ZY1 ... ZY200 ( 2 W )
ZY1 ... ZY200 ( 2 W )
硅电源稳压二极管(非平面技术)
Silizium - Leistungs - 齐纳Dioden ( flchendiffundierte Dioden )
Version 2006-04-27
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
2.6
-0.1
2W
1...200 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
±0.5
TYPE
62.5
5.1
-0.1
0.8
±0.05
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药白
在弹药,包装标准Lieferform gegurtet
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级,国际E 24 ( ± 5 %)的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 ( ± 5 % ) 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗, T& LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung , T& LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
Grenz- UND Kennwerte
ZY系列
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
2 W
1
)
60 W
-50...+150°C
-50...+175°C
& LT ; 45 K / W
1
)
& LT ; 15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
有效的,如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ,德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该ZY1是在前进模式中操作的二极管。因此,所有参数的指数应为“ F”,而不是“ Z” 。
阴极,由一个白色带表示,具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管ZY1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzen 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
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德欧泰克半导体公司
1
ZY1 ... ZY200 ( 2 W )
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
ZY1
3
)
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
0.71
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[]
0.5 (小于1)
1 (小于3)
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
2 (小于4)
2 (小于4)
4 (小于7)
4 (小于7)
5 (小于9)
5 (小于10)的
6 (小于12)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
7 (小于15)的
7 (小于15)的
8 (小于15)的
8 (小于15)的
16 ( <40 )
20 (小于40)的
24 ( <45 )
24 ( <45 )
25 (小于60)的
25 (小于60)的
25 (小于80)的
25 (小于80)的
30 (小于100)
30 (小于100)
40 ( <200 )
60 ( <200 )
80 ( <250 )
80 ( <250 )
90 ( <300 )
100 ( <300 )
110 ( <350 )
120 (小于350)
150 (小于350)
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1
μA
V
R
[V]
–
> 0.5 / 3 μA
& GT ; 1.5
>2
>2
& GT ; 3.5
& GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 12
& GT ; 12
& GT ; 14
& GT ; 14
& GT ; 17
& GT ; 17
& GT ; 20
& GT ; 20
& GT ; 24
& GT ; 24
& GT ; 28
& GT ; 28
& GT ; 34
& GT ; 34
& GT ; 41
& GT ; 41
& GT ; 50
& GT ; 50
& GT ; 60
& GT ; 60
& GT ; 75
& GT ; 75
& GT ; 90
& GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1500
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
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德欧泰克半导体公司
2
ZY1 , ZY3.6通ZY200
威世半导体
原通用半导体
齐纳二极管
V
Z
范围
1.0 , 3.6 200V
功耗
2.0W
DO-204AM
1.0 (25.4)
分钟。
0.110 (2.79)
0.050 (1.27)
DIA 。
GE DED
10然
前ê
标签
VOL
特点
硅功率齐纳二极管。
对于使用稳定,并具有较高的削波电路
额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。较小的电压
公差可根据要求提供。
0.205 (5.20)
0.125 (3.18)
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.036 (0.91)
0.025 (0.64)
