ZXTP2027F
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(b)
基极电流
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(a)
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(b)
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(c)
线性降额因子
工作和存储温度
符号
V
CBO
V
（ BR ） CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
-100
-100
-60
-7
-10
-4
-1
1.0
8.0
1.2
9.6
1.56
12.5
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
符号
Rθ
JA
Rθ
JA
Rθ
JA
价值
125
104
80
单位
o
o
o
C / W
C / W
C / W
注意事项：
（一）安装在18毫米X 18毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件非常高覆盖率的2盎司重量的铜。
（二）安装以30mm X 30毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件非常高覆盖率的2盎司重量的铜。
（三）正如上文（b）在t<5secs测量。
第2期 - 2005年9月
捷特科股份有限公司2005
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ZXTP2027F
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极截止
当前
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输
比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEV
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEV
I
CBO
I
EBO
H
FE
100
100
80
20
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE （ SAT ）
250
200
145
40
-15
-45
-70
-155
基射极饱和
电压
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
-0.89
-0.81
165
44
32
305
2%.
分钟。
-100
-100
-60
-7.0
典型值。
-120
-120
-75
-8.2
马克斯。
单位
V
V
V
V
条件
I
C
=-100A
I
C
= -1μA ， 1V> V
BE
>-0.3V
I
C
=-10mA
(a)
I
E
=-100A
V
CE
=-80V,
V
BE
= 1V
V
CB
=-80V
V
EB
=-6V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
(a)
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -4A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -10A ，V
CE
=-2V
(a)
-20
-20
-10
nA
nA
nA
300
-25
-60
-95
-240
-1.0
-0.95
mV
mV
mV
mV
V
V
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
(a)
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA
(a)
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA
(a)
I
C
= -4A ，我
B
=-200mA
(a)
I
C
= -4A ，我
B
=-200mA
(a)
I
C
= -4A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -100mA ，V
CE
=-10V,
f=50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -10V ，我
C
=-2A,
I
B1
=I
B2
=-200mA
注意事项：
（一）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300 S.占空比
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绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(b)
基极电流
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(a)
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(b)
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(c)
线性降额因子
工作和存储温度
符号
V
CBO
V
（ BR ） CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
-100
-100
-60
-7
-10
-4
-1
1.0
8.0
1.2
9.6
1.56
12.5
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
符号
Rθ
JA
Rθ
JA
Rθ
JA
价值
125
104
80
单位
o
o
o
C / W
C / W
C / W
注意事项：
（一）安装在18毫米X 18毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件非常高覆盖率的2盎司重量的铜。
（二）安装以30mm X 30毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件非常高覆盖率的2盎司重量的铜。
（三）正如上文（b）在t<5secs测量。
第2期 - 2005年9月
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极截止
当前
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输
比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEV
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEV
I
CBO
I
EBO
H
FE
100
100
80
20
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE （ SAT ）
250
200
145
40
-15
-45
-70
-155
基射极饱和
电压
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
-0.89
-0.81
165
44
32
305
2%.
分钟。
-100
-100
-60
-7.0
典型值。
-120
-120
-75
-8.2
马克斯。
单位
V
V
V
V
条件
I
C
=-100A
I
C
= -1μA ， 1V> V
BE
>-0.3V
I
C
=-10mA
(a)
I
E
=-100A
V
CE
=-80V,
V
BE
= 1V
V
CB
=-80V
V
EB
=-6V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
(a)
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -4A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -10A ，V
CE
=-2V
(a)
-20
-20
-10
nA
nA
nA
300
-25
-60
-95
-240
-1.0
-0.95
mV
mV
mV
mV
V
V
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
(a)
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA
(a)
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA
(a)
I
C
= -4A ，我
B
=-200mA
(a)
I
C
= -4A ，我
B
=-200mA
(a)
I
C
= -4A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -100mA ，V
CE
=-10V,
f=50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -10V ，我
C
=-2A,
I
B1
=I
B2
=-200mA
注意事项：
（一）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300 S.占空比
第2期 - 2005年9月
捷特科股份有限公司2005
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绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(b)
基极电流
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(a)
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(b)
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(c)
线性降额因子
工作和存储温度
符号
V
CBO
V
（ BR ） CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
-100
-100
-60
-7
-10
-4
-1
1.0
8.0
1.2
9.6
1.56
12.5
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
符号
Rθ
JA
Rθ
JA
Rθ
JA
价值
125
104
80
单位
o
o
o
C / W
C / W
C / W
注意事项：
（一）安装在18毫米X 18毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件非常高覆盖率的2盎司重量的铜。
（二）安装以30mm X 30毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件非常高覆盖率的2盎司重量的铜。
（三）正如上文（b）在t<5secs测量。
第3期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极截止
当前
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输
比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEV
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEV
I
CBO
I
EBO
H
FE
100
100
80
20
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE （ SAT ）
250
200
145
40
-15
-45
-70
-155
基射极饱和
电压
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
延迟timetime
上升时间
贮存时间
下降时间
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
t
(d)
t
(r)
t
（ STG ）
t
(f)
-0.89
-0.81
165
44
12.6
10.2
220
21
2%.
分钟。
-100
-100
-60
-7.0
典型值。
-120
-120
-75
-8.2
马克斯。
单位
V
V
V
V
条件
I
C
=-100μA
I
C
= -1μA ， 1V> V
BE
>-0.3V
I
C
=-10mA
(a)
I
E
=-100μA
V
CE
=-80V,
V
BE
= 1V
V
CB
=-80V
V
EB
=-6V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
(a)
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -4A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -10A ，V
CE
=-2V
(a)
-20
-20
-10
nA
nA
nA
300
-25
-60
-95
-240
-1.0
-0.95
mV
mV
mV
mV
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
(a)
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA
(a)
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA
(a)
I
C
= -4A ，我
B
=-200mA
(a)
I
C
= -4A ，我
B
=-200mA
(a)
I
C
= -4A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -100mA ，V
CE
=-10V,
f=50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -10V ，我
C
=-2A,
I
B1
=I
B2
=-200mA
注意事项：
（一）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300 S.占空比
第3期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
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