特点
单2.7V - 3.6V电源
串行接口架构
页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 4096页（ 528字节/页）主内存
可选页和块擦除操作
两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器重新编程
内部的计划和控制的定时器
快速页编程时间 - 7毫秒典型
120
典型的页面，以缓冲传输时间
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
– 3
一种CMOS待机电流典型
13 MHz的最大时钟频率
硬件数据保护功能
串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
16-Megabit
2.7伏只
串行
数据闪存
AT45DB161
初步
描述
该AT45DB161是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合于-系
TEM重新编程。其17301504位存储器组织为4096页
528字节每个。除了在主存储器中， AT45DB161还包含两个
每528字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据
在主存储器页面进行重新编程。不同于传统的闪存memo-
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
串行输出
硬件页
写保护引脚
芯片复位
就绪/忙
GND
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SOIC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
NC
NC
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CBGA顶视图
通过包装
1
2
3
4
5
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
B
NC
SCK GND VCC
CS RDY / BSY WP
SO
NC
C
NC
D
NC
SI RESET NC
NC
NC
NC
E
NC
PLCC
CS
NC
NC
GND
VCC
NC
NC
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
TSOP顶视图
类型1
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
AT45DB161
初步16-
兆位2.7伏
只有串行
数据闪存
NC
NC
DC
DC
NC
NC
NC
14
15
16
17
18
19
20
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
牧师0807C - 07 / 98
注： PLCC封装引脚16
和17 DO NOT CONNECT
1
了与多个地址线随机访问里斯
和并行接口，所述数据闪存使用串行接口
面对以顺序地存取其数据。简单的串行接口
脸上有利于硬件布局，提高了系统的
可靠性，最大限度地降低开关噪声，并减少包装
规模和活跃引脚数。该设备在使用的优化
许多商业和工业应用中，高
密度，低引脚数，低电压和低功耗是
必不可少的。典型应用数据闪存的数字
语音存储，图像存储装置，和数据存储。该
器件工作的时钟频率高达13 MHz的带
为4 mA典型有效的读电流消耗。
为了让简单的系统内可重编程中，
AT45DB161不要求高输入电压为亲
编程。该器件采用单电源工作支持
P LY ， 2. 7V至3 6V ，福尔波个T他的公关OGR是一个可怕
操作。该AT45DB161通过芯片使能
通过三线接口选择引脚（ CS）和访问
由串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和
串行时钟（ SCK ） 。
所有的编程周期是自定时的，并没有单独的
编程前擦除周期。
框图
WP
闪存阵列
PAGE （ 528字节）
缓冲器1 （ 528字节）
缓冲液2 （ 528字节）
SCK
CS
RESET
V
CC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
存储阵列
为了提供最佳的灵活性，对存储器阵列
AT45DB161分为三个级别的粒度的COM
撬部门，块和页面。内存架构设计师用手工
tecture图说明了每个级别的细分和
详细说明的每个扇区和块的页数。所有亲
克操作的数据闪存出现逐页上
基础;然而，可选的擦除操作可per-
形成在所述块或页级别。
2
AT45DB161
AT45DB161
内存架构图
部门架构
扇区0
部门1
2区
3部门
4区
部门5
座建筑
扇区0
32块
（ 256页）
块0
1座
页面架构
8页
第0页
第1页
BLOCK 30
31座
BLOCK 32
块0
第6页
第7页
第8页
部门1
6部门
7部门
8部门
9部门
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
1座
BLOCK 33
第9页
第14页
第15页
第16页
第17页
第18页
10部门
11部门
12部门
13部门
BLOCK 65
BLOCK 66
BLOCK 509
14部门
BLOCK 510
15部门
BLOCK 511
PAGE 4093
PAGE 4094
PAGE 4095