DIA 。
案例:
JEDEC DO- 204AM模压塑体
重量:
约。 0.34克
包装代码/选项:
E2 / 4K每个弹药弹匣。 ( 52毫米磁带) , 20K /箱
13元“卷( 52毫米磁带) , 10K /盒E3 / 5K
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流(见表“特性” )
在T功耗
AMB
= 25°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
符号
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
价值
2.0
(1)
60
(1)
150
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
°C
注意:
(1)有效的规定,引线被保持在环境温度下,在从壳体的距离为10mm 。
文档编号88418
02-May-02
www.vishay.com
1
ZY1 , ZY3.6通ZY200
威世半导体
原通用半导体
电气特性
齐纳
电压
(2)
at
I
ZT
V
Z
(V)
0.71 … 0.82
3.4 ... 3.8
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 … 11.6
11.4 … 12.7
12.4 … 14.1
13.8 … 15.8
15.3 … 17.1
16.8 … 19.1
18.8 … 21.2
20.8 … 23.3
22.8 … 25.6
25.1 … 28.9
28 … 32
31 … 35
34 … 38
37 … 41
40 … 46
44 … 50
48 … 54
52 … 60
58 … 66
64 … 72
70 … 79
77 … 88
85 … 96
94 … 106
104 …116
114 … 127
124 … 141
138 … 156
153 …171
168 … 191
188 … 212
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
TYPE
ZY1
(3)
ZY3.6
ZY3.9
ZY4.3
ZY4.7
ZY5.1
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
动态
阻力
在我
ZT
F = 1千赫
最大
zj
()
1
7
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
350
350
TEMP 。 COEFF 。
齐纳伏。
at
I
ZT
α
VZ
(10
–4
/ K)
–26 … –16
–7 ... +2
–7 ... +2
–7 ... +3
–7 ... +4
–6 ... +5
–3 ... +5
–1 ... +6
0 ... +7
0 ... +7
+3 ... +8
+3 ... +8
+5 ... +9
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
TEST
当前
I
ZT
(MA )
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
反向
电压
at
I
R
= 1A
V
R
(V)
–
–
–
–
–
–
& GT ; 1.5
& GT ; 1.5
>2
>2
& GT ; 3.5
> 7.4
> 8.2
> 9.2
& GT ; 10
> 10.7
& GT ; 12
> 13.3
> 14.7
> 16.5
> 18.3
> 20.1
> 22.5
> 25.1
> 27.8
> 30.2
> 32.9
> 35.6
> 39.2
> 42.8
> 47.3
> 51.7
> 57.1
> 63.2
> 68.6
> 75.7
> 83.7
> 92.6
> 101.6
> 110.5
> 123
>136
> 149
> 167
可受理
齐纳电流
(1)
在T
AMB
= 25°C
I
Z
(MA )
1000
440
410
360
330
300
275
245
220
200
180
165
145
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
44
40
37
33
30
27
25
21
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8.5
8
7.5
注意事项:
(1)在从情况下的距离为10毫米有效的规定,引线被保持在环境温度
( 2 )测试与脉冲吨
p
= 5毫秒
(3) ZY1是在向前方向操作的硅二极管。因此,所有的参数的评分指标应为“ F”,而不是“ Z” 。连接阴极
导致负极
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2
文档编号88418
02-May-02
ZY3.6 ZY200
V
Z
: 3.6 - 200伏
P
D
: 2瓦
产品特点:
*硅功率齐纳二极管
*高可靠性
*低漏电流
*无铅/符合RoHS免费
硅稳压二极管
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
机械数据
*案例: DO- 41模压塑料
*环氧: UL94V -O率阻燃
*铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量: 0.339克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
最大额定值
等级
DC功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
符号
P
合计
R
θ
JA
Tj
Ts
价值
2.0
(1)
60
(1)
150
- 55至+ 150
单位
W
° C / W
°C
°C
注意:
1)在从情况下的距离为10毫米有效的规定,引线被保持在环境温度
第1页2
启示录02 : 2005年3月25日
电气特性
( TJ = 25
°C
除非另有规定)
齐纳电压
(2)
在我
ZT
V
Z
(V)
分钟。
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
168
马克斯。
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
动态
阻力
在我
ZT
马克斯。
zj
(
)
7
7
7
7
