ZY系列
硅稳压二极管
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
分钟。
.205(5.2)
.166(4.1)
.034(.9)
.028(.7)
1.0(25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
DO- 41塑料包装
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
2
1)
单位
W
O
150
- 55至+ 150
C
C
O
有效的条件是引线保持在环境温度为10毫米的情况下的距离。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/04/2008 F é
ZY系列
特点在T
a
= 25
O
C
齐纳电压范围
1)
TYPE
ZY3.6
ZY3.9
ZY4.3
ZY4.7
ZY5.1
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
1)
2)
齐纳阻抗
Z
ZT
最大。 （ Ω ）
7
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
350
350
在我
ZT
mA
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
反向电压
V
R
MIN 。 （V ）
-
-
-
-
-
1.5
1.5
2
2
3.5
7.4
8.2
9.2
10
10.7
12
13.3
14.7
16.5
18.3
20.1
22.5
25.1
27.8
30.2
32.9
35.6
39.2
42.8
47.3
51.7
57.1
63.2
68.6
75.7
83.7
92.6
101.6
110.5
123
136
149
167
在我
R
A
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
Z
MIN 。 （V ）
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
MAX 。 （V ）
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
在升
ZT
mA
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
可受理
齐纳电流
在T
a
= 25
O
C
I
ZM
（MA ）
440
410
360
330
300
275
245
220
200
180
165
145
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
44
40
37
33
30
27
25
21
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8.5
8
7.5
TEMP 。 COEFF 。
齐纳电压
2)
αV
Z
在我
ZT
10
-4
/K
-7…+2
-7…+2
-7…+3
-7…+4
-6…+5
-3…+5
-1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
测试了脉冲TP = 5毫秒。
有效的条件是引线保持在环境温度为10毫米的情况下的距离。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/04/2008 F é
ZY系列
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/04/2008 F é
ZY1 ... ZY200 （ 2 W ）
ZY1 ... ZY200 （ 2 W ）
硅电源稳压二极管（非平面技术）
Silizium - Leistungs - 齐纳Dioden （ flchendiffundierte Dioden ）
版本2011-10-17
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
2.6
-0.1
2W
1...200 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳 - Kunststoffgehuse
62.5
-2.5
+0.5
TYPE
5.1
-0.1
重量约。 - Gewicht约
标记：
Stempelung ：
“Z ”加Zenervoltage
“Z ”加Zenerspannung
0.77
±0.07
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药白
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
Grenz- UND Kennwerte
ZY系列
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
2 W
1
)
60 W
-50...+150°C
-50...+175°C
＆ LT ; 45 K / W
1
)
＆ LT ; 15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该ZY1是在前进模式中操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白色带表示，具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管ZY1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzen 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
ZY1 ... ZY200 （ 2 W ）
最大额定值和特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
ZY1
3
)
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
0.71
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[Ω]
0.5 （小于1）
1 （小于3）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
Grenz- UND Kennwerte
(T
A
= 25°C德恩 - 编者安德斯spezifiziert ）
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
–
> 0.5 / 3 μA
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1500
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
ZY1 ... ZY200 （ 2 W ）
120
[%]
100
[A]
T
j
= 125°C
10
2
10
80
T
j
= 25°C
60
1
40
10
-1
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
I