部门= 135,168字节
(128K + 4K)
块= 4224个字节
(4K + 128)
页= 528个字节
(512 + 16)
设备操作
该设备的操作是由从指令控制
主处理器。的指令和他们的相关的列表
操作码中包含的表1和表2中的有效
指令开始的CS随后的下降沿
合适的8位操作码和所需的缓冲器或主
内存地址的位置。当CS引脚为低电平，触发
SCK引脚控制的操作码和加载
通过所需的缓冲区或主内存地址位置
在SI （串行输入）引脚。所有的指令，地址和
数据传输与最显著位（MSB ）在前。
内的页面。 32不在乎它跟随24位
地址位被发送到初始化读操作。跟着
哞哞叫的32无关位，在SCK脉冲的附加
结果以串行数据通过SO被输出（串行输出）
引脚。 CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码，地址位，和数据的读出。当
在一个主达到在主存储器中的页的结束
内存页读取，该设备将继续阅读在
开始在同一页的。低到高的转变
CS引脚将终止读操作和三态的
SO引脚。
缓冲区中读取：
数据可以从的任一个被读
两个缓冲器，采用不同的操作码，以指定哪一个缓冲区
从阅读。 54H的一个操作码被用来从读出的数据
缓冲器1和56H的一个操作码被用来从读出的数据
缓冲区2.要执行的缓冲区读取，则8位的
操作码必须跟14无关位， 10个地址
位和8无关位。由于缓冲器尺寸是528-
字节， 10位地址（ BFA9 - BFA0 ）需要指定
数据的第一个字节被从缓冲区中读出。 CS引脚
必须在操作码的装载过程中保持低，
地址位，不在乎位，并且数据的读取。
当达到缓冲器的末尾，则设备将CON组
tinue读回的缓冲区的开始。低到
读
通过指定适当的操作码，数据可以被读出
从主存储器或从所述两个数据中的任一个
缓冲区。
主存储器页读：
主存储器的读使
用户可以直接从4096中的任何一个读数据
在主存储器中的页面，绕过这两个数据缓冲的的
ERS和离开该缓冲器中的内容不变。对
启动读出的页， 8位的操作码， 52H ，其次是24
地址位和32无关位。在AT45DB161中，
前两个地址位被保留用于较大的密度
设备（参见第10页上的说明） ，在接下来的12个地址位
（ PA11 - PA0 ）中指定该网页的地址，下一个10
地址位（ BA9 - BA0 ）指定起始字节地址
3
在CS引脚为高电平跳变将终止读操作
化和三态SO引脚。
主内存页面缓冲转让：
一个页面
的数据可以从主存储器转移到任何
缓冲区1或2，缓冲8位操作码， 53H缓冲区1和
55H缓冲区2中，接着是两个保留比特，12个
地址位（ PA11 - PA0 ），这在主指定页面
要传送的存储器即，和10无关位。
CS引脚必须为低电平，同时切换SCK引脚加载
操作码，地址位，而不会从不在乎位
SI引脚。数据的页的从主传送
内存缓冲区将开始在CS引脚转换时
从低到高状态。中的页面转移
数据（T
XFR
） ，状态寄存器可以读取来确定
是否传输已完成或没有。
主内存页面缓冲比较：
的页面
在主存储器中的数据可以进行比较，以在缓冲器中的数据
1或2，缓冲8位操作码， 60H缓冲区1 61H的
缓冲器2，之后是24个地址位，包括两个
保留位， 12位地址（ PA11 - PA0 ）的规定
在网页中的主存储器是要比较的
缓冲液中， 10无关位。操作码的加载
和地址位是相同的，如前所述。
CS引脚必须为低电平，同时切换SCK引脚加载
操作码，地址位，而不会从不在乎位
SI引脚。在低到CS引脚的高转换时，
在所选择的主存储器页528个字节将被的COM
相比与528字节的缓冲区1或缓冲区2.在此
时间（t
XFR
） ，状态寄存器将指示该部分是
忙。在比较操作完成后，中位6
状态寄存器与所述比较的结果进行更新。
节目
缓冲区写：
数据可以从SI引脚移入
无论是进入缓冲区1或缓冲区2.将数据加载到任何
缓冲器，一个8位的操作码， 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2，
其次是14不在乎位和10位地址（ BFA9-
BFA0 ） 。的10位地址位中指定的第一个字节
缓冲器被写入。的数据被输入后的
地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该
设备将环绕回缓冲区的开始。
数据将继续被加载到缓冲器中，直到一个低到
高转换检测到CS引脚上。
缓冲区主要有记忆页编程
BUILT -IN ERASE ：
数据写入缓冲区要么1或缓冲区
2可被编程到主存储器中。一个8位
操作码83H为缓冲器1或86H为缓冲器2，其次是
两个保留位，12个地址位（ PA11 - PA0 ），该
在主存储器中指定的页面的写入，和10
另外无关位。当一个从低到高的转变
发生在CS引脚，该部分将首先删除所选
在主内存中，以全1页，然后程序中的数据
存储在缓冲器中复制到指定的页面在主
内存。同时擦除和页面的编程
在内部自定时的，应在一个马克西
吨的妈妈时间
EP
。在此期间，状态寄存器
指示该部分正忙。
BUFFER主存储器页编程与 -
OUT BUILT -IN ERASE ：
在一个以前删除页面
主存储器可以与内容进行编程
无论是缓冲器1或2，缓冲8位操作码， 88H缓冲1
或89H缓冲区2中，接着是两个保留比特，12个
地址位（ PA11 - PA0 ） ，在主指定的页面
存储器的写入，和10个额外的无关位。
当一个从低到高的转变发生在CS引脚，部分
将程序存储在缓冲器中复制到指定的数据
在主存储器中的页面。必要的是，在页
被编程的是主存储器一直previ-
ously删除。在页面的编程是在内部
自定时的，应在吨的最大时间
P
.