5
2
2
1
1
1
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
350
350
TEMP 。 COEFF 。
齐纳二极管
电压在我
ZT
TEST
当前
I
ZT
(MA )
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
最大
反向
在我
R
= 1
A
V
R
(V)
-
-
-
-
-
>1.5
>1.5
>2
>2
>3.5
>7.4
>8.2
>9.2
>10
>10.7
>12
>13.3
>14.7
>16.5
>18.3
>20.1
>22.5
>25.1
>27.8
>30.2
>32.9
>35.6
>39.2
>42.8
>47.3
>51.7
>57.1
>63.2
>68.6
>75.7
>83.7
>92.6
>101.6
>110.5
>123
>136
>149
>167
可受理
齐纳电流
(1)
在Ta = 25
°
C
I
Z
(MA )
440
410
360
330
300
275
245
220
200
180
165
145
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
44
40
37
33
30
27
25
21
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8.5
8
7.5
型号
α
VZ
(10
-4
/K)
-7…+2
-7…+2
-7…+3
-7…+4
-6…+5
-3…+5
-1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9 … +13
ZY3.6
ZY3.9
ZY4.3
ZY4.7
ZY5.1
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
笔记
: 1)在从情况下的距离为10毫米有效的规定,引线被保持在环境温度
2 )测试与脉冲TP = 5毫秒
第2页2
启示录02 : 2005年3月25日
大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 , ISO 9001和ISO 14001认证的公司
硅玻璃钝化2.0 WATT ZENER DIODES
ZY7.5V到ZY47V
DO- 41
轴向玻璃封装
对于稳定和削波电路与高额定功率的使用
绝对最大额定值
描述
功率耗散@ T
a
=25C
结温
存储温度范围
热阻
结到环境中的自由空气
符号
*P
D
T
j
T
英镑
价值
2
150
- 55至+ 150
单位
W
C
C
*R
号(j -a)的
60
K / W
*在从情况下的距离为10mm有效的规定,引线被保持在环境温度
电气特性(T
a
= 25C除非另有规定)V
F
<1.1V @ 1A
**齐纳电压动态电阻
装置#
温度。 COEFF
TEST
反向
@ I
ZT
@ I
ZT
当前
电压
齐纳电压
@ I
Z
TEST
@ I
Z
TEST
@ I
R =
1
A
f=1KHz
民
最大
(最大)
V
Z
(V)
r
zj
( )
I
ZT
(MA )
V
R
(V)
α
V
Z
10
-4/K
2
ZY7.5
7.0
7.9
-0……+7
100
>2.0
2
ZY8.2
7.7
8.7
+3……+8
100
>3.5
4
ZY9.1
8.5
9.6
+3……+8
50
>7.4
4
ZY10
9.4
10.6
+5……+9
50
>8.2
7
ZY11
10.4
11.6
+5……+10
50
>9.2
7
ZY12
11.4
12.7
+5……+10
50
>10
10
ZY13
12.4
14.1
+5……+10
50
>10.7
10
ZY15
13.8
15.8
+5……+10
50
>12
15
ZY16
15.3
17.1
+6……+11
25
>13.3
15
ZY18
16.8
19.1
+6……+11
25
>14.7
15
ZY20
18.8
21.2
+6……+11
25
>16.5
15
ZY22
20.8
23.3
+6……+11
25
>18.3
15
ZY24
22.8
25.6
+6……+11
25
>20.1
15
ZY27
25.1
28.9
+6……+11
25
>22.5
15
ZY30
28
32
+6……+11
25
>25.1
15
ZY33
31
35
+6……+11
25
>27.8
40
ZY36
34
38
+6……+11
10
>30.2
40
ZY39
37
41
+6……+11
10
>32.9
45
ZY43
40
46
+7……+12
10
>35.6
45
ZY47
44
50
+7……+12
10
>39.2
**测试与脉冲吨
p
=5ms
***在从情况下的距离为10mm有效的规定,引线被保持在环境温度
ZY7.5_47V牧师_2 050604E
***容许
齐纳电流
@ T
a
=45C
I
Z
(MA )
200
180
165
145
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
4
40
37
33
30
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3
客户注意事项
ZY7.5V到ZY47V
DO- 41
轴向玻璃封装
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件( S)最适合的
在你的产品( S)按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表( S) ,以
确认设备(S )满足功能参数,为您的应用程序。装修中的数据表,并在该信息
CDIL网站/ CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而,不承担责任,不准确或
不完整的信息。此外, CDIL不承担任何责任,由此产生的任何CDIL的应用或使用
产品;它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品(或者作为单独的分立半导体器件
或者在他们的终端产品结合),在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己的风险和
CDIL将不负责对此类销售(S )造成的任何损坏。
CDIL求持续改进,并保留更改产品规格,恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区,新德里110 028 ,印度。
