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ZXTP25020DG
在SOT223 20V PNP高增益晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -4V
I
C（ CONT ）
= 6A
V
CE （ SAT ）
< -65mV @ -1A
R
CE （ SAT ）
= 42m
P
D
= 3.0W
补充部分号码ZXTN25020DG
描述
打包在SOT223概述这一新的低饱和PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
峰值电流
低饱和电压
高增益
高功率耗散
E
应用
负荷开关
电机驱动
隔离开关
稳压电路
E
C
C
B
引脚 - 顶视图
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTP25020DGTA
带尺寸
（英寸）
7
器件标识
ZXTP25
020D
问题1 2007年12月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTP25020DG
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
-25
-20
-4
-7
-6
-1
-10
1.2
9.6
1.6
12.8
3
24
5.3
42
7.8
63
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JC
极限
104
78
42
23.5
16
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（三）安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ d）由于上述（c）在t<5秒计量。
（五）结到外壳（集电极片） 。典型的。
问题1 2007年12月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTP25020DG
热特性
问题1 2007年12月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTP25020DG
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-25
-20
-4
典型值。
-55
-45
-8.5
马克斯。
单位
V
V
V
条件
I
C
= -100μA
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100μA ，R
BC
<为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100μA
I
E
= -100μA
V
CB
= -25V
V
CB
= -25V ，T
AMB
=100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -6A ，我
B
= -600mA
(*)
I
C
= -6A ，我
B
= -600mA
(*)
I
C
= -6A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -6A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫
400
30
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -1A ，V
CC
= -10V,
I
B1
= -I
B2
= -50mA
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
-4
-7
-8.5
-8.3
<1
<1
-50
-150
-190
-250
-1050
-910
50
0.5
100
-65
-215
-245
-355
-1150
-1000
900
V
V
nA
μA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
200
25
450
310
50
20
290
157
21
14.2
16.3
186
32.7
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
问题1 2007年12月
捷特科PLC 2007
4
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典型特征
问题1 2007年12月
捷特科PLC 2007
5
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ZXTP25020DG
在SOT223 20V PNP高增益晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -4V
I
C（ CONT ）
= 6A
V
CE （ SAT ）
< -65mV @ -1A
R
CE （ SAT ）
= 42m
P
D
= 3.0W
补充部分号码ZXTN25020DG
描述
打包在SOT223概述这一新的低饱和PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
峰值电流
低饱和电压
高增益
高功率耗散
E
应用
负荷开关
电机驱动
隔离开关
稳压电路
E
C
C
B
引脚 - 顶视图
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTP25020DGTA
带尺寸
（英寸）
7
器件标识
ZXTP25
020D
问题1 2007年12月
捷特科PLC 2007
1
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ZXTP25020DG
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
-25
-20
-4
-7
-6
-1
-10
1.2
9.6
1.6
12.8
3
24
5.3
42
7.8
63
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JC
极限
104
78
42
23.5
16
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（三）安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ d）由于上述（c）在t<5秒计量。
（五）结到外壳（集电极片） 。典型的。
问题1 2007年12月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTP25020DG
热特性
问题1 2007年12月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTP25020DG
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-25
-20
-4
典型值。
-55
-45
-8.5
马克斯。
单位
V
V
V
条件
I
C
= -100μA
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100μA ，R
BC
<为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100μA
I
E
= -100μA
V
CB
= -25V
V
CB
= -25V ，T
AMB
=100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -6A ，我
B
= -600mA
(*)
I
C
= -6A ，我
B
= -600mA
(*)
I
C
= -6A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
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I
C
= -6A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫
400
30
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -1A ，V
CC
= -10V,
I
B1
= -I
B2
= -50mA
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
-4
-7
-8.5
-8.3
<1
<1
-50
-150
-190
-250
-1050
-910
50
0.5
100
-65
-215
-245
-355
-1150
-1000
900
V
V
nA
μA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
200
25
450
310
50
20
290
157
21
14.2
16.3
186
32.7
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
问题1 2007年12月
捷特科PLC 2007
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典型特征
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ZRT062N8C2
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电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
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联系人：李
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人：小邹
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