在此期间，状态寄存器将指示
一部分是忙。
页擦除：
可选的页擦除命令即可
用于单独擦除任意页面在主存储器中
阵列允许在缓冲区中的主存储器页编程
无内置擦除命令在以后加以利用
时间。要执行页擦除， 81H的操作码必须是
由两个保留位， 12装入装置中，随后
地址位（ PA11 - PA0 ） ，和10无关位。 12
地址位被用于指定存储器的哪些页
阵列是要被擦除。当一个从低到高的转变发生
CS引脚，该部分将删除选定的页面，以1秒。
擦除操作是内部自定时的，应采取
放置在吨的最大时间
PE
。在此期间，该状态
寄存器将指示该部分正忙。
BLOCK ERASE ：
八页的块可以被删除
一次允许在缓冲区中的主存储器页亲
克无内置擦除命令被用来
降低写入大量的编程时次
数据到该设备。要执行块擦除的操作码
50H必须被装载到该设备，后面是两个
保留位， 9位地址（ PA11 - PA3 ） ，和13没有
关注位。的9个地址位被用来指定哪些
的八页块是要被擦除。当低到高
转变发生在CS引脚，该部分将清除
八页，以1秒选定的块。擦除操作是
内部自定时的，应在最大
时间t
BE
。在此期间，状态寄存器将指示
该部分是忙。
4
AT45DB161
AT45DB161
块擦除寻址
PA11
0
0
0
0
1
1
1
1
PA10
0
0
0
0
1
1
1
1
PA9
0
0
0
0
1
1
1
1
PA8
0
0
0
0
1
1
1
1
PA7
0
0
0
0
1
1
1
1
PA6
0
0
0
0
1
1
1
1
PA5
0
0
0
0
1
1
1
1
PA4
0
0
1
1
0
0
1
1
PA3
0
1
0
1
0
1
0
1
PA2
X
X
X
X
X
X
X
X
PA1
X
X
X
X
X
X
X
X
PA0
X
X
X
X
X
X
X
X
块
0
1
2
3
508
509
510
511
主存储器页编程：
这个操作是
的缓冲区写缓冲区组合和主内存
页编程带内置擦除操作。数据是第一
移入缓冲区1或从SI引脚，然后缓存2亲
编程成在所述主存储器中的指定页面。一个8
位操作码， 82H缓冲区1 85H缓冲区2 ，接着
由两个预留位和22个地址位。 12个最
显著地址位（ PA11 - PA0 ）选择在页面
主存储器，其中的数据是要被写入，而在下一个10
地址位（ BFA9 - BFA0 ）选择在缓冲器中的第一个字节
被写入。之后所有的地址位被移位，所述部分
将数据从SI引脚和把它存储在数据中的一个
缓冲区。如果缓冲区的末尾为止，该装置将
绕回的缓冲区的开始。当
有一个从低到高的转变CS引脚，该部分
首先删除在主存储所选择的页面，全1，
接着编程存储在缓冲器到指定的数据
在主存储器中的页面。无论是擦除和编程
页面铭在内部自定时的，应采取
放置在一个最大的时间t
EP
。在此期间，该状态
寄存器将指示该部分正忙。
自动换页重写：
这种模式只需要多的话
内的数据的一个页面或多个页面的PLE字节是作案
田间以随机方式。此模式是两个组合
操作：主内存页，以缓冲传输和
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除。
数据的页被首先从主存储器转移到
缓冲器1或缓冲区2中，然后将相同的数据（来自缓冲器1
或缓冲液2 ）被编程入到原来的页面
主存储器。一个8位的操作码， 58H缓冲区1或59H为
缓冲器2，接着是两个保留比特，12个地址
位（ PA11 - PA0 ） ，在主内存中指定的页面
被改写，并且另外10个无关位。当低
到高的转变发生在CS引脚，该部分会先
从页面中主存储器的数据传输到一个缓冲器和
然后从缓冲器中的数据进行编程放回同一页
的主存储器。该操作是内部自定时的
应于吨的最大时间
EP
。在这
时，状态寄存器将指示该部分正忙。
如果一个扇区进行编程或重新编程顺序
逐页，然后在显示的编程算法
图1中被推荐。否则，如果在一个或多个字节
页面或多个页面都在一个仲随机编
器，然后在图2所示的编程算法是
推荐使用。
状态寄存器：
状态寄存器可用于
确定设备的就绪/忙状态的结果
主内存页，以缓冲比较操作，或
器件密度。读状态寄存器的操作码
57H必须被加载到设备中。之后的最后位
操作码偏移，则8位的状态寄存器的
首先是MSB （第7位） ，将被移出到SO