电话:+ 91-11-2579 6150 , 5141 1112传真:+ 91-11-2579 5290 , 5141 1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
ZY7.5_47V牧师_2 050604E
大陆设备印度有限公司
数据表
第3页3
ZY1 ... ZY200 ( 2 W )
ZY1 ... ZY200 ( 2 W )
硅电源稳压二极管(非平面技术)
Silizium - Leistungs - 齐纳Dioden ( flchendiffundierte Dioden )
版本2011-10-17
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
2.6
-0.1
2W
1...200 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
塑料外壳 - Kunststoffgehuse
62.5
-2.5
+0.5
TYPE
5.1
-0.1
重量约。 - Gewicht约
标记:
Stempelung :
“Z ”加Zenervoltage
“Z ”加Zenerspannung
0.77
±0.07
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药白
在弹药,包装标准Lieferform gegurtet
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级,国际E 24 ( ± 5 %)的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 ( ± 5 % ) 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
不重复峰值功耗, T& LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung , T& LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
Grenz- UND Kennwerte
ZY系列
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
2 W
1
)
60 W
-50...+150°C
-50...+175°C
& LT ; 45 K / W
1
)
& LT ; 15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
2
3
有效的,如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ,德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该ZY1是在前进模式中操作的二极管。因此,所有参数的指数应为“ F”,而不是“ Z” 。
阴极,由一个白色带表示,具有被连接到负极。
死在Durchlass betriebene硅二极管ZY1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzen 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
ZY1 ... ZY200 ( 2 W )
最大额定值和特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
ZY1
3
)
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
0.71
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[Ω]
0.5 (小于1)
1 (小于3)
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
1 ( 2 )
2 (小于4)
2 (小于4)
4 (小于7)
4 (小于7)
5 (小于10)的
5 (小于10)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
6 (小于15)的
7 (小于15)的
7 (小于15)的
8 (小于15)的
8 (小于15)的
16 ( <40 )
20 (小于40)的
24 ( <45 )
24 ( <45 )
25 (小于60)的
25 (小于60)的
25 (小于80)的
25 (小于80)的
30 (小于100)
30 (小于100)
40 ( <200 )
60 ( <200 )
80 ( <250 )
80 ( <250 )
90 ( <300 )
100 ( <300 )
110 ( <350 )
120 (小于350)
150 (小于350)
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
Grenz- UND Kennwerte
(T
A
= 25°C德恩 - 编者安德斯spezifiziert )
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
–
> 0.5 / 3 μA
& GT ; 1.5
>2
>2
& GT ; 3.5
& GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 10
& GT ; 12
& GT ; 12
& GT ; 14
& GT ; 14
& GT ; 17
& GT ; 17
& GT ; 20
& GT ; 20
& GT ; 24
& GT ; 24
& GT ; 28
& GT ; 28
& GT ; 34
& GT ; 34
& GT ; 41
& GT ; 41
& GT ; 50
& GT ; 50
& GT ; 60
& GT ; 60
& GT ; 75
& GT ; 75
& GT ; 90
& GT ; 90
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1500
333
303
278
253
230
208
189
172
157
142
128
117
105
94
86
78
69
63
57
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
