000
100s
100
限于由R
DS
on
1ms
10
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1
10ms
1
1200
10
100
1000
V
DS
,漏源极电压( V)
栅极电荷VS门源电压
I
D
=34A
T
J
=25°C
V
DS
=240V
V
DS
=600V
V
DS
=960V
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APTM120DA29TG-版本1