在接下来的8个时钟周期的引脚。五大最显
状态寄存器的位倾斜将包含设备信息
化，而剩余的三个最小显著位
保留以供将来使用，将具有未定义的值。
后位的状态寄存器的0已移出时，
顺序将重演（只要CS仍然很低，
SCK正在切换）与第7位，再次启动中的数据
状态寄存器是不断更新的，所以每一个重复
序列将输出新的数据。
Ready / Busy状态使用的状态第7位表示稳压
存器。如果第7位是1，那么该设备不忙并准备
以接受下一个命令。如果第7位是0 ，则该设备
处于忙碌状态。用户可以连续轮询位的7
状态寄存器停止SCK一次第7位被输出。
第7位的状态将继续通过SO引脚输出，
一旦设备不再忙，所以国家将
从0更改为1。有八种操作从而可以
5
特点
单2.7V - 3.6V电源
串行接口架构
页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 4096页（ 528字节/页）主内存
可选页和块擦除操作
两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器重新编程
内部的计划和控制的定时器
快速页编程时间 - 7毫秒典型
120 μs的典型页面来缓冲传输时间
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
- 3 μA CMOS待机电流典型
13 MHz的最大时钟频率
硬件数据保护功能
串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
16-megabit
2.7伏只
串行
数据闪存
AT45DB161
推荐使用
AT45DB161B新
设计。
描述
该AT45DB161是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合
在系统重新编程。其17301504位存储器被组织成4096
每528字节页。除了在主存储器中， AT45DB161还CON组
tains每528字节的两个SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收的数据
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
串行输出
硬件页
写保护引脚
芯片复位
就绪/忙
GND
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SOIC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
NC
NC
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CBGA顶视图
通过包装
1
2
3
4
5
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
B
NC
SCK GND VCC
CS RDY / BSY WP
SO
NC
C
NC
D
NC
SI RESET NC
NC
NC
NC
E
NC
PLCC
CS
NC
NC
GND
VCC
NC
NC
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
TSOP顶视图
类型1
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DC
DC
NC
NC
NC
14
15
16
17
18
19
20
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
牧师0807E - 1月1日
注： PLCC封装引脚16
和17 DO NOT CONNECT
1
而在主存储器中的页面进行重新编程。
不同于被访问随机传统的闪存
domly具有多个地址线和并行接口，
该数据闪存采用串行接口按顺序访问
它的数据。简单的串行接口便于硬件lay-
出，提高了系统的可靠性，最大限度地降低开关噪声，
并减少封装尺寸和积极的引脚数。该装置
用在许多商业和工业进行了优化
应用高密度，低引脚数，低电压，
和低功耗是必不可少的。典型应用
数据闪存的数字化语音存储，图像存储，并