19
17
16
14
13
12
10
9
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
ZY1 ... ZY200 ( 2 W )
120
[%]
100
[A]
T
j
= 125°C
10
2
10
80
T
j
= 25°C
60
1
40
10
-1
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
I
F
10
-2
0.4
30a-(1a-1.1v)
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
功耗与环境温度)
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
正向特性(典型值)
Durchlasskennlinien ( typische Werte )
[ pF的]
V
R
= 0V
V
R
= 4V
T
j
= 25°C
F = 1.0 MHz的
150
1
T
j
= 25°C
[马]
100
5,6
6,8
6,2
7,5
8,2
I
ZMAX
9,1
I
ZT
V
R
= 20V
V
R
= 40V
50
I
Z
I
Z
= 5毫安
C
j
0
0
V
Z
[V]
4
5
7
V
Z
2
3
6
8
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
[V]
10
结电容与齐纳电压(典型值)
Sperrschichtkapazitt在ABH 。 v.d. Zenerspg 。 (典型值)。
50
〔 K / W〕
50
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
40
I
ZMAX
30
20
T
j
= 25°C
I
ZT
L
10
R
THL
0
0
L
4
8
12
[mm]
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
典型值。热敏电阻与导线长度
典型值。千卡。 Widerst 。在ABH 。德Anschlusslnge
德欧泰克半导体公司
http://www.diotec.com/
3
ZY 1 ... ZY 200 ( 2 W )
硅电-Z-二极管
(非平面技术)的
Silizium - Leistungs -Z- Dioden
( flchendiffundierte Dioden )
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
尺寸/集体单位为毫米
2W
1…200 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
标准包装录音中的弹药盒
在弹药,包装标准Lieferform gegurtet
参见第16页
世赫页首16
标准的齐纳电压容差分级,国际E 24 ( 5 %)的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER
internationalen Reihe街上E 24 ( 5 % ) 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫
Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗, T& LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung , T& LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热电阻交界处领导
Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschludraht
T
A
= 50
/
C
T
A
= 25
/
C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THL
2 W
1
)
60 W
– 50...+150
/
C
– 50...+175
/
C
& LT ; 45 K / W
1
)
& LT ; 15 K / W
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
)有效,如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ,德恩死Anschludrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
2
)测试与脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
3
)的ZY 1是一个二极管,在向前运行。作为阴极,通过一个环所指出的,要被连接到负极。
死ZY 1 IST EINE在Durchla betriebene Einzelchip二极管。
死第三人以书房环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
214
28.02.2002
ZY1 , ZY11 THRU ZY200
齐纳二极管
DO- 41塑料
特点
广颖电通齐纳二极管
对于稳定和削波电路用
具有高的额定功率
分钟。 1.0 ( 25.4 )
马克斯。
0.11 (2.7)
最大。 0.20 (5.2)
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更小的电压容
元代可根据要求提供。
阴极
标志
分钟。 1.0 ( 25.4 )
马克斯。
0.035 (0.9)
机械数据
尺寸单位:英寸(毫米)
案例:
DO- 41塑料外壳
重量:
约。 0.34克
最大额定值
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
价值
单位
齐纳电流(见表“特性” )
在环境温度Tamb功耗= 25°C
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
2.0
1)
150
- 55 + 150
瓦
°C
°C
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热阻
结到环境空气
R
thJA
–
–
60
1)
° C / W
注意事项:
(1)有效的规定,引线被保持在环境温度下,以10mm的情况下的距离。
12/16/98
