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ZXMN6A08G
SOT223 60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
60
R
DS ( ON)
( )
0.080 @ VGS = 10V
0.150 @ VGS = 4.5V
I
D
(A)
5.3
2.8
描述
从Zetex的新一代沟道MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻和快速的优点
开关,使其成为理想的高效率电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT223封装
D
G
S
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
D
D
G
胶带宽度
(mm)
12
12
单位数量
REEL
1,000
4,000
订购信息
设备
ZXMN6A08GTA
ZXMN6A08GTC
带尺寸
(英寸)
7
13
引脚 - 顶视图
器件标识
ZXMN
6A08
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXMN6A08G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
= 25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
= 70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
= 25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流(体二极管)
(b)
脉冲源电流(体二极管)
(c)
在T功耗
AMB
= 25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
60
± 20
5.3
4.2
3.8
20
2.1
20
2
16
3.9
31
-55到+150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
极限
62.5
32
单位
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气中
条件。
( b)对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
(三)重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB , D = 0.02 ,脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
2
www.zetex.com
ZXMN6A08G
典型特征
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
3
www.zetex.com
ZXMN6A08G
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
正向跨导
(*) ()
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
0.88
19.2
30.3
1.2
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C,I
S
= 4A,
V
GS
=0V
TJ = 25 ° C,I
S
= 1.4A,
的di / dt = 100A / S
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.6
2.1
12.3
4.6
4.0
5.8
1.4
1.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 30V, V
GS
= 5V
I
D
= 1.4A
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.4A
V
DD
= 30V ,我
D
= 1.5A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
459
44.2
24.1
pF
pF
pF
V
DS
= 40V, V
GS
=0V
f=1MHz
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
6.6
1
0.080
0.150
S
60
0.5
100
V
A
nA
V
I
D
= 250 A,V
GS
=0V
V
DS
= 60V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A,V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ,我
D
= 4.8A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 4.2A
V
DS
= 15V ,我
D
= 4.8A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2%。
( )的开关特性是独立的工作结温。
( )为设计辅助而已,不受生产测试。
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
4
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ZXMN6A08G
典型特征
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
5
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ZXMN6A08G
SOT223 60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
60
R
DS ( ON)
( )
0.080 @ VGS = 10V
0.150 @ VGS = 4.5V
I
D
(A)
5.3
2.8
描述
从Zetex的新一代沟道MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻和快速的优点
开关,使其成为理想的高效率电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT223封装
D
G
S
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
D
D
G
胶带宽度
(mm)
12
12
单位数量
REEL
1,000
4,000
订购信息
设备
ZXMN6A08GTA
ZXMN6A08GTC
带尺寸
(英寸)
7
13
引脚 - 顶视图
器件标识
ZXMN
6A08
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXMN6A08G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
= 25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
= 70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
= 25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流(体二极管)
(b)
脉冲源电流(体二极管)
(c)
在T功耗
AMB
= 25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
60
± 20
5.3
4.2
3.8
20
2.1
20
2
16
3.9
31
-55到+150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
极限
62.5
32
单位
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气中
条件。
( b)对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
(三)重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB , D = 0.02 ,脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
2
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ZXMN6A08G
典型特征
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
3
www.zetex.com
ZXMN6A08G
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
正向跨导
(*) ()
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
0.88
19.2
30.3
1.2
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C,I
S
= 4A,
V
GS
=0V
TJ = 25 ° C,I
S
= 1.4A,
的di / dt = 100A / S
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.6
2.1
12.3
4.6
4.0
5.8
1.4
1.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 30V, V
GS
= 5V
I
D
= 1.4A
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.4A
V
DD
= 30V ,我
D
= 1.5A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
459
44.2
24.1
pF
pF
pF
V
DS
= 40V, V
GS
=0V
f=1MHz
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
6.6
1
0.080
0.150
S
60
0.5
100
V
A
nA
V
I
D
= 250 A,V
GS
=0V
V
DS
= 60V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A,V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ,我
D
= 4.8A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 4.2A
V
DS
= 15V ,我
D
= 4.8A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2%。
( )的开关特性是独立的工作结温。
( )为设计辅助而已,不受生产测试。
第1期 - 2006年5月
捷特科PLC 2006
4
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典型特征
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捷特科PLC 2006
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXMN6A08GTC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
ZXMN6A08GTC
Z
24+
18530
SOT223..
全新原装现货热卖
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
ZXMN6A08GTC
ZETEX/DIODES
2443+
23000
SOT-223
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
ZXMN6A08GTC
VBSEMI/台湾微碧
24+
12300
SOT223-3
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
ZXMN6A08GTC
VB
25+23+
35500
SOT223-3
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
ZXMN6A08GTC
VBSEMI/台湾微碧
24+
5000
SOT223-3
100%原装正品,可长期订货
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZXMN6A08GTC
VBSEMI/台湾微碧
2024
20918
SOT223-3
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZXMN6A08GTC
VBSEMI/台湾微碧
2024
20918
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ZXMN6A08GTC
VBSEMI/台湾微碧
20+
10238
SOT223-3
全新原装正品/质量有保证
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ZXMN6A08GTC
VBSEMI/台湾微碧
21+
9561
SOT223-3
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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