F
10
-2
0.4
30a-(1a-1.1v)
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
功耗与环境温度）
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
正向特性（典型值）
Durchlasskennlinien （ typische Werte ）
[ pF的]
V
R
= 0V
V
R
= 4V
T
j
= 25°C
F = 1.0 MHz的
150
1
T
j
= 25°C
[马]
100
5,6
6,8
6,2
7,5
8,2
I
ZMAX
9,1
I
ZT
V
R
= 20V
V
R
= 40V
50
I
Z
I
Z
= 5毫安
C
j
0
0
V
Z
[V]
4
5
7
V
Z
2
3
6
8
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
[V]
10
结电容与齐纳电压（典型值）
Sperrschichtkapazitt在ABH 。 v.d. Zenerspg 。 （典型值）。
50
〔 K / W〕
50
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
40
I
ZMAX
30
20
T
j
= 25°C
I
ZT
L
10
R
THL
0
0
L
4
8
12
[mm]
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
典型值。热敏电阻与导线长度
典型值。千卡。 Widerst 。在ABH 。德Anschlusslnge
德欧泰克半导体公司
http://www.diotec.com/
3
ZY1 ， ZY3.6通ZY200
威世半导体
原通用半导体
齐纳二极管
V
Z
范围
1.0 ， 3.6 200V
功耗
2.0W
DO-204AM
1.0 (25.4)
分钟。
0.110 (2.79)
0.050 (1.27)
DIA 。
GE DED
10然
前ê
标签
VOL
特点
硅功率齐纳二极管。
对于使用稳定，并具有较高的削波电路
额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。较小的电压
公差可根据要求提供。
0.205 (5.20)
0.125 (3.18)
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.036 (0.91)
0.025 (0.64)
DIA 。
案例：
JEDEC DO- 204AM模压塑体
重量：
约。 0.34克
包装代码/选项：
E2 / 4K每个弹药弹匣。 （ 52毫米磁带） ， 20K /箱
13元“卷（ 52毫米磁带） ， 10K /盒E3 / 5K
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流（见表“特性” ）
在T功耗
AMB
= 25°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
符号
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
价值
2.0
(1)
60
(1)
150
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
°C
注意：
（1）有效的规定，引线被保持在环境温度下，在从壳体的距离为10mm 。
文档编号88418
02-May-02
www.vishay.com
1
ZY1 ， ZY3.6通ZY200
威世半导体
原通用半导体
电气特性
齐纳
电压
(2)
at
I
ZT
V
Z
(V)
0.71 … 0.82
3.4 ... 3.8
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 … 11.6
11.4 … 12.7
12.4 … 14.1
13.8 … 15.8
15.3 … 17.1
16.8 … 19.1
18.8 … 21.2
20.8 … 23.3
22.8 … 25.6
25.1 … 28.9
28 … 32
31 … 35
34 … 38
37 … 41
40 … 46
44 … 50
48 … 54
52 … 60
58 … 66
64 … 72
70 … 79
77 … 88
85 … 96
94 … 106
104 …116
114 … 127
124 … 141
138 … 156
153 …171
168 … 191
188 … 212
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
TYPE
ZY1
(3)
ZY3.6
ZY3.9
ZY4.3
ZY4.7
ZY5.1
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
动态
阻力
在我
ZT
F = 1千赫
最大
zj
()
1
7
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
350
350
TEMP 。 COEFF 。
齐纳伏。
at
I
ZT
α
VZ
(10
–4
/ K)
–26 … –16
–7 ... +2
–7 ... +2
–7 ... +3
–7 ... +4
–6 ... +5
–3 ... +5
–1 ... +6
0 ... +7
0 ... +7
+3 ... +8
+3 ... +8
+5 ... +9
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
反向
电压
at
I
R
= 1A
V
R
(V)
–
–
–
–
–
–
＆ GT ; 1.5
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
> 7.4
> 8.2
> 9.2
＆ GT ; 10
> 10.7
＆ GT ; 12
> 13.3
> 14.7
> 16.5
> 18.3
> 20.1
> 22.5
> 25.1
> 27.8
> 30.2
> 32.9
> 35.6
> 39.2
> 42.8
> 47.3
> 51.7
> 57.1
> 63.2
> 68.6
> 75.7
> 83.7
> 92.6
> 101.6
> 110.5
> 123
>136
> 149
> 167
可受理
齐纳电流
(1)
在T
AMB
= 25°C
I
Z
（MA ）
1000
440
410
360
330
300
275
245
220
200
180
165
145
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
44
40
37
33
30
27
25
21
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8.5
8
7.5
注意事项：
（1）在从情况下的距离为10毫米有效的规定，引线被保持在环境温度
（ 2 ）测试与脉冲吨
p
= 5毫秒
（3） ZY1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的参数的评分指标应为“ F”，而不是“ Z” 。连接阴极
导致负极
www.vishay.com
2
