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ZXTP5401FL
150V , SOT23 , PNP高压晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -150V
BV
EBO
> -5V
I
C( CONT )
= -600mA
P
D
= 330mW功率
补充部分号码ZXTN5551FL
描述
在小外形表面的高电压PNP晶体管贴装封装。
C
特点
150V等级
SOT23封装
B
E
应用
高电压放大
E
C
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
订购信息
设备
ZXTP5401FLTA
带尺寸
(英寸)
7
B
引脚 - 顶视图
器件标识
P01
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTP5401FL
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
集电极电流脉冲
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
极限
-160
-150
-5
-600
-1
330
2.64
-55到150
单位
V
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
极限
379
单位
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面1盎司重量
铜,在静止空气条件。
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
2
www.zetex.com
ZXTP5401FL
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
分钟。
-160
-150
典型值。
-270
-240
马克斯。
单位
V
V
条件
I
C
= -100 A
I
C
= -1mA
(*)
集电极 - 基极击穿BV
CBO
电压
集电极 - 发射极
击穿电压(基
开)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
V
CE ( SAT )
-5
-8.1
<-1
-50
-50
V
nA
A
mV
mV
mV
mV
I
E
= -10 A
V
CB
= -120V
V
CB
= -120V ,T
AMB
= 100°C
I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
(*)
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
(*)
I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
(*)
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
(*)
I
C
= -1mA ,V
CE
= -5V
(*)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
静态正向电流
传输比
-50
-70
-200
-500
1000
1000
V
BE ( SAT )
-700
-750
h
FE
50
60
50
135
135
130
100
10
386
202
1720
275
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
2%.
240
I
C
= -10mA ,V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -50mA ,V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -10mA ,V
CE
= -10V
F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -50V 。我
C
= 100mA时
I
B1
= I
B2
= -10mA 。
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300秒;占空比
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
3
www.zetex.com
ZXTP5401FL
典型特征
-0.8
I
C
/I
B
=10
V
CE ( SAT )
- (伏)
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
-1
I
C
-
集电极电流(安培)
V
CE ( SAT )
V I
C
100
-1.4
h
FE
- 归一化增益(%)
80
60
40
20
0
-1.2
I
C
/I
B
=10
V
BE ( SAT )
- (伏)
V
CE
=-10V
-1.0
-0.8
-0.6
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
1
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
-1
I
C
-
集电极电流(安培)
I
C
-
集电极电流(安培)
h
FE
V I
C
V
BE ( SAT )
V I
C
-1.4
-1.2
V
CE
=-10V
V
BE
- (伏)
-1.0
-0.8
-0.6
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
-1
I
C
-
集电极电流(安培)
V
BE(上)
V I
C
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
4
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ZXTP5401FL
有意留为空白
第1期 - 2007年8月
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ZXTP5401FL
150V , SOT23 , PNP高压晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -150V
BV
EBO
> -5V
I
C( CONT )
= -600mA
P
D
= 330mW功率
补充部分号码ZXTN5551FL
描述
在小外形表面的高电压PNP晶体管贴装封装。
C
特点
150V等级
SOT23封装
B
E
应用
高电压放大
E
C
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
订购信息
设备
ZXTP5401FLTA
带尺寸
(英寸)
7
B
引脚 - 顶视图
器件标识
P01
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTP5401FL
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
集电极电流脉冲
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
极限
-160
-150
-5
-600
-1
330
2.64
-55到150
单位
V
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
极限
379
单位
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面1盎司重量
铜,在静止空气条件。
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTP5401FL
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
分钟。
-160
-150
典型值。
-270
-240
马克斯。
单位
V
V
条件
I
C
= -100 A
I
C
= -1mA
(*)
集电极 - 基极击穿BV
CBO
电压
集电极 - 发射极
击穿电压(基
开)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
V
CE ( SAT )
-5
-8.1
<-1
-50
-50
V
nA
A
mV
mV
mV
mV
I
E
= -10 A
V
CB
= -120V
V
CB
= -120V ,T
AMB
= 100°C
I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
(*)
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
(*)
I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
(*)
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
(*)
I
C
= -1mA ,V
CE
= -5V
(*)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
静态正向电流
传输比
-50
-70
-200
-500
1000
1000
V
BE ( SAT )
-700
-750
h
FE
50
60
50
135
135
130
100
10
386
202
1720
275
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
2%.
240
I
C
= -10mA ,V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -50mA ,V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -10mA ,V
CE
= -10V
F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -50V 。我
C
= 100mA时
I
B1
= I
B2
= -10mA 。
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300秒;占空比
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ZXTP5401FL
典型特征
-0.8
I
C
/I
B
=10
V
CE ( SAT )
- (伏)
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
-1
I
C
-
集电极电流(安培)
V
CE ( SAT )
V I
C
100
-1.4
h
FE
- 归一化增益(%)
80
60
40
20
0
-1.2
I
C
/I
B
=10
V
BE ( SAT )
- (伏)
V
CE
=-10V
-1.0
-0.8
-0.6
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
1
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
-1
I
C
-
集电极电流(安培)
I
C
-
集电极电流(安培)
h
FE
V I
C
V
BE ( SAT )
V I
C
-1.4
-1.2
V
CE
=-10V
V
BE
- (伏)
-1.0
-0.8
-0.6
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
-1
I
C
-
集电极电流(安培)
V
BE(上)
V I
C
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ZXTP5401FL
DIODES/美台
22+
32570
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
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联系人:何小姐
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