数据的存储。该器件工作的时钟频率最高
到13 MHz的典型有效的读电流消耗
4毫安。
为了让简单的系统内可重编程中，
AT45DB161不要求高输入电压为亲
编程。该装置由一个单电源工作
电源， 2.7V至3.6V ，同时为编程和读取操作
系统蒸发散。该AT45DB161通过片选使能
引脚（ CS ），并通过一个三线接口，包括访问
串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和串行
时钟（ SCK ） 。
所有的编程周期是自定时的，并没有单独的
编程前擦除周期。
框图
WP
闪存阵列
PAGE （ 528字节）
缓冲器1 （ 528字节）
缓冲液2 （ 528字节）
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
存储阵列
为了提供最佳的灵活性，对存储器阵列
AT45DB161分为三个级别的粒度的COM
撬部门，块和页面。内存
架构图显示了每个细分
电平，并详细说明的每个扇区和块的页数。
所有程序操作的数据闪存出现在页面上
通过页面的基础;然而，可选的擦除操作
可以在块或页级执行。
2
AT45DB161
AT45DB161
内存架构图
部门架构
扇区0
部门1
2区
3部门
4区
部门5
座建筑
扇区0
32块
（ 256页）
块0
1座
页面架构
8页
第0页
第1页
BLOCK 30
31座
BLOCK 32
块0
第6页
第7页
第8页
部门1
6部门
7部门
8部门
9部门
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
1座
BLOCK 33
第9页
第14页
第15页
第16页
第17页
第18页
10部门
11部门
12部门
13部门
BLOCK 65
BLOCK 66
BLOCK 509
14部门
BLOCK 510
15部门
BLOCK 511
PAGE 4093
PAGE 4094
PAGE 4095
部门= 135,168字节
(128K + 4K)
块= 4224个字节
(4K + 128)
页= 528个字节
(512 + 16)
设备操作
该设备的操作是由从指令控制
主处理器。的指令和他们的相关的列表
操作码中包含的表1和表2中的有效
指令开始的CS随后的下降沿
合适的8位操作码和所需的缓冲器或主
内存地址的位置。当CS引脚为低电平，触发
SCK引脚控制的操作码和加载
通过所需的缓冲区或主内存地址位置
在SI （串行输入）引脚。所有的指令，地址和
数据传输与最显著位（MSB ）在前。
内的页面。 32不在乎它跟随24位
地址位被发送到初始化读操作。跟着
哞哞叫的32无关位，在SCK脉冲的附加
结果以串行数据通过SO被输出（串行输出）
引脚。 CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码，地址位，和数据的读出。当
在一个主达到在主存储器中的页的结束
内存页读取，该设备将继续阅读在
开始在同一页的。在由低到高的转变
CS引脚将终止读操作和三态的
SO引脚。
缓冲区中读取：
数据可以从的任一个被读
两个缓冲器，采用不同的操作码，以指定哪一个缓冲区
从阅读。 54H的一个操作码被用来从读出的数据
缓冲器1和56H的一个操作码被用来从读出的数据
缓冲区2.要执行的缓冲区读取，则8位的
操作码必须跟14无关位， 10个地址
位和8无关位。由于缓冲区大小为528
字节， 10位地址（ BFA9 - BFA0 ）需要指定
数据的第一个字节被从缓冲区中读出。 CS引脚
必须在操作码的装载过程中保持低，
地址位，不在乎位，并且数据的读取。
当到达缓冲器的结尾时，设备将
继续阅读后面的缓冲区的开始。一个低
到高的CS引脚将终止读转型
操作和三态SO引脚。
3
读
通过指定适当的操作码，数据可以被读出
从主存储器或从所述两个数据中的任一个
缓冲区。
主存储器页读：
主存储器的读使
用户可以直接从4096中的任何一个读数据
在主存储器中的页面，绕过这两个数据缓冲的的
ERS和离开该缓冲器中的内容不变。对
启动读出的页， 8位的操作码， 52H ，其次是24
地址位和32无关位。在AT45DB161中，
前两个地址位被保留用于较大的密度
