ZXMN7A11K
70V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 70V ，R
DS （ ON）
=0.13
I
D
=6.1A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低效益的导通电阻与快
开关速度。这使它们非常适用于高效率，低电压
电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
DPAK封装
D
G
S
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
D类音频输出级
D
D
订购信息
设备
ZXMN7A11KTC
带尺寸
（英寸）
13
胶带宽度
(mm)
16
QUANTITY每卷
2,500
G
S
引脚 - 顶视图
器件标识
ZXMN
7A11
第2期 - 2006年8月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXMN7A11K
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ D）
线性降额因子
工作和存储温度范围
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
70
±20
6.1
4.9
4.2
17
8.7
17
4.06
32.4
P
D
8.5
68
P
D
2.11
16.8
T
j
, T
英镑
-55到+150
°C
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
A
A
A
W
毫瓦/°C的
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
结到环境
结到环境
符号
R
JA
R
JA
R
JA
极限
30.8
14.7
59.1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，以
静止空气条件。
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t
10秒。
（三）重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
（四）对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
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捷特科PLC 2006
2
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ZXMN7A11K
电气特性（在环境温度Tamb = 25° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
门体漏
静态漏源导通状态
阻力
(*)
V
（ BR ） DSS
70
1
100
1.0
0.13
0.19
4.66
S
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 70V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.4A
VGS = 4.5V ，ID = 3.8A
VDS = 15V ，ID = 4.4A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
零栅极电压漏极电流I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
门源阈值电压V
GS （ TH）
正向跨导
(*)()
g
fs
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
298
35
21
pF
pF
pF
V
DS
= 40V, V
GS
=0V
f=1MHz
1.9
2
11.5
5.8
4.35
7.4
1.06
1.8
0.85
19.8
14
0.95
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
ns
nC
V
DS
=35V, V
GS
= 10V
I
D
= 4.4A
V
DS
= 35V, V
GS
= 5V
I
D
= 4.4A
V
DD
= 35V ，我
D
= 1A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.5A,
的di / dt = 100A / S
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
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摘要
V
（ BR ） DSS
= 70V ，R
DS （ ON）
=0.13
I
D
=6.1A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低效益的导通电阻与快
开关速度。这使它们非常适用于高效率，低电压
电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
DPAK封装
D
G
S
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
D类音频输出级
D
D
订购信息
设备
ZXMN7A11KTC
带尺寸
（英寸）
13
胶带宽度
(mm)
16
QUANTITY每卷
2,500
G
S
引脚 - 顶视图
器件标识
ZXMN
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1
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绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ D）
线性降额因子
工作和存储温度范围
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
70
±20
6.1
4.9
4.2
17
8.7
17
4.06
32.4
P
D
8.5
68
P
D
2.11
16.8
T
j
, T
英镑
-55到+150
°C
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
A
A
A
W
毫瓦/°C的
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
结到环境
结到环境
符号
R
JA
R
JA
R
JA
极限
30.8
14.7
59.1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，以
静止空气条件。
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t
10秒。
（三）重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
（四）对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
第2期 - 2006年8月
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电气特性（在环境温度Tamb = 25° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
门体漏
静态漏源导通状态
阻力
(*)
V
（ BR ） DSS
70
1
100
1.0
0.13
0.19
4.66
S
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 70V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.4A
VGS = 4.5V ，ID = 3.8A
VDS = 15V ，ID = 4.4A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
零栅极电压漏极电流I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
门源阈值电压V
GS （ TH）
正向跨导
(*)()
g
fs
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
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C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
298
35
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pF
pF
pF
V
DS
= 40V, V
GS
=0V
f=1MHz
1.9
2
11.5
5.8
4.35
7.4
1.06
1.8
0.85
19.8
14
0.95
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
ns
nC
V
DS
=35V, V
GS
= 10V
I
D
= 4.4A
V
DS
= 35V, V
GS
= 5V
I
D
= 4.4A
V
DD
= 35V ，我
D
= 1A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.5A,
的di / dt = 100A / S
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
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