ZY1 , ZY11 THRU ZY200
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
齐纳
电压
(2)
at
I
ZT
TYPE
ZY1
(3)
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
V
Z
(V)
0.71 … 0.82
10.4 … 11.6
11.4 … 12.7
12.4 … 14.1
13.8 … 15.8
15.3 … 17.1
16.8 … 19.1
18.8 … 21.2
20.8 … 23.3
22.8 … 25.6
25.1 … 28.9
28 … 32
31 … 35
34 … 38
37 … 41
40 … 46
44 … 50
48 … 54
52 … 60
58 … 66
64 … 72
70 … 79
77 … 88
85 … 96
94 … 106
104 …116
114 … 127
124 … 141
138 … 156
153 …171
168 … 191
188 … 212
动态
阻力
在我
ZT
F = 1千赫
最大
r
zj
()
0.5 ( < 1 )
4 ( < 7 )
4 ( < 7 )
5 ( < 10 )
5 ( < 10 )
6 ( < 15 )
6 ( < 15 )
6 ( < 15 )
6 ( < 15 )
7 ( < 15 )
7 ( < 15 )
8 ( < 15 )
8 ( < 15 )
21 ( < 40 )
21 ( < 40 )
24 ( < 45 )
24 ( < 45 )
25 ( < 60 )
25 ( < 60 )
25 ( < 80 )
25 ( < 80 )
30 ( < 100 )
30 ( < 100 )
60 ( < 200 )
60 ( < 200 )
80 ( < 250 )
80 ( < 250 )
110 ( < 300 )
110 ( < 300 )
150 ( < 350 )
150 ( < 350 )
150 ( < 350 )
TEMP 。 COEFF 。
齐纳伏。
at
I
ZT
TEST
当前
I
ZT
(MA )
100
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
反向
电压
at
I
R
= 0.5A
V
R
(V)
_
> 9.2
& GT ; 10
> 10.7
& GT ; 12
> 13.3
> 14.7
> 16.5
> 18.3
> 20.1
> 22.5
> 25.1
> 27.8
> 30.2
> 32.9
> 35.6
> 39.2
> 42.8
> 47.3
> 51.7
> 57.1
> 63.2
> 68.6
> 75.7
> 83.7
> 92.6
> 101.6
> 110.5
> 123
>136
> 149
> 167
可受理
齐纳电流
(1)
在T
AMB
= 25°C
I
Z
(MA )
1000
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
44
40
37
33
30
27
25
21
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8.5
8
7.5
α
VZ
(10
–4
/ K)
-26 … -16
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
注意事项:
(1)在从情况下的距离为10毫米有效的规定,引线被保持在环境温度
( 2 )测试与脉冲吨
p
= 5毫秒
(3) ZY1是在向前方向操作的硅二极管。因此,所有的参数的评分指标应为“ F”,而不是“ Z” 。连接的阴极引线接
负极
额定值和特性曲线ZY1 , ZY11 THRU ZY200
额定值和特性曲线ZY1 , ZY11 THRU ZY200
额定值和特性曲线ZY1 , ZY11 THRU ZY200
ZY11 - ZY200
广颖电稳压二极管
特点
·
·
·
2瓦的功率耗散
齐纳电压从11V - 200V
按国际标准E24分级
A
B
A
D
C
机械数据
·
·
·
·
·
案例:玻璃, DO- 41
线索:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
极性:负极频带
标记:型号数量
重量:0.57克数(大约)
DO-41
暗淡
A
B
C
D
民
25.4
4.1
0.71
2.0
尺寸:mm
最大
—
5.2
0.86
2.7
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
—
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
—
2
62.5
-55到+150
单位
—
W
K / W
°C
齐纳电流(见表第2页)
最大功率耗散(注1 )
热阻结到环境空气(注1 )
工作和存储温度范围
注意事项:
1.有效的规定,引线被保持在环境温度下,在从壳体的距离为10mm 。
DS21406修订版E-3
1第3
ZY11-ZY200
电气特性(续)
TYPE
数
齐纳
电压(注2 )
V
Z
@ I
ZT
伏
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
10.4 - 11.6
11.4 - 12.7
12.4 - 14.1
13.8 - 15.8
15.3 - 17.1
16.8 - 19.1
18.8 - 21.2
20.8 - 23.3
22.8 - 25.6
25.1 - 28.9
28 - 32
31 - 35
34 - 38
37 - 41
40 - 46
44 - 50
48 - 54
52 - 60
58 - 66
64 - 72
70 - 79
77 - 88
85 - 96
94 - 106
104 - 116
114 - 127
124 - 141
138 - 156
153 - 171
168 - 191
188 - 212
@ T
j
= 25°C除非另有说明
最大
动态
阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
欧
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
350
350
温度
系数
@I
ZT
a
vz
x10
–4
/°C
+5 ... +10
+5 ... +10
+5 ... +10
+5 ... +10
+6 ... +11
+6 ... +11