文档编号88418
02-May-02
ZY 1 ... ZY 200 （ 2 W ）
硅电-Z-二极管
（非平面技术）的
Silizium - Leistungs -Z- Dioden
（ flchendiffundierte Dioden ）
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
尺寸/集体单位为毫米
2W
1…200 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
参见第16页
世赫页首16
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER
internationalen Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫
Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热电阻交界处领导
Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschludraht
T
A
= 50
/
C
T
A
= 25
/
C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
2 W
1
)
60 W
– 50...+150
/
C
– 50...+175
/
C
＆ LT ; 45 K / W
1
)
＆ LT ; 15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
2
）测试与脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
3
）的ZY 1是一个二极管，在向前运行。作为阴极，通过一个环所指出的，要被连接到负极。
死ZY 1 IST EINE在Durchla betriebene Einzelchip二极管。
死第三人以书房环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
214
28.02.2002
ZY1 ... ZY200 （ 2 W ）
ZY1 ... ZY200 （ 2 W ）
硅电源稳压二极管（非平面技术）
Silizium - Leistungs - 齐纳Dioden （ flchendiffundierte Dioden ）
Version 2006-04-27
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
2.6
-0.1
2W
1...200 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
±0.5
TYPE
62.5
5.1
-0.1
0.8
±0.05
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药白
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
Grenz- UND Kennwerte
ZY系列
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
2 W
1
)
60 W
-50...+150°C
-50...+175°C
＆ LT ; 45 K / W
1
)
＆ LT ; 15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该ZY1是在前进模式中操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白色带表示，具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管ZY1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzen 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
ZY1 ... ZY200 （ 2 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
ZY1
3
)
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
0.71
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[]
0.5 （小于1）
1 （小于3）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于9）
5 （小于10）的
6 （小于12）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1
μA
V
R
[V]
–
> 0.5 / 3 μA
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1500
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
ZY1 ， ZY3.6通ZY200
威世半导体
原通用半导体
齐纳二极管
V
Z
范围
1.0 ， 3.6 200V
功耗
2.0W
DO-204AM
1.0 (25.4)
分钟。
0.110 (2.79)
0.050 (1.27)
DIA 。
GE DED
10然
前ê
标签
VOL
特点
硅功率齐纳二极管。
对于使用稳定，并具有较高的削波电路
额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。较小的电压
公差可根据要求提供。
0.205 (5.20)
0.125 (3.18)
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.036 (0.91)
0.025 (0.64)
DIA 。
案例：
JEDEC DO- 204AM模压塑体
重量：
约。 0.34克
包装代码/选项：
E2 / 4K每个弹药弹匣。 （ 52毫米磁带） ， 20K /箱
13元“卷（ 52毫米磁带） ， 10K /盒E3 / 5K
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流（见表“特性” ）
在T功耗
AMB
= 25°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
符号
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
价值
2.0
(1)
60
(1)
150
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
°C
注意：
（1）有效的规定，引线被保持在环境温度下，在从壳体的距离为10mm 。
文档编号88418
02-May-02
www.vishay.com
1
ZY1 ， ZY3.6通ZY200
威世半导体
原通用半导体
电气特性
齐纳
电压
(2)
at
I
ZT
V
Z
(V)
0.71 … 0.82
3.4 ... 3.8
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 … 11.6