设备（参见第10页上的说明） ，在接下来的12个地址位
（ PA11 - PA0 ）中指定该网页的地址，下一个10
地址位（ BA9 - BA0 ）指定起始字节地址
主内存页面缓冲转让：
一个页面
的数据可以从主存储器转移到任何
缓冲区1或2，缓冲8位操作码， 53H缓冲区1和
55H缓冲区2中，接着是两个保留比特，12个
地址位（ PA11 - PA0 ），这在主指定页面
要传送的存储器即，和10无关位。
CS引脚必须为低电平，同时切换SCK引脚加载
操作码，地址位，而不会从不在乎位
SI引脚。数据的页的从主传送
内存缓冲区将开始在CS引脚转换时
从低到高状态。中的页面转移
数据（T
XFR
） ，状态寄存器可以读取来确定
是否传输已完成或没有。
主内存页面缓冲比较：
一个页面
在主存储器中的数据可以进行比较，以在所述数据
缓冲区1或2，缓冲8位操作码， 60H缓冲区1和
61H缓冲区2 ，之后是24个地址位，包括
两个保留位，12个地址位（ PA11 - PA0 ），其
指定的页面在主存储器即得到的COM
相比于缓冲液中， 10无关位。的装载
如所描述的操作码和地址位是相同的
以前。 CS引脚必须为低电平，同时切换的SCK
引脚加载操作码，地址位，而不在乎
位从SI引脚。在CS的低到高的转变
销，在所选择的主存储器页的528字节将
可与528字节相比在缓冲器1或缓冲区2能很好地协同
荷兰国际集团这个时间（t
XFR
） ，状态寄存器将指示
一部分是忙。在比较操作完成后，第6位
的状态寄存器与的结果更新
进行比较。
发生在CS引脚，该部分将首先删除所选
在主内存中，以全1页，然后程序中的数据
存储在缓冲器中复制到指定的页面在主
内存。同时擦除和页面的编程
在内部自定时的，应在一个马克西
吨的妈妈时间
EP
。在此期间，状态寄存器
指示该部分正忙。
BUFFER主存储器页编程与 -
OUT BUILT -IN ERASE ：
在一个以前删除页面
主存储器可以与内容进行编程
无论是缓冲器1或2，缓冲8位操作码， 88H缓冲1
或89H缓冲区2中，接着是两个保留比特，12个
地址位（ PA11 - PA0 ） ，在主指定的页面
存储器的写入，和10个额外的无关位。
当低到高的转变发生在CS引脚上，
部分将程序存储在缓冲器中进入光谱数据
后指定的页面在主存储器中。必要的是该
被编程的是在主存页面已经
以前删除。在页面的编程接口
应受自定时的，应在一个最大时间
的t
P
。在此期间，状态寄存器将指示
该部分是忙。
页擦除：
可选的页擦除命令即可
用于单独擦除任意页面在主存储器中
阵列允许在缓冲区中的主存储器页编程
无内置擦除命令在以后加以利用
时间。要执行页擦除， 81H的操作码必须是
由两个保留位， 12装入装置中，随后
地址位（ PA11 - PA0 ） ，和10无关位。 12
地址位被用于指定存储器的哪些页
阵列是要被擦除。当发生由低到高的转变
CS引脚，该部分将删除选定的页面，以1秒。
擦除操作是内部自定时的，应采取
放置在吨的最大时间
PE
。在此期间，该状态
寄存器将指示该部分正忙。
BLOCK ERASE ：
八页的块可以被删除
一次允许在缓冲区中的主存储器页亲
克无内置擦除命令被用来
降低写入大量的编程时次
数据到该设备。要执行块擦除的操作码
50H必须被装载到该设备，后面是两个
保留位， 9位地址（ PA11 - PA3 ） ，和13没有
关注位。的9个地址位被用来指定哪些
的八页块是要被擦除。当使用低到高
转变发生在CS引脚，该部分将清除
八页，以1秒选定的块。擦除操作是
内部自定时的，应在最大
时间t
BE
。在此期间，状态寄存器将指示
该部分是忙。
节目
缓冲区写：
数据可以从SI引脚移入
无论是进入缓冲区1或缓冲区2.将数据加载到任何
缓冲器，一个8位的操作码， 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2，
其次是14不在乎位和10位地址（ BFA9-
BFA0 ） 。的10位地址位中指定的第一个字节
缓冲器被写入。的数据被输入后的
地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该
设备将环绕回缓冲区的开始。
数据将继续被加载到缓冲器中，直到一个低到