+6 ... +11
+6 ... +11
+6 ... +11
+6 ... +11
+6 ... +11
+6 ... +11
+6 ... +11
+6 ... +11
+7 ... +12
+7 ... +12
+7 ... +12
+7 ... +12
+8 ... +13
+8 ... +13
+8 ... +13
+8 ... +13
+9 ... +13
+9 ... +13
+9 ... +13
+9 ... +13
+9 ... +13
+9 ... +13
+9 ... +13
+9 ... +13
+9 ... +13
最低
反向
电压
V
R
@ I
R
= 1A
伏
9.2
10.0
10.7
12.0
13.3
14.7
16.5
18.3
20.1
22.5
25.1
27.8
30.2
32.9
35.6
39.2
42.8
47.3
51.7
57.1
63.2
68.6
75.7
83.7
92.6
101.6
110.5
123
136
149
167
最大齐纳
电流(注1 )
I
ZM
@ T
A
= 45°C
mA
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
44
40
37
33
30
27
25
21
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8.5
8
7.5
TEST
当前
I
ZT
mA
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
注意事项:
1.有效的规定,引线被保持在环境温度下,在从壳体的距离为10mm 。
2.测试与脉冲TP = 20毫秒。
DS21406修订版E-3
2 3
ZY11-ZY200
240
T
j
= 25 °C
60
50
I
Z
,齐纳电流(毫安)
ZY15
ZY18
ZY22
ZY27
T
j
= 25°C
200
I
Z
,齐纳电流(毫安)
160
120
ZY 12
40
30
20
测试电流
25毫安
ZY33
ZY39
80
40
0
测试电流
50毫安
ZY47
10毫安
10
0
0
5
10
15
0
10
20
30
40
50
V
Z,
齐纳电压(V)
图。 1齐纳击穿特性
V
Z,
齐纳电压(V)
图。 2齐纳击穿特性
20
ZY56
ZY68
T
j
= 25 °C
2
见注1
ZY82
I
Z
,齐纳电流(毫安)
测试电流
10毫安
ZY100
ZY120
ZY150
5毫安
ZY180
ZY200
P
d
,功耗( W)
10
1
0
0
50
100
150
200V
V
Z,
齐纳电压(V)
图。 3齐纳击穿特性
0
0
100
T
A
,环境温度,℃
图。 4功率降额曲线
200
注意事项:
1.有效的规定,引线被保持在环境温度下,在从壳体的距离为10mm 。
DS21406修订版E-3
3 3
ZY11-ZY200
ZY1 , ZY3.6通ZY200
威世半导体
原通用半导体
齐纳二极管
V
Z
范围
1.0 , 3.6 200V
功耗
2.0W
DO-204AM
1.0 (25.4)
分钟。
0.110 (2.79)
0.050 (1.27)
DIA 。
GE DED
10然
前ê
标签
VOL
特点
硅功率齐纳二极管。
对于使用稳定,并具有较高的削波电路
额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。较小的电压
公差可根据要求提供。
0.205 (5.20)
0.125 (3.18)
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.036 (0.91)
0.025 (0.64)
DIA 。
案例:
JEDEC DO- 204AM模压塑体
重量:
约。 0.34克
包装代码/选项:
E2 / 4K每个弹药弹匣。 ( 52毫米磁带) , 20K /箱
13元“卷( 52毫米磁带) , 10K /盒E3 / 5K
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流(见表“特性” )
在T功耗
AMB
= 25°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
符号
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
价值
2.0
(1)
60
(1)
150
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
°C
注意:
(1)有效的规定,引线被保持在环境温度下,在从壳体的距离为10mm 。
文档编号88418
02-May-02
www.vishay.com
1
ZY1 , ZY3.6通ZY200
威世半导体
原通用半导体
电气特性
齐纳
电压
(2)
at
I
ZT
V
Z
(V)
0.71 … 0.82
3.4 ... 3.8
3.7 ... 4.1
4.0 ... 4.6
4.4 ... 5.0
4.8 ... 5.4
5.2 ... 6.0
5.8 ... 6.6
6.4 ... 7.2
7.0 ... 7.9
7.7 ... 8.7
8.5 ... 9.6
9.4 ... 10.6
10.4 … 11.6
11.4 … 12.7
12.4 … 14.1
13.8 … 15.8
15.3 … 17.1
16.8 … 19.1
18.8 … 21.2
20.8 … 23.3
22.8 … 25.6
25.1 … 28.9
28 … 32
31 … 35
34 … 38
37 … 41
40 … 46
44 … 50
48 … 54
52 … 60
58 … 66
64 … 72
70 … 79
77 … 88
85 … 96
94 … 106
104 …116
114 … 127
124 … 141
138 … 156
153 …171
168 … 191
188 … 212
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
TYPE
ZY1
(3)
ZY3.6
ZY3.9
ZY4.3
ZY4.7
ZY5.1
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
动态
阻力
在我
ZT
F = 1千赫
最大
zj
()
1
7
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
350
350
TEMP 。 COEFF 。