11.4 … 12.7
12.4 … 14.1
13.8 … 15.8
15.3 … 17.1
16.8 … 19.1
18.8 … 21.2
20.8 … 23.3
22.8 … 25.6
25.1 … 28.9
28 … 32
31 … 35
34 … 38
37 … 41
40 … 46
44 … 50
48 … 54
52 … 60
58 … 66
64 … 72
70 … 79
77 … 88
85 … 96
94 … 106
104 …116
114 … 127
124 … 141
138 … 156
153 …171
168 … 191
188 … 212
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
TYPE
ZY1
(3)
ZY3.6
ZY3.9
ZY4.3
ZY4.7
ZY5.1
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
动态
阻力
在我
ZT
F = 1千赫
最大
zj
()
1
7
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
350
350
TEMP 。 COEFF 。
齐纳伏。
at
I
ZT
α
VZ
(10
–4
/ K)
–26 … –16
–7 ... +2
–7 ... +2
–7 ... +3
–7 ... +4
–6 ... +5
–3 ... +5
–1 ... +6
0 ... +7
0 ... +7
+3 ... +8
+3 ... +8
+5 ... +9
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
反向
电压
at
I
R
= 1A
V
R
(V)
–
–
–
–
–
–
＆ GT ; 1.5
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
> 7.4
> 8.2
> 9.2
＆ GT ; 10
> 10.7
＆ GT ; 12
> 13.3
> 14.7
> 16.5
> 18.3
> 20.1
> 22.5
> 25.1
> 27.8
> 30.2
> 32.9
> 35.6
> 39.2
> 42.8
> 47.3
> 51.7
> 57.1
> 63.2
> 68.6
> 75.7
> 83.7
> 92.6
> 101.6
> 110.5
> 123
>136
> 149
> 167
可受理
齐纳电流
(1)
在T
AMB
= 25°C
I
Z
（MA ）
1000
440
410
360
330
300
275
245
220
200
180
165
145
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
44
40
37
33
30
27
25
21
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8.5
8
7.5
注意事项：
（1）在从情况下的距离为10毫米有效的规定，引线被保持在环境温度
（ 2 ）测试与脉冲吨
p
= 5毫秒
（3） ZY1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的参数的评分指标应为“ F”，而不是“ Z” 。连接阴极
导致负极
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2
文档编号88418
02-May-02
ZY3.6 ZY200
V
Z
： 3.6 - 200伏
P
D
： 2瓦
产品特点：
*硅功率齐纳二极管
*高可靠性
*低漏电流
*无铅/符合RoHS免费
硅稳压二极管
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
机械数据
*案例： DO- 41模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.339克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
最大额定值
等级
DC功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
符号
P
合计
R
θ
JA
Tj
Ts
价值
2.0
(1)
60
(1)
150
- 55至+ 150
单位
W
° C / W
°C
°C
注意：
1）在从情况下的距离为10毫米有效的规定，引线被保持在环境温度
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
电气特性
（ TJ = 25
°C
除非另有规定）
齐纳电压
(2)
在我
ZT
V
Z
(V)
分钟。
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
168
马克斯。
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
动态
阻力
在我
ZT
马克斯。
zj
(
)
7
7
7
7
5
2
2
1
1
1
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
350
350
TEMP 。 COEFF 。
齐纳二极管
电压在我
ZT
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
最大
反向
在我
R
= 1
A
V
R
(V)
-
-
-
-
-
>1.5
>1.5
>2
>2
>3.5
>7.4
>8.2
>9.2
>10
>10.7
>12
>13.3
>14.7
>16.5
>18.3
>20.1
>22.5
>25.1
>27.8
>30.2
>32.9
>35.6
>39.2
>42.8
>47.3
>51.7
>57.1
>63.2
>68.6
>75.7
>83.7
>92.6
>101.6
>110.5
>123
>136
>149
>167
可受理
齐纳电流
(1)
在Ta = 25
°
C
I
Z
（MA ）
440
410
360
330
300
275
245
220
200
180
165
145
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
44
40
37
33
30
27
25
21
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8.5
8
7.5
型号
α
VZ
(10
-4
/K)
-7…+2
-7…+2
-7…+3
-7…+4
-6…+5
-3…+5
-1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9 … +13
ZY3.6
ZY3.9
ZY4.3
ZY4.7
ZY5.1
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
笔记
： 1）在从情况下的距离为10毫米有效的规定，引线被保持在环境温度
2 ）测试与脉冲TP = 5毫秒
第2页2
启示录02 ： 2005年3月25日
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