高转换检测到CS引脚上。
缓冲区主要有记忆页编程
BUILT -IN ERASE ：
数据写入缓冲区要么1或缓冲区
2可被编程到主存储器中。一个8位
操作码83H为缓冲器1或86H为缓冲器2，其次是
两个保留位，12个地址位（ PA11 - PA0 ），该
在主存储器中指定的页面的写入，和10
另外无关位。当低到高的转变
4
AT45DB161
AT45DB161
块擦除寻址
PA11
0
0
0
0
1
1
1
1
PA10
0
0
0
0
1
1
1
1
PA9
0
0
0
0
1
1
1
1
PA8
0
0
0
0
1
1
1
1
PA7
0
0
0
0
1
1
1
1
PA6
0
0
0
0
1
1
1
1
PA5
0
0
0
0
1
1
1
1
PA4
0
0
1
1
0
0
1
1
PA3
0
1
0
1
0
1
0
1
PA2
X
X
X
X
X
X
X
X
PA1
X
X
X
X
X
X
X
X
PA0
X
X
X
X
X
X
X
X
块
0
1
2
3
508
509
510
511
主存储器页编程：
这个操作是
的缓冲区写缓冲区组合和主内存
页编程带内置擦除操作。数据是第一
移入缓冲区1或从SI引脚，然后缓存2亲
编程成在所述主存储器中的指定页面。一
8位操作码， 82H缓冲区1或85H缓冲区2 ，是跟着
由两个预留位和22个地址位钮。 12
最显著的地址位（ PA11 - PA0 ）中选择页面
主存储器，其中的数据是要被写入，而在下一个
10位地址（ BFA9 - BFA0 ）选择在第一个字节
缓冲器被写入。毕竟地址位移入时，
部分将数据从SI引脚，并将其存储在一个
数据缓冲区。如果缓冲区的末尾为止，该装置
将绕回的缓冲区的开始。当
有CS引脚由低到高的转变，部分会
首先删除在主存储所选择的页面，全1，
接着编程存储在缓冲器到指定的数据
在主存储器中的页面。无论是擦除和编程
页面铭在内部自定时的，应采取
放置在一个最大的时间t
EP
。在此期间，该状态
寄存器将指示该部分正忙。
自动换页重写：
这种模式只需要多的话
在页面内的PLE字节或多个页面的数据是
改性以随机方式。这个模式是一个组合
两个操作：主内存页，以缓冲传输
和缓冲区到主存储器页编程与内置
擦除。数据的页被首先从主传送
存储到缓冲存储器1或缓冲区2中，然后将相同的数据
（从缓冲器1或缓冲液2 ）被编程回到它原来
主内存的最终页面。一个8位的操作码， 58H缓冲1
或59H缓冲区2中，接着是两个保留比特，12个
地址位（ PA11 - PA0 ） ，在主指定的页面
存储器被重写，和10个额外的无关位。
当低到高的转变发生在CS引脚上，
部分将首先从页面中主存储器的数据传输到
一个缓冲区，然后从缓冲器中的数据进行编程背面
到主存储器中的相同页面。该操作是在内部
自定时的，应在吨的最大时间
EP
.
在此期间，状态寄存器将指示
一部分是忙。
如果一个扇区进行编程或重新编程顺序
逐页，然后在显示的编程算法
图1 17页上的建议。否则，如果多
的PLE在一个页面字节或多个页面被编程
随机地在一个扇区，则编程算法
图2第18页上显示的建议。
状态寄存器：
状态寄存器可用于
确定设备的就绪/忙状态的结果
主内存页，以缓冲比较操作，或
器件密度。读状态寄存器的操作码
57H必须被加载到设备中。之后的最后位
操作码偏移，则8位的状态寄存器的
首先是MSB （第7位） ，将被移出到SO
在接下来的8个时钟周期的引脚。五个最显
状态寄存器的位倾斜将包含设备
信息，而剩余的三个最低显著位
被保留以供将来使用，并且将具有未定义的值。
后位的状态寄存器的0已移出时，
顺序将重演（只要CS仍然很低，
SCK正在切换）与第7位，再次启动中的数据
状态寄存器是不断更新的，所以每一个重复
序列将输出新的数据。
Ready / Busy状态使用的状态第7位表示稳压
存器。如果第7位是1，那么该设备不忙并准备
以接受下一个命令。如果第7位是0 ，则该设备
处于忙碌状态。用户可以连续轮询位的7
状态寄存器停止SCK一次第7位被输出。
第7位的状态将继续通过SO引脚输出，
一旦设备不再忙，所以国家将
从0更改为1。有八种操作从而可以
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