齐纳伏。
at
I
ZT
α
VZ
(10
–4
/ K)
–26 … –16
–7 ... +2
–7 ... +2
–7 ... +3
–7 ... +4
–6 ... +5
–3 ... +5
–1 ... +6
0 ... +7
0 ... +7
+3 ... +8
+3 ... +8
+5 ... +9
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+6 … +11
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
+9 … +13
TEST
当前
I
ZT
(MA )
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
反向
电压
at
I
R
= 1A
V
R
(V)
–
–
–
–
–
–
& GT ; 1.5
& GT ; 1.5
>2
>2
& GT ; 3.5
> 7.4
> 8.2
> 9.2
& GT ; 10
> 10.7
& GT ; 12
> 13.3
> 14.7
> 16.5
> 18.3
> 20.1
> 22.5
> 25.1
> 27.8
> 30.2
> 32.9
> 35.6
> 39.2
> 42.8
> 47.3
> 51.7
> 57.1
> 63.2
> 68.6
> 75.7
> 83.7
> 92.6
> 101.6
> 110.5
> 123
>136
> 149
> 167
可受理
齐纳电流
(1)
在T
AMB
= 25°C
I
Z
(MA )
1000
440
410
360
330
300
275
245
220
200
180
165
145
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
44
40
37
33
30
27
25
21
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8.5
8
7.5
注意事项:
(1)在从情况下的距离为10毫米有效的规定,引线被保持在环境温度
( 2 )测试与脉冲吨
p
= 5毫秒
(3) ZY1是在向前方向操作的硅二极管。因此,所有的参数的评分指标应为“ F”,而不是“ Z” 。连接阴极
导致负极
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2
文档编号88418
02-May-02
ZY系列
硅稳压二极管
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
分钟。
.205(5.2)
.166(4.1)
.034(.9)
.028(.7)
1.0(25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
DO- 41塑料包装
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
2
1)
单位
W
O
150
- 55至+ 150
C
C
O
有效的条件是引线保持在环境温度为10毫米的情况下的距离。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 21/04/2008 F é
ZY系列
特点在T
a
= 25
O
C
齐纳电压范围
1)
TYPE
ZY3.6
ZY3.9
ZY4.3
ZY4.7
ZY5.1
ZY5.6
ZY6.2
ZY6.8
ZY7.5
ZY8.2
ZY9.1
ZY10
ZY11
ZY12
ZY13
ZY15
ZY16
ZY18
ZY20
ZY22
ZY24
ZY27
ZY30
ZY33
ZY36
ZY39
ZY43
ZY47
ZY51
ZY56
ZY62
ZY68
ZY75
ZY82
ZY91
ZY100
ZY110
ZY120
ZY130
ZY150
ZY160
ZY180
ZY200
1)
2)
齐纳阻抗
Z
ZT
最大。 ( Ω )
7
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
350
350
在我
ZT
mA
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
反向电压
V
R
MIN 。 (V )
-
-
-
-
-
1.5
1.5
2
2
3.5
7.4
8.2
9.2
10
10.7
12
13.3
14.7
16.5
18.3
20.1
22.5
25.1
27.8
30.2
32.9
35.6
39.2
42.8
47.3
51.7
57.1
63.2
68.6
75.7
83.7
92.6
101.6
110.5
123
136
149
167
在我
R
A
-
-
-
-
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
Z
MIN 。 (V )
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
MAX 。 (V )
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
在升
ZT
mA
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
可受理
齐纳电流
在T
a
= 25
O
C
I
ZM
(MA )
440
410
360
330
300
275
245
220
200
180
165
145
135
120
110
98
90
80
72
66
60
53
48
44
40
37
33
30
27
25
21
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8.5
8
7.5
TEMP 。 COEFF 。
齐纳电压
2)
αV
Z
在我
ZT
10
-4
/K
-7…+2
-7…+2
-7…+3
-7…+4
-6…+5
-3…+5
-1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
测试了脉冲TP = 5毫秒。
有效的条件是引线保持在环境温度为10毫米的情况下的距离。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 21/04/2008 F é
ZY系列
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 21/04/2008 F é